руденко В.В. подготовка будущего учителя к обеспечению технико-технологической безопасности сельских школьников : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.08. - M, 2008.

Кунижев А.М. ФОРМИРОВАНИЕ ПРАВОВОЙ КУЛЬТУРЫ У СТУДЕНТОВ АВТОТРАНСПОРТНЫХ ССУЗ (на примере подготовки техников в Кабардино-Балкарском лицее автомобильного транспорта): автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.08. - M, 2007.

Кузнецова Н.А. Формирование базовых компетенций студентов - будущих техников в процессе обучения в средних специальных учебных заведениях : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.08. - M, 2010.

Моисеенко О.В. Исследование параметров и режимов работы приспособления для образования стерневых кулис: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.20.01. - M, 2008.

Смагина Г.И. Санкт-Петербургская Академия наук и просвещение в России XVIII века: образование и распространение знаний : автореф. дис. ... докт. ист. наук : 07.00.10. - M, 2007.

Смагина Г.И. Санкт-Петербургская Академия наук и просвещение в России XVIII века: образование и распространение знаний : автореф. дис. ... докт. ист. наук : 07.00.10. - M, 2007.

Моисеенко О.В. Исследование параметров и режимов работы приспособления для образования стерневых кулис : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.20.01. - M, 2008.

Установлено, что имплантация ионов диспрозия и гольмия с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 в кремний и последующий отжиг при температурах 600/ 900oC сопровождаются образованием донорных центров. Концентрация донорных центров возрастает при увеличении концентрации кислорода в исходном материале или при дополнительной имплантации кислорода. Одинаковое поведение коэффициента активации и концентрационных профилей донорных центров в зависимости от температуры отжига и концентрации кислорода наблюдалось в Si : Dy и Si : Ho. Результаты указывают, что имеет место образование по крайней мере двух типов донорных центров, содержащих атомы редкоземельных элементов и(или) примеси кислорода.

С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что впленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения сплотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния сразмерами от 2 нм и свыделенной ориентацией (110) по нормали кпленке. Всистеме взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света вразличных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений впленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.

Методами теории функционала электронной плотности и псевдопотенциала исследовано влияние водорода и давления на формирование вакансий и дивакансий в кремнии. Показано, что в присутствии водорода энергия формирования вакансий может снижаться на величину от1.8 до 3.5 эВ, а энергия формирования дивакансий на величину от2 до5.4 эВ, и становится возможным спонтанное возникновение вакансий и их комплексов при высоких концентрациях водорода. Вместе с тем наличие водорода делает кремний менее чувствительным к давлению и при больших концентрациях может полностью подавить тенденцию дополнительного образования вакансий под действием давления.