Приведены результаты исследования политипов карбида кремния в сильных электрических полях. Показано, что наличие естественной сверхрешетки в политипах карбида кремния приводит к минизонной структуре зоны проводимости, что в свою очередь вызывает серию эффектов, а именно отрицательную дифференциальную проводимость в режиме блоховских осцилляций, электрон-фононные резонансы, локализацию нижней минизоны, резонансное туннелирование между первой и второй минизонами, дырочную монополию ударной ионизации в широкой области полей, аномально высокие поля лавинного пробоя с отрицательной температурной зависимостью напряжения пробоя и многие другие оригинальные эффекты. Заметим, что все перечисленное является составной частью единого процесса ванье-штарковской локализации, который возникает по мере возрастания средней величины электрического поля от 100 до 2900 кВ/см (максимальная величина поля в резком p-n-переходе была вдвое больше).
Санкин В.И. Ванье-штарковская локализация вестественной сверхрешетке политипов карбида кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 769

Рассматриваются результаты экспериментального исследования явлений переноса (электропроводности, коэффициентов термоэдс, Холла и Нернста--Эттингсгаузена) в PbTe и твердых растворах Pb1-xSnxTe сбольшим содержанием примесей In (до 20 ат%) при температурах до 400 K. Многие свойства изучаемых веществ подобны свойствам некристаллических материалов. Анализ экспериментальных данных производится на основе представления о прыжковой проводимости по сильно локализованным примесным состояниям, созданным атомами индия. Объяснены необычные для полупроводников типа AIVBVI температурные зависимости кинетических коэффициентов, изменение знака термоэдс при отрицательном коэффициенте Холла, положительный коэффициент Нернста--Эттингсгаузена. Из экспериментальных данных определены энергия активации прыжковой проводимости, характеризующая эффективный разброс примесных энергетических уровней, эффективный радиус волновой функции и плотность локализованных состояний как функция энергии. Изложению результатов исследования прыжковой проводимости предшествует краткое описание резонансных и глубоких локализованных электронных состояний, создаваемых примесью In в соединениях AIVBVI, особое внимание уделено особенностям примесных состояний в образцах с высокими концентрациями In, где наблюдается прыжковая проводимость.
Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость посильно локализованным примесным состояниям индия вPbTe и твердых растворах наегооснове // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 3

Выполнен анализ одного из современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов и alpha-частиц, осуществляемого путем контролируемого введения в полупроводник радиационных дефектов. Показано, что легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении легкими ионами открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов опто-, микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования--- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
Козлов В.А., Козловский В.В. Легирование полупроводников радиационными дефектами приоблучении протонами иalpha -частицами // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 769

Рассматривается зонная структура, оптические, фотоэлектрические и транспортные свойства твердых тел, состоящих из фуллереновых молекул, соединенных ван-дер-ваальсовыми связями, а также находящихся в полимеризованном состоянии. Особое внимание уделено различным механизмам полимеризации.
Макарова Т.Л. Электрические иоптические свойства мономерных иполимеризованных фуллеренов // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 257

Обобщаются физические принципы работы транзисторов, ток через которые управляется внешним магнитным полем. Рассмотрeны однопереходные, биполярные и полевые магнитотранзисторы, а также их производные--- магнитотиристоры и магнитоуправляемые микросхемы. Отмечены основные направления применения.
Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Магниточувствительные транзисторы // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 3

Важнейшими методами исследования поверхности аморфного алмазоподобного углерода являются сканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия. В настоящем обзоре рассмотрены работы, посвященные исследованию с помощью туннельного микроскопа топографии и электронных свойств поверхности пленок аморфного алмазоподобного углерода, а также сопутствующие исследования, такие как зондовые исследования полевой эмиссии из аморфного углерода и туннельная микроскопия металл-углеродных нанокомпозитов.
Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Сканирующие туннельные микроскопия испектроскопия аморфного углерода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1409

На основе анализа публикаций последних лет для системы Ge-на-Si приводятся устоявшиеся представления о механизмах образования германиевых островков нанометровых размеров. Упругие деформации в эпитаксиальных пленках и трехмерных островкахGe наSi являются ключевым фактором, обуcловливающим не только морфологический переход <планарная пленка>--<островковая пленка> (механизм Странского--Крастанова), но и влияют на последующие этапы эволюции островков, включая их форму, размер и пространственное распределение. Во многих случаях этот фактор существенно модифицирует классические механизмы фазообразования и их последовательность вплоть до квазиравновесного сосуществования трехмерных наноостровковGe на поверхности подложкиSi. Обсуждаются пути улучшения степени упорядочения наноостровков и достижения предельно малых размеров и большой плотности их распределения по площади. Вработе приводятся литературные данные по поглощению света в многослойных системах Ge--Si с квантовыми точками, свидетельствующие об аномально большом сечении внутризонного поглощения, что делает представляемый класс наноструктур перспективным для создания фотоприемников инфракрасного диапазона. Представлены оригинальные исследования электрических и оптических свойств гетероструктур с квантовыми точкамиGe, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложкахSi.
Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. Кремний-германиевые наноструктуры сквантовыми точками: механизмы образования иэлектрические свойства // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1281

Выполнен анализ современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов: протонно-стимулированной диффузии, ионно-лучевого перемешивания и формирования пористых слоев. Показано, что анализируемый метод модифицирования (легирования) открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования--- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 129

Рассмотрены и обобщены результаты экспериментальных исследований наведенного фотоплеохроизма элементарных (Si, Ge), бинарных (AIIIBV, AIIBVI) и более сложных алмазоподобных полупроводников (твердые растворы AIIIBV--AIIIBV, тройные соединения AIBIIICVI2 и AIIBIVCV2) и фоточувствительных структур на их основе. Анализируются установленные закономерности наведенного фотоплеохроизма в различных типах фотопреобразователей и их взаимосвязь с параметрами полупроводников. Обсуждаются возможности практических применений наведенной поляризационной фоточувствительности изотропных полупроводников в поляриметрических структурах и диагностике их качества.
Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 513

Рассмотрены особенности нетрадиционного метода диффузии из полимерных диффузантов различных примесей в кремний и полупроводниковые соединения AIIIBV. Приведены результаты использования этого метода в технологии полупроводниковых приборов на кремнии и гетероструктурах AlGaAs/GaAs и InGaAs(P)/InP.
Гук Е.Г., Каманин А.В., Шмидт Н.М., Шуман В.Б., Юрре Т.А. Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов иприменение этого метода в технологии полупроводниковых приборов // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 257