Предложена микроскопическая теория электроакустического эха (ЭАЭ) в случае воздействия на антисегнетоэлектрик двумя импульсами переменного электрического поля. Данная теория дополняет феноменологическую теорию, предложенную для интерпретации экспериментов по исследованию основных закономерностей ЭАЭ в антисегнетоэлектриках типа порядок--беспорядок. Объяснены эффекты дейтерирования и "заполяризации" образца. Аналитически выведена форма сигнала эха и показано, что эта форма зависит от временного интервала, разделяющего импульсы накачки.

Изучены фазовые превращения типа беспорядок-порядок в области гомогенности нестехиометрического карбида титана TiCy (0.5

Исследованы фазовые превращения типа беспорядок--порядок в области гомогенности нестехиометрического кубического карбида ванадия VCy (0.66

Впервые на основе теории диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллическими сплавами с гексагональной плотноупакованной (ГПУ) решеткой, предложенной М.А. Кривоглазом, разработана рентгенографическая методика исследования ближнего порядка в поликристаллических сплавах с ГПУ-решеткой. Эта методика позволила учесть особенность кристаллической структуры ГПУ-решетки, а именно наличие двух атомов в элементарной ячейке и близкие радиусы отдельных координационных сфер. Экспериментально на примере ГПУ-сплавов Mg--Dy, Mg--Tb продемонстрирована ее реалистичность. Впервые в рамках новой методики рассчитаны модулирующие функции линейного и квадратичного размерных эффектов для сплавов Mg--Dy, Mg--Tb. Показано, что для координационных сфер с близкими радиусами модулирующие функции размерных эффектов имеют разный характер, их учет в диффузном рассеянии позволяет решить проблему расчета параметров ближнего порядка на этих сферах.

Исследовано влияние дефектов (оборванных связей Si--Si), образованных в процессе осаждения пленок a-Si : H методом тлеющего разряда, при его легировании бором а также фотоиндуцированных, на изменения ближнего и среднего порядка в структурной сетке. Показано, что при постоянной концентрации дефектов ND=const заряженные дефекты значительно сильнее влияют на структуру a-Si : H, чем нейтральные.

Определены корреляции между характеристикой среднего порядка в структуре a-Si : H и плотностью дефектов, их зарядовым состоянием, оптической шириной запрещенной зоны, ее пространственными флуктуациями. Показано, что модифицирование структуры на уровне среднего порядка за счет образования нановключений может приводить к радикальному росту фотопроводимости и к упорядочению структуры аморфной матрицы.

Для металлоксидов меди YBa2Cu3O6.9, YBa2Cu3O6.6, YBa2Cu4O8, Nd1,85Ce0.15CuO4, La1.85Sr0.15CuO4, HgBa2CuO4, HgBa2CaCu2O6, Bi2Sr2CaCu2O8 иTl2Ba2CaCu2O8 при температурах, выше температуры перехода в сверхпроводящее состояниеTc, температурная зависимость центра тяжестиS мессбауэровского спектра примесных атомов 67Zn2+ в узлах меди и иттрия определяется доплеровским сдвигом 2-го порядка. Вобласти T

Болотская Т.м. Порядок отработки кодов в СУБД ADVANCED PICK // Научная сессия МИФИ-1999. Т.7 Информатика и компьютерные системы. Информационные технологии. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программного обеспечения. Банки данных и анализ данных, стр. 251-252

Кондратьева Н.с. Порядок организации защиты от вредоносного программного обеспечения в системе открытого образования // Научная сессия МИФИ-2003. 10 Всероссийская научная конференция. Проблемы информационной безопасности в системе высшей школы, стр. 229-230

Шлюфман О.е. Порядок управления доступом к ресурсам в системе открытого образования // Научная сессия МИФИ-2003. 10 Всероссийская научная конференция. Проблемы информационной безопасности в системе высшей школы, стр. 250-251