Теория Фраттини формаций и классов Шунка конечных групп распространяется до теории Фраттини формаций и классов Шунка конечных универсальных алгебр мальцевских многообразий. Доказано, что если F≠(1) — непустая формация (класс Шунка) алгебр мальцевского многообразия, то их фраттиниева подформация (фраттиниев подкласс Шунка) φ (F) состоит из всех непорождающих алгебр F; кроме того, если M — формация (класс Шунка), содержащийся в F, то φ ( M)⊆ φ( F).

Изучается подгруппа Фиттинга для некоторых фактор-групп свободного произведения с использованием вложения Шмелькина. Полученное описание подгруппы Фиттинга применяется при исследовании универсальной теории метабелевых произведений групп.

ХРУЩЕВ Вячеслав Владимирович. Свойства легких и тяжелых мезонов в релятивистской модели квазинезависимых кварков с универсальным потенциалом конфайнмента: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.16 / НИИЯФ МГУ, 2005

Описывается новый принцип построения газового датчика на ПАВ, который, по существу, являясь датчиком сорбционного типа, обладает еще и некоторыми свойствами датчиков на ПАВ теплометрического типа. Этот принцип заключается в создании некоторой задержки при распространении потоков тепла между звукопроводом ПАВ датчика и рабочей поверхностью термостабилизирующей системы. Датчик, построенный с использованием этого принципа, способен детектировать не только пары летучих веществ, но и газы по их тепловым свойствам, при этом сохраняется высокая термостабильность и быстродействие, в отличие от известных ПАВ датчиков теплометрического типа. Описывается вариант конструкции датчика на основе ПАВ линии задержки на LiNbO3 и приводятся некоторые результаты его экспериментального исследования на примере детектирования пропана--бутана бытового назначения. В частности, даны измеренные зависимости отклика датчика от скорости потока газа, результаты измерения отклика при двух значениях температуры звукопровода и концентрации пропана--бутана. Обсуждаются возможности улучшения характеристик датчика.

Приведены результаты обработки фотоэмульсионных пластинок экспонированных в нескольких экспериментах на автоматизированном комплексе МАС-1, использующем микроскоп. В частности, представлены случай обнаружения очарованного мезона в фотоэмульсионной камере эксперимента WA-95 (CERN) и примеры результатов обработки спектрограмм электронов внутренней конверсии (ЭВК), полученных на бета-спектрографе, с использованием прецизионной телевизионной системы считывания изображений, обеспечивающей точность 1 mum по всем трем координатам.

На основе модифицированных уравнений для связанных мод предложена теория устройств на поверхностных акустических волнах. В качестве одного из возможных приложений модифицированных уравнений для связанных мод развита теория дисперсионных акустоэлектронных линий задержки с криволинейной средней линией апертур электродов встречно-штыревого преобразователя и отражательных структур. Выполнены экспериментальные исследования и проведено сопоставление результатов расчета и эксперимента. Эксперименты по формированию и сжатию линейно-частотно-модулированного сигнала показали уровень боковых лепестков в сжатом сигнале --- 38 dB.

С помощью анализа экспериментальных данных получено выражение для критического тока керамического образца, имеющего прямоугольное поперечное сечение. Показано, что зависимость критического тока от площади поперечного сечения описывается общей для всех сечений формулой, а функциональная связь между относительным током и относительной площадью сечения является универсальной. PACS: 75.60.lg

Целью работы является нахождение универсальных критических значений эффективной безразмерной константы связи g6 и уточненных универсальных значений g4 для гейзенберговских ферромагнетиков с n-компонентными параметрами порядка. Эти константы входят в уравнение состояния и определяют нелинейные восприимчивости chi4 и chi6 в критической области. В рамках O(n)-симметричной трехмерной теории типа lambdavarphi4 вычислены три первых члена разложения g6 по степеням g4, полученный ряд пересуммирован методом Паде--Бореля, после чего путем подстановки в результирующее выражение координаты фиксированной точки g*4 найдены численные значения g*6 для различных n. Сами числа g*4 при n>3 определялись из шестипетлевого разложения для beta-функции, пересуммированного с применением техники Паде--Бореля--Леруа. Анализ точности полученных значений g*6 показал, что они могут отличаться от истинных не более чем на 1.6%. Величины g*6 сопоставлены также с теми, которые дает метод 1/n-разложения, что позволило оценить уровень точности последнего.

Неупорядоченные материалы (стекла и аморфные тела, расплавы, полимеры, биологические среды и т. д.) представляют собой важный класс объектов. Оказалось, что несмотря на хаос, с которым обычно ассоциируется их структура, для стекол и аморфных тел различной природы (полупроводниковых, диэлектрических, металлических) есть универсальный пространственный масштаб ~1 nm --- параметр порядка, который может сыграть для теории столь же важную роль, как элементарная ячейка для кристаллов. Беспорядок в неупорядоченных телах не абсолютный --- присущая кристаллам периодичность в расположении атомов сохраняется в пределах нескольких координационных сфер, а далее каким-то образом нарушается. Характер нарушения порядка позволяет отличить стекла от аморфных тел по виду функции корреляции структуры. Неоднородности, о которых идет речь, не экзотические единичные образования, не аналоги дефектов в кристаллах, а фрагменты, из которых целиком построены аморфные тела и стекла. Пространственная неоднородность неупорядоченных тел с характерным масштабом ~1 nm приводит к появлению универсальных характерных особенностей в колебательных свойствах, меняет механизм релаксации электронного возбуждения, определяет специфику переноса зарядов.

Предложен простой аналитический способ вычисления подвижности основных носителей заряда, позволяющий хорошо описать экспериментальные данные в широком диапазоне температур и уровней легирования в различных полупроводниковых материалах, включая элементарный полупроводник (кремний), полупроводник типа AIIIBV (арсенид галлия), полупроводник типа AIVBIV (различные политипы карбида кремния) и полупроводник типаAIIIN (нитрид галлия). Хорошая точность результатов расчета позволяет считать, что данный способ является универсальным и его можно использовать для описания подвижности основных носителей заряда в других полупроводниковых материалах. Простота и точность предложенного способа делает его полезным при разработке численных программ, предназначенных для анализа характеристик многослойных полупроводниковых структур.