Найдено научных статей и публикаций: 444
201.
Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge
Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Синис В.П.. Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
202.
Переход от режима сильной связи к режиму слабой связи при понижении Т_c в системе $Tl_2Ba_2CuO_{6+x}
Вяселев О.М., Колесников Н.Н., Щеголев И.Ф.. Переход от режима сильной связи к режиму слабой связи при понижении Т_c в системе $Tl_2Ba_2CuO_{6+x} // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
203.
Магнетоплазменные возбуждения неоднородных двумерных электронных систем в сильном магнитном поле
Михайлов С.А.. Магнетоплазменные возбуждения неоднородных двумерных электронных систем в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
204.
Спин-ориентированные экситоны в одноосно деформированном германии в сильном магнитном поле
Тимофеев В.Б., Черненко А.В.. Спин-ориентированные экситоны в одноосно деформированном германии в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
205.
О применимости "slave-boson"-метода к расчету электронной структуры многозонных систем с сильными кулоновскими корреляциями
Елесин В.Ф., Опёнов Л.А., Холмовский Е.Г., Молотков С.Н., Назин С.С.. О применимости "slave-boson"-метода к расчету электронной структуры многозонных систем с сильными кулоновскими корреляциями // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
206.
"Сильный" геликон в металлах с открытыми орбитами
Скобов В.Г., Чернов А.С.. "Сильный" геликон в металлах с открытыми орбитами // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
207.
Поглощение света сверхрешетками в скрещенных электрическом и магнитном полях: предел сильных полей
Молотков С.Н.. Поглощение света сверхрешетками в скрещенных электрическом и магнитном полях: предел сильных полей // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
208.
Сильная поляризация фотолюминесценции In_xGa_{1-x}P выращенного на плоскости (110) GaAs
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Малкина И.Г., Сафьянов Ю.Н.. Сильная поляризация фотолюминесценции In_xGa_{1-x}P выращенного на плоскости (110) GaAs // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
209.
Фотогальванический эффект в асимметричной системе трех квантовых ям в сильном магнитном поле
Омельяновский О.Е., Цебро В.И., Кадушкин В.И.. Фотогальванический эффект в асимметричной системе трех квантовых ям в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
210.
Гашение фотопроводимости сильным электрическим полем в дельта-легированных оловом GaAs-структурах
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Богданов Е.В., Кытин В.Г., Сеничкин А.П., Кадушкин В.И.. Гашение фотопроводимости сильным электрическим полем в дельта-легированных оловом GaAs-структурах // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru