Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию параметров глубоких центров в 6H- 4H- и 3C-SiC. Приведены данные по энергиям ионизации и сечениям захвата центров как образующихся при легировании SiC различными типами примеси или в процессе облучения, так и собственных дефектов. Рассмотрено участие обнаруженных центров в процессах излучательной и безызлучательной рекомбинации. Проведенный анализ литературных источников показывает значительное влияние, которое собственные дефекты кристаллической решетки SiC оказывают как на формирование глубоких центров, так и на свойства самих эпитаксиальных слоев--- уровень их легирования и политипную однородность.
Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 129

Проведен анализ работ, посвященных халькогенидной пассивации (атомами серы и селена) поверхности полупроводников AIIIBV. Рассмотрены особенности формирования химических связей, атомная структура и электронные свойства поверхности полупроводников AIIIBV, покрытых атомами халькогенидов. Обсуждаются успехи последних лет в применении халькогенидной пассивации в полупроводниковой технологии, а также тенденции и перспективы развития этого направления.
Бессолов В.Н., Лебедев М.В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников A IIIB V // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1281

Рассмотрены физические механизмы и основные методы получения наноразмерных атомных кластеров в полупроводниках. Анализируются возможности управления свойствами кластеров и кластерных материалов. Обсуждаются некоторые электронные свойства полупроводников, содержащих наноразмерные кластеры, и возможности их применения в электронике.
Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры вполупроводниках--- новый подход кформированию свойств материалов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 513

Дан обзор оригинальных результатов, в которых: 1)экспериментально открыт новый класс спонтанно упорядоченных наноструктур--- равновесные массивы трехмерных когерентно напряженных островков на поверхности кристаллов; 2)построена теория спонтанного формирования полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных системах; 3)экспериментально доказано существование нового класса полупроводниковых гетероструктур--- идеальных квантовых точек, обладающих delta-образным энергетическим спектром, подобным спектру одиночного атома; выполнено комплексное исследование оптических свойств квантовых точек; 4)реализованы инжекционные лазеры на квантовых точках, обладающие уникальными свойствами (высокая температурная стабильность, сверхвысокие значения усиления материала).
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры сквантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 385

Описана история создания полупроводниковых гетероструктур и их применений в различных электронных приборах. Также приведен краткий исторический обзор развития физики, технологии изготовления и применений квантовых ям и сверхрешеток. Обсуждаются успехи последних лет в области создания структур с квантовыми проволоками и, особенно, с квантовыми точками, а также тенденции и перспективы развития и применения этих новых типов гетероструктур.
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 3

Посвящается памяти Анатолия Григорьевича Самойловича Описаны теоретические и экспериментальные исследования генерации поперечной термоэдс в анизотропных средах и основанные на этой генерации методы прямого преобразования тепловой энергии. Рассмотрены преобразователи как на основе полупроводников, так и на основе пленок из высокотемпературных сверхпроводников.
Снарский А.А., Пальти А.М., Ащеулов А.А. Анизотропные термоэлементы // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1281

Представлен обзор работ, посвященных исследованиям влияния слабых магнитных полей на структуру и механические свойства немагнитных твердых тел различной природы (ионные, ковалентные, молекулярные и металлические кристаллы, полимеры и др.). Проведена классификация и критический анализ обнаруженных в течение последних 15 лет разнообразных эффектов и постэффектов, инициируемых постоянным, импульсным и СВЧ магнитными полями. Обсуждаются термодинамические и кинетические аспекты магниточувствительности реальных твердных тел со структурными дефектами, содержащими парамагнитные центры (электроны, дырки, радикалы, экситоны и т. п.). Рассмотрены возможные механизмы действия слабого магнитного поля на дефектную структуру кристаллов. Особое внимание уделено наиболее разработанной в химической физике теории спин-зависимых реакций между подвижными частицами с неспаренными электронами. Предложены схемы интерпретации магнитопластических эффектов, учитывающие спиновую, электронную, молекулярную и дислокационную динамику сложных многостадийных процессов, инициируемых магнитным полем в системе метастабильных структурных дефектов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17571 и N 01-02-16573), Минобразования (грант N E 02-3.4-263), ФЦП \glqq Фундаментальные исследования, Университеты России\grqq (грант N УР. 01.01.013) и ФЦП \glqq Фуллерены и атомные кластеры\grqq (грант N 541-02).
Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 769

Шероховатость границ раздела слоев в многослойных магнитных структурах приводит к фрустрациям обменного взаимодействия между спинами. В некоторых условиях такая фрустрация вызывает появление доменных стенок нового типа, характеристики которых определяются в результате конкуренции обменных взаимодействий, а не обменной энергии и энергии анизотропии, как в случае традиционных доменных границ. Такие доменные стенки оказываются намного более резкими, чем обычные доменные стенки. Рассмотрены условия возникновения микро- (нано-) доменного состояния и магнитные фазовые диаграммы для наноструктур ферромагнетик-немагнитный металл-ферромагнетик и ферромагнетик-антиферромагнетик. Работа поддержана грантом CRDF-Минобразования РФ VZ-010-0 и грантом PICS/RFBR N 1573/02-02-22002.
Морозов А.И., Сигов А.С. Новый тип доменных стенок--- доменные стенки, порождаемые фрустрациями вмногослойных магнитных наноструктурах // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3, Стр. 385

Обзор посвящен рассмотрению физических свойств манганитов R1-xAxMnO3 (R=La, Pr, Nd, Sm и др., A=Ca, Sr, Ba) в области их электронного легирования, когда концентрация двухвалентных атомов x в соединении находится в интервале 0.5
Дунаевский С.М. Магнитные фазовые диаграммы манганитов вобласти ихэлектронного легирования // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 193

Впервые излагается наиболее полная нерелятивистская теория динамических флуктуационно-электромагнитных взаимодействий между различными типами частиц (заряды, диполи, нейтральные атомы, наночастицы) и поверхностью (плоской и цилиндрической) поляризующейся среды --- границей твердого тела. Теория основана на применении уравнений Максвелла и формализма флуктуационно-диссипативных соотношений. Для плоской поверхности учитываются также эффекты пространственной дисперсии. Критически анализируются работы других авторов. Кратко рассмотрены результаты недавних экспериментов, в которых могли наблюдаться диссипативные флуктуационные силы.
Дедков Г.В., Кясов А.А. Электромагнитные ифлуктуационно-электромагнитные силы взаимодействия движущихся частиц инанозондов споверхностями. Нерелятивистское рассмотрение // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1729