Рассмотрены двухфазные состояния равновесия тонкой сверхпроводящей пленки с током при конвективном теплообмене на свободной поверхности и исследована их устойчивость по первому приближению. Показано, что из двух состояний равновесия устойчиво состояние с большей протяженностью области нормальной фазы. В предельном случае бесконечно длинной пленки устойчивое двухфазное состояние равновесия стремится к пространственно однородному нормальному состоянию, а неустойчивое остается локализованным. В определенном диапазоне значений параметров системы время релаксации такого образования может быть достаточно велико и его следует рассматривать как квазиустойчивое состояние равновесия.

Рассмотрено напряженное состояние бесконечной матрицы и "впаянного" в нее длинного цилиндрического включения из скрученного многожильного композитного сверхпроводника с центральной областью из нормального металла, обусловленное взаимодействием продольной составляющей транспортного тока с внешним однородным магнитным полем. Показано, что для расчета макроскопических напряжений в NbTi--Cu проводе, помещенном в эпоксидную матрицу, может использоваться приближение однородного провода с усредненными упругими свойствами.

Исследовано влияние непроводящей оболочки на скорость необратимого распространения нормальной зоны вдоль охлаждаемого композитного сврехпроводника. Показано, что наличие даже незначительного по своей толщине покрытия может приводить к существенному ухудшению условий тепловой стабилизации интенсивно охлаждаемых токонесущих элементов.

В рамках модели, учитывающей дискретный характер многопроводной сверхпроводящей среды, исследованы характерные закономерности переходных процессов, которые имеют место при появлении участка с нормальной проводимостью. В основе выполненного анализа лежат численные эксперименты, моделирующие распространение нормальной зоны внутри сверхпроводящей области, состоящей из прямолинейных сверхпроводников, описывающие кинетику необратимого разрушения сверхпроводящих свойств однослойной обмотки большого радиуса. Проведен анализ теплофизических особенностей процесса необратимого распространения теплового возмущения в поперечном сечении многопроводной сверхпроводящей среды. Сформулированы основные закономерности явлений, происходящих при разрушении сверхпроводимости дискретной области в зависимости от условий теплообмена между ее элементами, характера возмущения, величины протекающего тока, условий стабилизации. Рассмотрено влияние механизма продольной теплопроводности на величину поперечной скорости распространения нормальной зоны.

Выполнено расчетное исследование влияния перераспределения тока в стабилизирующей матрице комбинированного сверхпроводника с неравномерным распределением сверхпроводящей компоненты по сечению на скорость распространения нормальной зоны. Анализ задачи в безразмерных переменных позволил выделить параметры, определяющие значимость рассматриваемого эффекта. Получены параметрические зависимости скорости распространения нормальной зоны при условиях охлаждения, не обеспечивающих стационарную стабилизацию.

Рассмотрена генерация высокочастотных колебаний ударной электромагнитной волной при ее синхронизме с обратной волной связанных линий передачи с нормальной и аномальной дисперсией и нелинейностью на основе ферритов. Показана возможность значительного снижения затухания генерируемых колебаний за счет увеличения доли потока высокочастотной энергии в линии передачи с аномальной дисперсией, где высокочастотные потери относительно малы.

В рамках диффузионной модели кинетического уравнения для пучка электронов, падающих по нормали на мишень, получены аналитические формулы для распределений выделенной энергии и инжектированного заряда. При этом в теорию не вводятя эмпирические подгоночные параметры. Вычисленные распределения выделенной энергии для плоского направленного источника электронов в бесконечной среде для C, Al, Sn и Pb хорошо согласуются с данными Спенсера, полученными на основе точного решения кинетического уравнения Бете, которое является исходным и в предположении диффузионной модели.

Рассмотрено влияние нормальных процессов фонон-фононного рассеяния на релаксацию импульса в неравновесной электрон-фононной системе. Решена система кинетических уравнений для электронной и фононной функций распределения с учетом взаимного увлечения электронов и фононов. Вычислены кинетические коэффициенты проводников в линейном приближении по параметру вырождения. Проанализировано влияние нормальных процессов рассеяния фононов на электрон-фононное увлечение и кинетические эффекты в проводниках с вырожденной статистикой носителей.

Исследован транспорт тока в гетеропереходах микронных размеров нормальный металл--высокотемпературный сверхпроводник (Au / YBa2Cu3O6+x) для двух кристаллографических ориентаций YBCO-пленок. Показано, что в зависимости от направления протекания транспортного тока по отношению к кристаллографическим осям YBCO-пленки электронные транспортные свойства гетеропереходов Au / YBCO с высокой прозрачностью границы изменяются от квазитуннельных в направлении оси c YBCO-пленки до близких к омическим в направлениях, лежащих в базовой плоскости YBCO. Работа проводилась при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Российской программы "Актуальные проблемы физики конденсированного состояния" (подпрограмма "Сверхпроводимость") и проекта ИНТАС N 97-11459.

Рассматривается влияние морфологических факторов на захват магнитного потока и критические токи в сверхпроводящей структуре, которая представляет собой перколяционный сверхпроводник II рода с центрами пиннинга. Роль центров пиннинга играют фрактальные кластеры нормальной фазы. Детально проанализированы свойства таких кластеров, изучена их статистика, найдено распределение критических токов депиннинга, получены зависимости основных статистических параметров от фрактальной размерности. Рассмотрено влияние фрактальных кластеров нормальной фазы на электрическое поле, возникающее при движении магнитного потока после срыва вихрей с центров пиннинга. Получены вольт-амперные характеристики сверхпроводящих структур в резистивном состоянии для произвольной фрактальной размерности. Обнаружено, что фрактальность границ кластеров нормальной фазы усиливает захват магнитного потока и тем самым повышает критический ток.