Донцова Л.И., Тихомирова Н.А.. Дискретность полей активации процесса переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов // Письма в ЖЭТФ, том 41, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Мельников А.П., Гурвич Ю.А., Шестаков Л.Н., Гершензон~Е.М.. Влияние перекрытия волновых функций примесных центров на энергию активации прыжковой проводимости // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Обсуждаются вопросы определения энергии активации --- величины барьера в элементарных актах релаксационных (флуктуационных) переходов в полимерах по температурно-скоростным зависимостям теплоемкости, измеряемых методом дифференциальной сканирующей калориметрии. Подчеркивается необходимость учета возможного изменения барьера с темпратурой для корректного определения энергии активации. Указанием на температурное изменение барьера выcтупает отклонение предэкспоненты (в аррениуссовской форме температурно-скоростной зависимости) от теоретического значения. Приводятся экспериментальные данные и результаты их анализа, позволяющие получить реалистические значения энергии активации alpha-релаксации в полимерах.

Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок.

На основании ранее разработанного когезионного подхода к описанию адсорбционных свойств атомов d-металлов на d-подложках проведен расчет самодиффузии по поверхностям (111) и (100) fcc и hcp металлов и (110) dcc металлов. Результаты расчета сопоставлены с данными расчетов других авторов и имеющимися экспериментальными данными.

Обсуждаются способы анализа температурных зависимостей интенсивности релаксационных процессов, представляемых в аррениусовской форме. Подчеркивается необходимость учета возможного изменения величины барьера элементарного акта с температурой для корректного определения энергии активации процесса. Приводятся экспериментальные данные по температурно-частотной зависимости диэлектрической релаксации в полимере, демонстрирующие случаи непостоянства барьера, и результаты анализа, позволяющего получить реалистичные значения энергии активации.

Методом ВФХ исследованы концентрационные профили n(x) 28Si, имплантированного в GaAs (E=50 и 75 кэВ, F=(1.88/ 6.25)· 1012 см-2 ) после "фотонного" и "электронного" отжигов с защитой поверхности диэлектриком и без нее. Показано, что в отличие от термического отжига (800oC, 30 мин) после фотонного и электронного отжигов наблюдается диффузионное перераспределение кремния в глубьGaAs. Коэффициент диффузииD и степень активацииeta с ростом температуры при фотонном отжиге и мощности при электронном отжиге увеличиваются. Значения энергии активации процессов для D иeta при радиационном отжиге меньше аналогичных величин при термическом отжиге. Величины D иeta после фотонного и электронного отжигов без защитного диэлектрика выше, чем при отжиге с диэлектриком.

Представлены результаты акустодинамических исследований электрофизических параметров (эффективной концентрации электронов n=1/eRH и их холловской подвижности muH=RH/rho) для кристаллов n-CdxHg1-xTe (x~0.22). Показано, что ультразвуковое нагружение (интенсивностью до 0.5·104 Вт/м2) приводит к увеличению значений n и muH в области примесной проводимости (T~100 K). Наблюдаемые эффекты объясняются акустостимулированным освобождением (активацией) связанных дефектов донорного типа и соответствующим понижением рассеивающего потенциала на неоднородностях сплава. В рамках предложенной дислокационной модели оценены характерные параметры акустоэлектрического взаимодействия.

Исследован процесс формирования оптически активных центров в пленках a-Si : H<Er>, полученных методом магнетронного распыления мозаичной мишени, содержащей Er с примесью кислорода. Врезультате исследования микроструктуры пленок методом электронной микроскопии обнаружены кристаллиты с размерами от 5 до 50 нм в зависимости от концентрации Er. Сделано предположение о влиянии на величину полосы интенсивности фотолюминeсценции в области 1.54 мкм не только локального окружения иона Er, но и процессов самоорганизации.

Проведены люминесцентные измерения структур снесколькими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими A(+)-центры, при разных ширинах квантовых ям сцелью определения зависимости энергии активации A(+)-центров отширины квантовых ям. Показано, что суменьшением ширины ям энергия активации A(+)-центров значительно возрастает, причем вямах шириной10 нм энергия активации в10раз больше, чем вобъемном материале. Замечено, что энергия активации A(+)-центров зависит отихконцентрации.