Исследована подвижность доменной границы в пленках гранатов с перпендикулярной магнитной анизотропией и узкой линией ферромагнитного резонанса (FMR). Анализ полученных и литературных экспериментальных данных показывает, что при величине приведенного параметра диссипации Ландау--Лифшица, найденной из измерений FMR, LambdaFMR>2.4· 10-9 Oe2· s подвижность доменной границы обратно пропорциональна LambdaFMR, что совпадает с классической теорией. При LambdaFMR

Выполнены измерения деформации и электрического сопротивления сплава TiNi с памятью формы при облучении в низкотемпературной гелиевой петле атомного реактора. Установлено, что при облучении сплава в мартенситном состоянии при 170 K температуры превращений из кубической в ромбоэдрическую и из ромбоэдрической в моноклинную фазу экспоненциально снижаются с ростом флюенса. Изменения величины эффектов памяти формы и пластичности превращения не наблюдалось до флюенса 6.7· 1022 neutr./m2. Выдержка при 340 K без облучения приводит к частичному возврату (росту) температур переходов. Обнаруженные закономерности объясняются изменением степени дальнего порядка кристаллической решетки при нейтронном облучении.

Представлены результаты теоретического анализа фоторефрактивного отклика в кристаллах с мелкими ловушками при приложении знакопеременного электрического поля в форме меандра. Разработанная методика численного анализа не накладывает ограничений на частоту внешнего поля и период фоторефрактивной решетки. На основе проведенных исследований двухпучкового взаимодействия в кристалле Bi12SiO20 : Cd при приложении знакопеременного электрического поля в форме меандра сделана оценка параметров, характеризующих глубокие донорные и мелкие ловушечные центры.

Исследованы стеклообразующая способность, структура и сверхпроводящие свойства соединений Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15LixOy, Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xLixOy (x=0, 0.3, 0.5, 0.7). Расплавы соединений получались методом ВЧ-плавления при T=1300-1500oC. Резкая закалка приводит к cтеклообразным сплавам, у которых наилучшая стеклообразующая способность наблюдается при замещении меди на литий. Отжиг стекла при температурах 700-800oC приводит к образованию высокотемпературной сверхпроводящей (ВТСП) фазы 2212 с критической температурой до 91 K. Для образцов, легированных литием, образование ВТСП-фазы происходит при меньших температурах, небольшой продолжительности отжига и зависит от скорости охлаждения после отжига. Содержание и свойства фазы 2212 немонотонным образом зависят от продолжительности отжига. Параметр c кристаллической решетки фазы 2212 растет с увеличением содержания лития.

Исследуются особенности влияния спиновых флуктуаций на энергетические спектры sp- и d-носителей тока в почти ферромагнитных полупроводниках на основе соединений d-переходных металлов. Показано, что за счет расщепления электронных спектров во флуктуирующих обменных полях в почти ферромагнитных системах возможны электронные превращения типа полупроводник--металл, сопровождаемые исчезновением энергетических щелей в спектрах sp- и d-электронов при различных температурах и сдвигом химического потенциала в область разрешенных энергий. Конкретный анализ подобных электронных превращений проводится на примере почти ферромагнитного FeSi.

В квазистатическом и постоянном электрических полях обнаружены аномалии поляризации релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария--стронция: несовпадение траекторий петель гистерезиса для нескольких первых циклов переполяризации, отсутствие определенного коэрцитивного поля и др. Аномалии обусловлены существенно неоднородной структурной кристалла, являющегося ярко выраженной неэргодической системой со случайным распределением большого локального внутреннего поля. Получены спектры распределения потенциальных барьеров по энергии для поляризации и деполяризации при различных по величине электрических полях и температурах. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 99-02-17303).

Исследовано влияние легирования кристаллов SrxBa1-xNb2O6 при x=0.61 (SBN-0.61) примесями редкоземельных элементов (RE). Показано, что в согласии с уже имеющимися в литературе данными введение всех RE сопровождается значительным снижением температуры фазового перехода Tp и увеличением его размытия. Смещение Tp для некоторых RE достигает 20o на 1at.% примеси в кристалле. В результате снижения Tp значительно возрастают величины диэлектрической проницаемости, пьезо- и электрооптических коэффициентов, что экспериментально установлено в кристаллах SBN-0.61 : Yb, SBN-0.61 : Ce, SBN-0.61 : Tm, SBN-0.61 : Tm, SBN-0.61 : (Ce + La). Тем самым легирование RE является способом оптимизации свойств SBN. Впервые исследовано импульсное переключение кристаллов SBN-0.61 и SBN-0.61 : RE. Обнаружен ряд особенностей переключения, главной из которых является уменьшение переключаемого заряда после приложения внешних полей. Предполагается, что этот эффект, связанный со спецификой переключения релаксорного сегнетоэлектрика, является одной из причин нестабильности параметров SBN. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 98-02-16384 и 00-02-16624).

В монокристаллических пленках гранатов системы YBiFeGa с перпендикулярной магнитной анизотропией исследовано движение доменной границы в присутствии постоянного поля Hp, параллельного плоскости пленки и плоскости границы, при приложении импульса продвигающего поля Hg, соответствующего нелинейной области зависимости скорости границы от величины Hg. Подтверждены полученные ранее данные о существовании начальной фазы движения, когда стенка разгоняется до большой мгновенной скорости. Показано влияние поля Hp и длительности фронта импульса продвигающего поля на поведение стенки в начальной фазе. Рассмотрен возможный механизм преобразования структуры стенки после приложения импульса Hg. Установлено, что зависимость скорости стенки в области насыщения от величины Hp не согласуется с выводами теории. Работа выполнена в рамках проекта N 00-02-16945 Российского фонда фундаментальных исследований и гранта N 00-15-96757 поддержки ведущих научных школ.

На примере кристалла ниобата бария--стронция, легированного Cr, экспериментально показано, что специфические для релаксорного сегнетоэлектрика аномалии инфранизкочастотных диэлектрических свойств существуют во всей температурной области размытого фазового перехода и постепенно уменьшаются при повышении температуры. Приводятся данные регистрации аномальных квазистатических петель диэлектрического гистерезиса, медленной кинетики поляризации и аномально широких спектров распределения потенциальных барьеров по энергии. Аномалии являются признаками и количественной мерой характерного для релаксора структурного беспорядка. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17303 и 00-02-16624).

Изучались закономерности изменения температурной кинетики мартенситных превращений и скорость радиационного повреждения в сплавах TiNi при облучении нейтронами реактора. Облучение производили при температурах 120 и 335 K. В процессе облучения непрерывно измеряли электрическое сопротивление образцов сплава и производили термоциклирование через интервал мартенситных переходов. Показано, что температуры превращений в сплаве TiNi с разным темпом снижаются по мере увеличения флюенса. Электросопротивление независимо от температуры облучения линейно возрастает с флюенсом нейтронов до дозы 6.7· 1018 cm-2. Отклонение от линейной зависимости имеет место только в том случае, когда облучение инициирует изменение фазового состояния сплава. Скорость возрастания электросопротивления слабо зависит от температуры облучения. В мартенсите она в 2-4 раза больше, чем в аустените. Обсуждаются механизмы радиационной модификации структуры сплавов TiNi, объясняющие полученные экспериментальные данные. Работа выполнена при содействии государственной программы "Нейтронные исследования конденсированного состояния" (контракт N 107) и Программы поддержки ведущих научных школ (гранты Российского фонда фундаментальных исследований N 00-15-96027 и 00-15-96023).