Фридкин В.М., Горелов И.М., Греков А.В., Ляховицкая В.А., Родин А.И.. Граница фаз в сегнетоэлектрике SbSi как аналог электрического домена в полупроводнике // Письма в ЖЭТФ, том 4, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Акимченко И.П., Вавилов В.С., Дымова Н.Н., Краснопевцев В.В., Родина А.А,, Уткин-Эдин Д.П.. Подавление эффекта Стеблера - Вронского в аморфном гидрогенизированном кремнии при ионной имплантации галлия и мышьяка // Письма в ЖЭТФ, том 33, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Фридкин В М., Лазарев В.Г., Левин Ю.Э., Родин А.И.. Холл-эффект для объемного фотовольтаического тока в пьезо-электрике ZnS // Письма в ЖЭТФ, том 38, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Греков А.А., Казакова В.В., Родин А.И., Стыценко Е.В., Фридкин В.М.,Червогобродов С.П.. Четный по полю ток в сегнетоэлектрике SbSI // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Для широкозонных полупроводников, таких как GaN, рассчитаны спин-орбитальное расщепление, константы деформационного потенциала и величина g-фактора основного состояния акцепторного центра, описываемого суперпозицией кулоновского потенциала и потенциала центральной ячейки. Получены аналитические выражения для этих параметров в модели потенциала нулевого радиуса, зависящие только от соотношения масс легкой и тяжелой дырок. Показано, что отличия в значениях этих параметров для предельных случаев чисто кулоновского потенциала и потенциала нулевого радиуса не превосходят 7%, что позволяет использовать для оценок простые аналитические формулы. Для основного состояния акцепторного центра в гексагональной модификации GaN теоретический расчет приводит к резкой анизотропии g-фактора, в то время как результаты экспериментальных измерений дают практически изотропное значение g, близкое к величине g фактора свободного электрона. Это противоречие снимается, если в окрестности акцепторного центра возникает перпендикулярная оси C6 кристалла спонтанная деформация, обусловленная эффектом Яна--Теллера.

На основании исследований изменения спектров фотолюминесценции объемных кристаллов GaN, легированных Eu, показано, что в зависимости от суммарной концентрации дефектов в исходной полупроводниковой матрице легирующая примесь может находиться в кристалле в различном зарядовом состоянии. В кристаллах с наименьшей концентрацией дефектов с мелкими уровнями реализуется лишь одно зарядовое состояние иона --- Eu3+. Обнаружено, что при увеличении концентрации таких дефектов Eu в матрице GaN может существовать в двух зарядовых состояниях --- Eu2+ и Eu3+. Наблюдался эффект геттерирования дефектов исходной матрицы GaN редкоземельной примесью.

Исследовались кристаллы GaN, полученные методами МОС-гидридного и газофазного эпитаксиального роста в открытой хлоридной системе. Тулий вводился с помощью диффузии. Показано, что в полупроводниковой матрице GaN редкоземельный ион Tm играет роль акцептора при наличии в нелегированных кристаллах дефектов, образующих глубокие уровни. Наблюдались внутрицентровые f-f-переходы, характерные для Tm в коротковолновой и длинноволновой областях спектра. Интенсивность излучения в коротковолновой области спектра больше в кристаллах, полученных методом газофазного эпитаксиального роста в открытой хлоридной системе. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

Рассматривается поперечная устойчивость фронта ударной ионизации в кремниевой p+-n-n+-структуре большой площади. Предложена аналитическая модель, обеспечивающая совместное движение фронта ионизации и процесса вытеснения основных носителей из необедненной части n-базы. Исследована устойчивость плоского фронта, вычислены инкременты нарастания и указаны физические механизмы неустойчивости. Сформулирован критерий квазиустойчивого распространения волны.

Дана оценка порогового значения скорости роста напряжения на обратно смещенной диодной структуре, необходимого для возбуждения в ней фронта ударной ионизации, распространяющегося с большей скоростью, чем насыщенные дрейфовые скорости носителей.

Легирование нитрида галлия (GaN) примесями Eu, Sm, Er производилось с помощью метода диффузии. Поведение редкоземельных примесей (образование донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне GaN) коррелирует с суммарной концентрацией дефектов, определяемых оптическими методами измерений, положением уровня Ферми в исходных и легированных кристаллах. Интенсивность линий излучения, характерных для внутрицентровых f\kern-1pt-\kern-0.5ptf-переходов редкоземельных ионов, определяется суммарной концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице.