Непертубативными методами построено выражение (в виде однократного интеграла) для поляризационного оператора фотона в полупроводнике, находящемся в сильных стационарных электрическом и магнитном полях произвольной ориентации. Учтена пространственная дисперсия и показано, при каких конфигурациях внешних полей ее влияние несущественно. Получены асимптотические соотношения для зависимости коэффициентов поглощения и преломления от характеристик поля. Установлено, что пренебрежение спином частиц ведет к принципиально неверному представлению о влиянии магнитного поля на оптические свойства непроводящих кристаллов.

На основе выведенных граничных условий для квазиклассических функций Грина вычислена температура сверхпроводящего перехода Tc бислоя чистый ферромагнетик~-- грязный сверхпроводник. Такая комбинация соответствует условиям большинства экспериментов, в которых использовались Fe, Ni, Co или Gd в качестве материала ферромагнитного слоя. Показано, что Tc осциллирует с изменением толщины ферромагнитного слоя, что согласуется с экспериментальными наблюдениями.

В условиях туннельно-связанных краевых токовых состояний в открытом кольцевом интерферометре обнаружены осцилляции кондактанса по затворному напряжению с двумя существенно отличающимися периодами. Показано, что осцилляции с большим периодом обусловлены туннелированнием электронов между областями стока и истока через замкнутое краевое состояние кольца, когда через его контур на уровне энергии Ферми проходит целое число квантов магнитного потока. Осцилляции с меньшим периодом объясняются влиянием одноэлектронных вариаций потенциала кольца на прозрачность барьеров между локализованными и делокализованными краевыми состояниями интерферометра.

Рассчитаны частоты фонон-плазмонных связанных мод в сильном магнитном поле. Вычисления проделаны в длинноволновом приближении с учетом электронного затухания и собственного времени жизни оптических фононов. Получена зависимость сечения рамановского рассеяния от концентрации носителей и величины магнитного поля.

Рассмотрена задача о спектре пробного поля для трехуровневого иона, помещенного в поле сильной стоячей световой волны. Взаимодействие иона с плазмой, кулоновское рассеяние с изменением скорости, учитывалось в рамках модели слабых столкновений. Система кинетических уравнений на матрицу плотности решалась при помощи разложения по пространственным гармоникам и собственным функциям столкновительного оператора. Найден профиль нелинейной добавки к поглощению пробной волны при различных значениях эффективной частоты ион-ионных столкновений, амплитуды и частоты стоячей волны. Показано что уширение центральной нелинейной структуры в спектре обусловлено эффектом кулоновской дефазировки. Результаты расчета находятся в качественном согласии с полученными ранее экспериментальными данными.

Рассматривается двумерная мезоскопическая бозе-система диполей в 2D ловушке с помощью компьютерного моделирования квантовым методом Монте-Карло интегрирования по траекториям. Модель описывает разреженную систему пространственно непрямых экситонов в удерживающем потенциале. Исследуется бозе-конденсация, сверхтекучие и структурные свойства системы в широком диапазоне значений величины межчастичных пространственных корреляций: от почти идеального бозе-газа до режима сильнокоррелированной системы. Обнаружено, что при сильных межчастичных корреляциях частицы в { конденсате } образуют { кристаллоподобную структуру}. При этом пространственные корреляции частиц в конденсате выражены слабее, чем корреляции надконденсатных частиц. В режиме сильных межчастичных корреляций наблюдается эффект возвратной кристаллизации.

Магнитные свойства сильно коррелированных ферми-систем исследуются в рамках модели фермионной конденсации~-- фазового перехода, связанного с перестройкой ландауского квазичастичного распределения, в результате чего при T=0 в спектре одночастичных возбуждений возникает плато, лежащее строго на поверхности Ферми. Показано, что при конечных температурах в спиновой восприимчивости chi_{ac}(T) системы за точкой перехода появляется кюри-вейссовское слагаемое sim T-1. Обсуждается поведение chi_{ac}(T,H) как функции температуры и величины статического магнитного поля H в области, где критическая температура фермионной конденсации Tf близка к нулю. Полученные результаты сравниваются с имеющимися экспериментальными данными.

В двумерных модуляционно легированных структурах GaAs/{rm Al}0.3 rm Ga0.7As наблюдался кроссовер от сильно локализацационного поведения к слабой локализации (WL-SL) с ростом концентрации примесей в яме. При этом наблюдалось изменение характера низкотемпературной зависимости проводимости (от экспоненциальной к логарифмической), а также изменение знака магнетосопротивления (от линейного отрицательного к корневому положительному). Для 2D структур показано, что этот переход происходит в примесной зоне, отделенной от валентной зоны щелью подвижности, тогда как значение эффективной массы в примесной зоне больше, чем в валентной зоне.

Измерена электропроводность кристаллов фуллерена С60 в условиях квази-энтропического нагружения размытой ударной волной до давления 30 ГПа при комнатной температуре. Обнаружено немонотонное поведение электропроводности образцов при увеличении давления: сначала электропроводность растет на много порядков, а затем быстро падает. Увеличение электропроводности объясняется уменьшением ширины запрещенной зоны под давлением, тогда как уменьшение электропроводности можно объяснить в предположении, что энергетический барьер для полимеризации С60 понижается с ростом давления примерно в той же мере, что и ширина запрещенной зоны. В результате, при высоких давлениях резко (более чем на 7 порядков) увеличивается скорость полимеризации С60.

Проведены исследования магнитных свойств ян-теллеровского кристалла TbVO4 в импульсных магнитных полях до 50 Тл, которые обнаружили разрушение квадрупольного упорядочения при Hc= 32 Тл, сопровождающееся повышением симметрии кристалла от орторомбической до тетрагональной. Дано адекватное описание магнитных аномалий и критических параметров индуцированного фазового перехода на основе определенных ранее параметров взаимодействия. Отмечается, что ян-теллеровский кристалл TbVO4 может представлять интерес для исследований на синхротронном излучении в импульсном магнитном поле.