Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 35, для научной тематики: Обзоры


11.

История и будущее полупроводниковых гетероструктур     

Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 3
12.

Гетероструктуры сквантовыми точками: получение, свойства, лазеры     

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры сквантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 385
13.

Наноразмерные атомные кластеры вполупроводниках--- новый подход кформированию свойств материалов     

Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры вполупроводниках--- новый подход кформированию свойств материалов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 513
14.

Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников a iiib v     

Бессолов В.Н., Лебедев М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Бессолов В.Н., Лебедев М.В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников A IIIB V // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1281
15.

Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния     

Лебедев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 129
16.

Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов иприменение этого метода в технологии полупроводниковых приборов     

Гук Е.Г., Каманин А.В., Шмидт Н.М., Шуман В.Б., Юрре Т.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Гук Е.Г., Каманин А.В., Шмидт Н.М., Шуман В.Б., Юрре Т.А. Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов иприменение этого метода в технологии полупроводниковых приборов // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 257
17.

Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках     

Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 513
18.

Модифицирование полупроводников пучками протонов     

Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 129
19.

Кремний-германиевые наноструктуры сквантовыми точками: механизмы образования иэлектрические свойства     

Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. Кремний-германиевые наноструктуры сквантовыми точками: механизмы образования иэлектрические свойства // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1281
20.

Сканирующие туннельные микроскопия испектроскопия аморфного углерода     

Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Сканирующие туннельные микроскопия испектроскопия аморфного углерода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1409