Изучается асимптотическое поведение максимальных поверхностей типа ленты и трубки в окрестности изолированной особой точки. В частности, доказана возможность разложения радиус-вектора двумерной поверхности в степенной ряд с вещественно аналитическими коэффициентами по временной координате. Показано также, что касательные лучи в особой точке образуют световую поверхность. Для многомерных максимальных трубок в терминах их асимптотического поведения в особой точке доказана точная оценка времени существования и полностью описан класс поверхностей, на которых данная оценка достигается.

Пусть $(R,tau_R)$ — топологическое кольцо и ${}_RM$ — некоторый левый унитарный R-модуль. Известно, что множество $Cal L(M)$ всех $(R,tau_R)$-модульных топологий на ${}_RM$ образует полную модулярную решетку. Топологию $tauinCal L(M)$ будем называть {it $n$-предмаксимальной}, если в $Cal L(M)$ существует максимальная по включению цепь $tau_0>tau_1>dots>tau_n$ такая, что $tau_0$ — наибольший элемент в $Cal L(M)$ и $tau_n=tau$. В S,1 получены условия, каждое из которых обеспечивает либо наличие, либо отсутствие $1$-предмаксимальных хаусдорфовых топологий на ${}_RM$. S,2 содержит описание всех $n$-предмаксимальных топологий в случае, когда $(R,tau_R)$ — топологическое тело, топология которого определяется вещественной абсолютной величиной.

Получен полный набор характеристик на стадии зародышеобразования одноатомной фазы в твердом растворе при стационарных внешних условиях для всего диапазона размеров зародышей новой фазы. Приведена методика учета влияния упругого поля, формирующегося вблизи образующихся частиц новой фазы, и взаимодействия примесей в твердом растворе на кинетику фазовых переходов.

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be

Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be

Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимумаZ*. PACS:71.20.Nr; 72.20.Pa, 71.55.Ht, 75.20.Ck

Шумский Б.е., Пинегин А.а., Хромов В.в., Жуденков В.в. Исследование проектного предела максимальной линейной нагрузки на ТВЭЛ ВВЭР-440 // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 44-46

Сыцько Ю.и., Малышева Н.в. Применение метода максимальной энтропии для поиска скрытой периодичности в генетических текстах // Научная сессия МИФИ-2002. Т.7 Астрофизика и космофизика. Фундаментальная и прикладная математика. Физика пучков и ускорительная техника, стр. 113-114

Першенков В.с. Влияние кулоновского расталкивания на максимальную концентрацию реактант ионов в рентгеновском спектрометре ионной подвижности // Научная сессия МИФИ-2004. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 93-94

В работе предлагается новый подход к решению задачи нахождения максимального полного подграфа в графе. Подход подразумевает нахождение лишь приближенного решения, но при этом реализуется за полиномиальное время, что недостижимо для точного решения.