Мартемьянов Б.В., Молодцов С.В.. Закон площадей Вильсона в газе абелевых монополей // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Развивается подход, описывающий влияние термоэлектрических эффектов и граничных условий на теплопроводность гетерогенных систем. Показано, что при определенной геометрии гетерогенной структуры заметное влияние на эффективную теплопроводность оказывают возникающие в системе циркуляционные электрические токи, причем максимальное увеличение теплопроводности за счет влияния циркуляционных токов следует ожидать в гетерогенных полупроводниках и полуметаллических системах с разными по знаку термоэлектродвижущими силами.

Методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии валентной зоны с угловым разрешением и Si(2p) внутреннего уровня, а также дифракции медленных электронов исследованы особенности электронной и кристаллической структуры систем, сформированных в процессе напыления слоев кремния на поверхность монокристаллических пленок Gd (0001) и Dy (0001) с последующим термическим отжигом при температуре T=450-500oC. В результате исследований было показано, что сформированные системы могут быть описаны как исходные монокристаллические пленки Gd и Dy с трехмерными островками силицидов этих металлов, расположенными на поверхности соответствующих металлических пленок. Данная работа выполнена при финансовой поддержке ГНТП "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.99) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 96-03-34107).

Методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведено исследование процесса интеркаляции иттербия под монослой графита, сформированный на поверхности Ni(111). Изучены особенности электронной структуры тонкопленочного интеркалятоподобного соединения, синтезированного в результате этого процесса. Показано, что наблюдающийся при этом энергетический сдвиг pi- и sigma-состояний в валентной зоне в сторону увеличения энергии связей (на ~ 2 и ~ 1 eV соответственно) может быть описан с позиций гибридизации pi-состояний углерода в графитовом мнослое с d-состояниями нижележащего металла. Данная работа поддержана ГНТП "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.99), "Фуллерены и атомные кластеры" (проект N 98052) и совместной Российско-немецкой программой РФФИ-ННИО (проекты N 96-02-00045 и N 98-03-04071).

С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si L2,3-краев для наноматериалов в виде пористого кремния и наноструктур с эпитаксиальными слоями кремния, легированными эрбием или содержащими квантовые точки германия. Модель фотолюминесценции пористого кремния на базе полученных данных позволяет объяснить ее появление вследствие зона-зонных переходов между уровнями крсталлической фазы и оксидных фаз, покрывающих нанокристаллы кремния. Напряжения в поверхностных нанослоях кремния, вызванные Ge-квантовыми точками или кластерами с внедренными атомами эрбия, являются причиной появления тонкой структуры спектров вблизи края зоны проводимости и могут приводить к возникновению люминесценции в этих наноструктурах.

Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si+ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na+ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300

Сиспользованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения вобласти P-L2,3-краев зонного спектра, отражающие локальную плотность состояний взоне проводимости вследующих объектах: наноструктурах сквантовыми точками InP, выращенных на подложках GaAs<100> методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, ивпористых слоях InP, полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP< 100>. Во всех наноструктурах обнаружены квантово-размерные эффекты ввиде появления дополнительного уровня на расстоянии 3.3 эВ от дна зоны проводимости, атакже изменение ширины запрещенной зоны исследуемых материалов при размерном квантовании электронного спектра. Высказаны предположения озона-зонном происхождении спектров люминесценции висследованных наноструктурах.

Мартионов К.в., Молодцов К.и., Симонов М.л. Мультимедиа обучающая программа "САПР на базе AUTOCAD" // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.10 Телекоммуникации и новые информационные технологии в образовании, стр. 101-102

Молодцов В.В. Обоснование и обеспечение энергосберегающих параметров и режимов работы рудничных компрессорных установок : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.05.06. - M, 2008.

Цель работы: изучить медико-социальный статус учащейся молодежи разных типов учебных заведений и научно обосновать дифференцированный подход к организации профилактической помощи. Методы. Проведено социологическое исследование 1039 респондентов — студентов вузов, учащихся средних специальных учебных заведений (ССУЗ) и профессионально-технических училищ (ПТУ) по специально разработанной анкете. Результаты. Определены особенности социальной принадлежности, уровня жизни и благосостояния учащихся вузов, ССУЗ и ПТУ. Студенческая когорта вузов по многим характеристикам отнесена к категории благополучных людей из полных (70%), интеллигентных (78%), малодетных (100%) семей со средним уровнем благосостояния (70%). Учащиеся ПТУ — как правило, выходцы из неполных (57%) и нередко многодетных (27%) семей рабочих (37%) и крестьян (39%) — отличались наиболее неблагополучными характеристиками. Учащиеся ССУЗ занимали промежуточное место по всем изученным параметрам. Заключение. Выявлены существенные различия социального статуса студентов и учащихся разных типов образовательных заведений, из которых наиболее неблагополучными оказались учащиеся ПТУ. Данные выводы служат аргументом для обоснования дифференцированного подхода при разработке программ оздоровления и профилактической помощи учащейся молодежи разных типов учебных заведений