Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si+ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na+ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300

Показано, что увеличение содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия приводит к существенному возрастанию в них концентрации дивакансий галлия. Отмеченное, наиболее вероятно, связано с заполнением атомами углерода вакансий мышьяка, входящих в состав комплекса дивакансия мышьяка--- дивакансия галлия.

Исследована возможность целенаправленного смещения высокочастотной границы платоспектральной плотности шума кремниевых p-n-структур в область высоких частот при облучении гамма-квантами. Наблюдалось максимальное увеличение полосы рабочей области частот до2-2.5раз. При дальнейшем облучении исследуемых структур ширина плато не увеличивалась и его граница размывалась. Обнаружена корреляция между изменением времени жизни неосновных носителей заряда и шириной низкочастотного плато спектральной плотности шума. Предложена качественная модель для описания изменения спектральной плотности шума с потоком облучения для кремниевых p-n-структур, определяемых размерами p-n-перехода.

Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слояхGaN, имплантированных ионами эрбия с энергией1 МэВ и дозой3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионовEr3+ всверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8раза) имаксимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при900oC. При увеличении температуры отжига до1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.

Повышение звукоизоляции ограждающих конструкций зданий и сооружений без увеличения их массы: Автореф.дис. ...канд.техн.наук:05.23.01 / Д. В. Монич; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2002. - 24с.

Проничев А.н. Методы увеличения размеров поля зрения в автоматизированных системах обработки изображений // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.6 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 225-226

Максимов Г.а., Радченко А.в. Моделирование увеличения дебита нефти в результате обработки коллекторов по технологии акустического воздействия // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 40-41

Максимов Г.а., Радченко А.в. Моделирование увеличения дебита нефти в результате обработки коллекторов по технологии акустического воздействия // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 40-41

Богаевский А.г. Методика увеличения производительности WEB-приложений, работающих с базами данных // Научная сессия МИФИ-2002. Т.2 Технологии разработки программных систем. Информационные технологии, стр. 32-33

Деев В.и., Куценко К.в., Лаврухин А.а., Никитин А.е., Харитонов В.с. Кризис кипения при резком увеличении энерговыделения в твэлах реактора с водным теплоносителем // Научная сессия МИФИ-2003. Т.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-) материалы, стр. 87-88