Разработан плазменный прерыватель тока, запитываемый от спирального взрывомагнитного генератора. Плазменный слой с аксиальной длиной ~ 4 cm и плотностью электронов ~ 1017 cm-3 формируется в межэлектродном промежутке прерывателя шестью коаксиальными газоплазменными инжекторами. В серии взрывных экспериментов показано, что разработанная система позволяет изучать работу разработанного прерывателя при токах ~ 2 MA.

Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронной микродифракции установлено, что при растворении кремния в расплавленном алюминии формируется значительное количество кремниевых сферических частиц нанометровых размеров (от нескольких десятков nm до 1.5 nm). При растворении полученных кремниевых частиц в толуоле раствор приобретает бледно-розовую окраску и коэффициент пропускания на длине волны 300 nm уменьшается в пять раз. При этом в растворе толуола обнаружено большое количество одинаковых по размеру кремниевых сферических частиц диаметром 1.5 nm.

Рассчитана растворимость газов в однородно деформированных кристаллах с ОЦК решеткой. В результате деформации междоузлия, занимаемые внедренными атомами, становятся неэквивалентными. Это приводит к изменению температурной зависимости растворимости. Влияние деформации существенно зависит от знака энергии взаимодействия vAC растворенных атомов с атомами кристалла. При упругом одноосном растяжении растворимость линейно уменьшается с деформацией при vAC>0, при vAC

Прохождение быстрых тяжелых ионов через вещество сопровождается сильным возбуждением электронной подсистемы материала. Последующая релаксация этого возбуждения приводит к значительному кратковременному (

Энергия, теряемая быстрыми тяжелыми ионами (БТИ) в веществе, значительно возбуждает электронную подсистему материала, в то время как ионная подсистема первоначально остается практически невозмущенной. Последующая передача энергии от возбужденных электронов к атомам мишени может приводить к кратковременному локальному повышению температуры (термическая вспышка), которое может стимулировать фазовые переходы в наноразмерной области вблизи траектории пролетающей частицы. Исследуется возможность зарождения наноостровков в области таких вспышек на поверхности материалов облучаемых БТИ. Предполагается, что наноостровки могут появиться при условиях, когда характерное время зарождения становится меньше времени остывания области вспышки. Показано, что область, соответствующая максимуму скорости зарождения, может оказаться смещенной относительно центра вспышки. Это может привести к появлению кольцевого распределения зародышей наноостровков вблизи траектории БТИ.

Проведено сравнительное исследование влияния мощного импульсного лазерного излучения на морфологию и полевую эмиссию электронов для пленок, состоящих из наноразмерных кристаллитов графита. Пленки получались методом газофазного осаждения из активированной разрядом постоянного тока смеси водорода и метана. Под воздействием импульсного лазерного излучения происходило частичное испарение материала пленок. Определены пороговые плотности мощности лазерного излучения, при которых происходят изменения эмиссионных характеристик и модификация геометрии поверхности катодов. Показано отсутствие прямой корреляции морфологических и эмиссионных характеристик.

Представлены результаты экспериментальных исследований эффективности преобразования мощного импульсного лазерного излучения в электрический сигнал за счет эффекта оптического выпрямления в нанографитных пленках. Обнаружено, что амплитуда сигнала существенно зависит от размеров пленки, а также длины и взаимного расположения электродов, используемых для его измерения. Показано, что максимальная чувствительность фотоприемника (ФП), состоящего из пленки с электродами и работающего без внешнего источника питания и дополнительных навесных элементов, достигается при размерах пленки, сравнимых с диаметром пучка лазера и составляет более 500 mV/MW на длине волны 1064 nm. Исследована чувствительность такого фотоприемника при перемещении пучка наносекундного импульсного лазера по поверхности пленки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Обнаружено возрастание локальной чувствительности вблизи свободных краев ФП. Показано, что ФП из нанографитной пленки и аналогичный ФП из полированной кремниевой пластины имеют принципиально различные характеристики. PACS: 85.60.Gz

В феррит-гранатовой пленке системы (YSmCa)3(FeGe)5O12 с ориентацией типа (111) исследована зависимость скорости доменной стенки от амплитуды импульсов продвигающего магнитного поля. Полученные результаты проанализированы с точки зрения существующей теории. На зависимости наблюдался максимум, отвечающий срыву стационарного движения. После срыва скорость вначале резко уменьшается, а затем возрастает; предполагается, что на этом участке в стенке происходит процесс периодического возбуждения, смещения и аннигиляции горизонтальных линий Блоха. Для области насыщения скорости получены данные, подтверждающие предложенную ранее эмпирическую формулу и теоретическуя модель, согласно которой режиму насыщения отвечает состояние хаоса.

В монокристаллических пленках гранатов системы YBiFeGa с перпендикулярной магнитной анизотропией и узкой линией ферромагнитного резонанса исследована зависимость подвижности доменной стенки от величины постоянного магнитного поля, приложенного в плоскости образца. Показано, что, как и в случае монокристаллов YIG с кубической магнитной анизотропией, при движении стенки имеется дополнительный вклад в потери энергии, значительно превышающий релятивистский вклад, существующий и при однородной намагниченности. Установлено, что предложенный недавно в теории механизм не дает правильного объяснения этого дополнительного вклада, так как имеются не только количественные, но и качественные расхождения между выводами теории и данными измерений.

Рассматривается влияние на электронный спектр почти ферромагнитного полупроводника FeSi динамических нулевых и тепловых флуктуаций спиновой плотности (ФСП). Показано, что нулевые ФСП вблизи абсолютного нуля температур могут привести к такому расщеплению электроных состояний валентной зоны и зоны проводимости, при котором возникает "бесщелевое" основное состояние. Подавление с ростом температуры нулевых флуктуаций обусловливает восстановление запрещенной зоны в спектре d-электронов, а увеличение амплитуды тепловых спиновых флуктуаций вновь приводит к ее исчезновению. Эти особенности трансформации электронного спектра также являются причиной аномальных температурных изменений магнитной восприимчивости, наблюдаемых в эксперименте.