Обсуждаются теория квантовых эффектов в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках и ее применение к описанию некоторых явлений, наблюдаемых в SrTiO3, KTaO3 и твердых растворах на их основе. Рассматриваются два подхода: теория Баррета в рамках одноионной (одноподрешеточной) модели Девоншира--Слетера и теория Речестера и Хмельницкого--Шнеерсона в рамках теории мягкой сегнетоэлектрической (полярной TO) моды, "одетой" ангармоническим взаимодействием с нулевыми и тепловыми колебаниями решетки. Обсуждаются особенности индуцированного изоэлектронными примесями сегнетоэлектрического фазового перехода в виртуальных сегнетоэлектриках, теория изотопически индуцированного сегнетоэлектрического фазового перехода в виртуальных сегнетоэлектриках и изотопического сдвига температуры Кюри в низкотемпературных сегнетоэлектриках и влияние электрического поля на диэлектрические свойства виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16919).
Квятковский О.Е. Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 8, Стр. 1345

Представлены результаты исследования миграции триплетного возбуждения в таких неоднородных средах, как смешанные молекулярные кристаллы, твердые растворы органических соединений в низкомолекулярных растворителях и полимерах, а также пористые матрицы, активированные сложными молекулами. Экспериментальные данные, полученные как в условиях стационарного возбуждения, так и с временным разрешением, анализируются в рамках различных подходов, используемых для описания транспорта энергии в неупорядоченных системах.
Багнич С.А. Миграция триплетных возбуждений сложных молекул в неупорядоченных средах и в системах с ограниченной геометрией // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 10, Стр. 1729

Излагается современное состояние комплекса проблем, связанных с исследованием и применением пироэлектрического эффекта при низких (T
Новик В.К., Гаврилова Н.Д. Низкотемпературное пироэлектричество // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 6, Стр. 961

Recent theoretical and experimental work on linear exciton-light coupling in single and coupled semiconductor microcavities is reviewed: emphasis is given to angular dispersion and polarization effects in the strong-coupling regime, where cavity-polariton states are formed. The theoretical formulation is based on semiclassical theory. The energy of single-cavity modes is determined by the bare Fabry--Perot frequency omegac as well as by the center of the stop band omegas of the dielectric mirrors; the phase delay in the dielectricl mirrors carries a nontrivial angle- and polarization dependence. The polarization splitting of cavity modes depends on the mismatch between omegac and omegas, and increases with internal angle as sin2thetaeff. Interaction between the cavity mode and quantum well (QW) excitons is described at each angle by a two-oscillator model, whose parameters are expressed in terms of microscopic quantities. Weak and strong coupling regimes and the formation of cavity polaritons are described. Comparison with experimental results on a GaAs-based cavity with In0.13Ga0.87As QWs shows that a quantitative understanding of polariton dispersion and polarization splitting has been achieved. Coupling of two identical cavities thorugh a central dielectric mirror induces an optical splitting between symmetric and antisymmetric modes. When QW excitons are embedded in both cavities at antinode positions, the system behaves as four coupled oscillators, leading to a splitting of otherwise degenerate exciton states and to separate anticrossing of symmetric and antisymmetric modes. These features are confirmed by experimental results on coupled GaAs cavities with In0.06Ga0.94As QWs. An analysis of reflectivity lineshapes requires the inclusion of the effect of resonance narrowing of cavity polaritons. Finally, the polarization splitting in a coupled cavity depends both on the single-cavity factors and on the angle- and polarization dependence of the optical coupling between the cavities. Inclusion of all these effects provides a good description of the experimental findings.
Panzarini Giovanna, Andreani Lucio Claudio, Armitage A., Baxter D., Skolnick M.S., Astratov V.N., Roberts J.S., Kavokin Alexey V., Vladimirova Maria R., Kaliteevski M.A. Cavity--polariton dispersion and polarization splitting in single and coupled semiconductor microcavities // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1337

Рассмотрены процессы ионизации глубоких примесных центров под влиянием мощного дальнего инфракрасного и субмиллиметрового излучения, когда энергия кванта света в десятки раз меньше энергии ионизации примеси. В широком диапазоне интенсивностей и длин волн терагерцовое электрическое поле возбуждающего излучения действует как постоянное поле. В этих условиях ионизация глубоких центров может быть описана как процесс многофононного туннелирования, при котором эмиссия носителей сопровождается туннелированием дефекта в конфигурационном пространстве и туннелированием электрона под влиянием электрического поля. Полевая зависимость вероятности ионизации позволяет определить времена туннелирования дефекта и характер их адиабатических потенциалов. Отклонение от полевой зависимости вероятности ионизации e(E) прапорционально exp (E2/E2c) (где E --- поле волны, а Ec --- характерное поле), соответствующей многофононной туннельной ионизации, имеет место при относительно малых полях, когда ионизация дефекта обусловлена эффектом Пул--Френкеля, и при очень больших полях, когда ионизация происходит благодаря эффекту прямого туннелирования без термоактивации. Рассмотрены эффекты, обусловленные высокой частотой излучения, и показано, что при низких температурах они становятся доминирующими.
Ганичев С.Д., Яссиевич И.Н., Преттл В. Ионизация глубоких примесных центров дальним инфракрасным излучением // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 11, Стр. 1905