Ю.А.Типушков, П.Г.Мазеин. Моделирование деформаций несущей системы токарного станка с компьютерным управлением. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 4(26), 2004

А.В. Шереметьев, П.Г. Мазеин. Система диагностирования и регулирования качества переходных процессов в следящих приводах станков с компьютерным управлением. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 4(30), 2005

Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V--O--C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния(I) и углерода(Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1)I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2)I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].

Приводятся результаты сравнительного анализа условий формирования мелких акцепторных центров в кремнии, облученном электронами, нейтронами и высокоэнергетичными ионами в процессе высокотемпературного отжига. Показано, что введение достаточно большой, по сравнению с исходной концентрацией примесей и дефектов, концентрации радиационных нарушений решеткиSi позволяет наблюдать возникновение термоакцепторов, стабильных вплоть до температуры отжига 650oC. Предполагается, что возникновение акцепторов обусловлено процессом взаимодействия фоновых акцепторных примесей (предположительно, бора) с вакансиями, "запасенными" в многовакансионных кластерах.

Получены структуры кремний-на-изоляторе путем отделения от пластины кремния тонкого слоя за счет имплантации водорода, переноса этого слоя на другую подложку и сращивания с ней. Исследовано влияние водорода и уровня легирования исходных пластин на концентрацию свободных носителей и тип проводимости в отсеченном слое кремния. Показано, что высокая концентрация бора в исходном материале в сочетании с высокой концентрацией остаточного водорода в слое кремния, отделенном от пластины, приводит к n-типу проводимости, который сохраняется до температур отжига структур 1100oC. Уменьшение концентрации остаточного водорода за счет дополнительного отжига создает условия, когда проводимость готовых структур соответствует типу проводимости исходного материала.

Мультиэнергетичная (3-24 кэВ) имплантация водорода (винтервале доз 5· 1016-3· 1017 см-2) в пластины p-Si была использована для создания гидрированных слоевSi : H. Показано, что в результате имплантации формируются гетероструктуры Si : H/p-Si. После имплантации протекание тока через структуры контролируется механизмом Пула--Френкеля с энергией доминирующего эмиссионного центра Ec-0.89 эВ. Максимальной фоточувствительностью обладают структуры, облученные дозой водорода 3.2· 1017 см-2 и отожженные в диапазоне температур250-300o C. Ширина запрещенной зоны слоя Si : H составляет Eg~ 2.4 эВ, значение диэлектрической проницаемости varepsilon~ 3.2. Плотность состояний вблизи уровня Ферми (1-2)· 1017 см-3 эВ-1.

Макшанцев А.л. Оптимизация кинематического расчета привода металлорежущих станков // Научная сессия МИФИ-1999. Т.9 Инновационные проекты, студенческие идеи, проекты, предложения, стр. 102-104

Исрафилов Р.к. Автоматизированный бесступенчатый электропривод главного движения металлорежущего станка // Научная сессия МИФИ-2002. Т.11 Инновационные проекты, студенческие идеи, проекты, предложения, стр. 89-90

Поленов Б.в., Стась К.н., Шумов С.а. Повышение роли стандартов тк 45мэк «ядерное приборостроение» при обеспечении радиационного мониторинга окружающей среды и безопасности человека на этапе возрождения ядерной энергетики // Научная сессия МИФИ-2007. Т.5 Медицинская физика. Моделирование физических процессов в окружающей среде. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Биофизика. Теоретические проблемы физики, стр. 147-148

Стрешнев А.Е. Диагностирование механизмов ткацкого станка стб с использованием методов экспертных систем: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.13. - M, 2006.