Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е. при одинаковых энергиях в расчете на атом, и плотностях потоков атомов. Молекулярный эффект в накоплении дефектов наблюдался лишь при таких дозах, когда степень повреждения решетки кристалла превышала 0.15. В этих условиях ион N+2 создавал такое же число устойчивых дефектов, как 6ионов N+1. В наших экспериментах (30кэВ для потока N+1 и 60кэВ для N+2 при комнатной температуре) дозы аморфизации равны 3.75· 1015 и 1.25· 1015ион/см2 для N+1 и N+2 соответственно.

Предложен и реализован метод экспериментального выделения влияния легких дырок на классический эффект Холла для сложной валентной зоны p-Ge. Для этого их вклад последовательно исключался магнитным полем, калибровка же абсолютных значений дырочных концентраций осуществлялась с помощью нейтронного легирования специальным образом приготовленных пар образцов. На одном из образцов (репере) измерялось приращение электронной концентрации в результате нейтронного легирования, а на другом--- дырочной. Получены калибровочные зависимости для эффективного холл-фактора в p-Ge, с помощью которых можно прецизионно измерять концентрацию дырок в нем во всем диапазоне уровней легирования. Применение их иллюстрируется на примерах изучения прыжкового переноса носителей заряда и исследования перехода металл-изолятор.

Измерены спектры поглощения эпитаксиальных пленок p-MnxHg1-xTe с x=0.12-0.19 в области длин волн2-24 мкм при300 и80 K. По теории Кейна с учетом влияния отдаленных зон рассчитано поглощение, обусловленное переходами носителей заряда между подзонами легких и тяжелых дырок. Получены значения эффективных масс тяжелых и легких дырок в зависимости от состава твердого раствора и температуры. Проведен анализ низкотемпературных спектров поглощения; оценены энергии ионизации акцепторного уровня.

Обнаружено существование двух пиков вспектрах фотолюминесценции слоев твердого раствора GaAsN, выращенных на подложке GaAs, при комнатной температуре. Расстояние между пиками увеличивается сростом содержания азота втройном твердом растворе. Присутствие вспектрах двух переходов сучастием легкой итяжелой дырки предложено вкачестве объяснения такого вида спектров фотолюминесценции. Эффект расщепления уровней энергии легкой итяжелой дырок обусловлен действием упругой деформации слоев GaAsN при выращивании их на поверхностиGaAs.

С помощью метода, основанного на измерении анизотропии неупругого рассеяния электронов, исследовалось накопление структурного разупорядочения вмонокристаллахSi, облучаемых ионами Ne+ сэнергией10 кэВ. Показано, что накопление разупорядочения происходит как нарастание аморфного слоя от границы между естественным окислом икристаллическимSi. Установлено, что скорость роста аморфного слоя не зависит от плотности тока ионов ичто существует пороговая доза накопления. Результаты объясняются спомощью модели, основанной на диффузии генерируемых подвижных точечных дефектов кповерхности споследующей их сегрегацией ина предположении оналичии висходных монокристаллах насыщаемых стоков. Проведенные по этой модели численные расчеты показали хорошее согласие сэкспериментальными результатами, полученными как вданной работе, так идругими авторами.

Представлена модель формирования электрической изоляции GaN и ZnO под действием облучения быстрыми ионами. Вкачестве основного процесса, приводящего к снижению концентрации свободных носителей и росту сопротивления, рассматривается образование комплексов, состоящих из атома легирующей примеси и созданного ионным пучком простейшего точечного дефекта. Проведенное сравнение результатов модели и экспериментальных данных по возникновению изоляции, полученных для GaN и ZnO, показывает, что модель способна удовлетворительно описывать происходящие процессы.

Маринюк В.в., Радкевич А.в. Расчет спектров отражения легких ионов от аморфных сред методом парциальных потоков // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 106-107

Маринюк В.в., Ремизович В.с., Тишин И.в. Принцип инвариантности Амбарцумяна и метод разделения потоков в проблеме отражения легких ионов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 100-102

Залужный А.г. Проникновение водорода через конструкционные материалы при бомбардировке легкими ионами // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 88

Захаров В.н., Кантор П.с., Ткаченко Д.г. Нечеткое управление процессом перевода пациента от искусственной вентиляции легких к самостоятельному дыханию // Научная сессия МИФИ-2000. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 87-88