Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (EF), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1 eV при толщине 4-QP пленок 8-10 nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное расстояние между атомами углерода соседних 4-QP молекул было выбрано 0.4 nm для того, чтобы было возможно полагать межмолекулярное взаимодействие достаточно слабым. Такое межмолекулярное взаимодействие также характерно для неупорядоченных пленок 4-QP, исследованных экспериментально. Было обнаружено хорошее соответствие между DOUS пленок 4-QP, полученной экспериментально на основе TCS измерений, и DOUS пленок 4-QP, рассчитанной теоретически. PACS: 73.21.-b

Проведено аналитическое исследование стационарных локализованных состояний нелинейных волн, распространяющихся в фокусирующей среде вдоль двух плоскопараллельных, отталкивающих волновой поток интерфейсов. Установлена возможность локализации нелинейного волнового пучка в области между такими интерфейсами.

Исследовано влияние пространственной структуры интерфейса в многослойных металлических пленках на форму спектра зеркального рассеяния рентгеновского излучения. Рассмотрено два типа структурных дефектов на интерфейсе --- ступеньки, приводящие к переменной толщине слоев, и перемешивание атомов разных металлов в процессе эпитаксиального роста. Показано, что эти механизмы по-разному проявляются в спектрах зеркального рассеяния. Вследствие перемешивания заметно снижаются высоты брэгговских пиков, особенно высоких порядков. Шероховатости интерфейса приводят к уширению брэгговских пиков и исчезновению промежуточных пиков между ними. Работа частично поддержана грантами ИНТАС 01-0386, 03-51-4778 и Российского фонда фундаментальных исследований 04-02-16024. PACS: 73.21.Ac, 78.70.Ck

Разработан метод определения плотности ловушек на интерфейсах металл/сегнетоэлектрик полностью истощенной сегнетоэлектрической пленки с двумя барьерами Шоттки. Метод основан на перезарядке ловушек, индуцированной импульсом внешнего смещения. Определен диапазон смещений и параметров структуры металл/сегнетоэлектрик/металл, для которого возможно аналитическое решение уравнения Пуассона. С помощью этого метода из измерений переходного тока определена плотность заряда ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) конденсаторов. Величина интерфейсного заряда, оцененная из плотности ловушек, оказалась значительно меньше остаточной поляризации PZT пленки. Наблюдаемое соответствие между симметрией интерфейсных зарядов ловушек и симметрией гистерезисных петель и токов переключения указывает на объективность оценки плотности ловушек, определяемой с помощью развитого метода. Работа была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology, программами Фундаментальных исследований Президиума РАН \glqq Незкоразмерные квантовые структуры\grqq, РАН \glqq Физика конденсированных сред\grqq и грантом РФФИ-НШ N 758.2003.2. PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 73.20.At

Теоретически изучена локализация двумерных электронно-дырочных комплексов на потенциале притяжения произвольной формы. Предложен общий метод построения простых и наглядных вариационных функций для вычисления энергии связи основного состояния таких комплексов. Проанализированы предельные случаи, соответствующие различным соотношениям между параметрами, характеризующими изучаемую систему. Разработанный метод проиллюстрирован конкретными расчетами для экситона в двумерной квантовой яме с дополнительным латеральным потенциалом. PACS:73.21.Hb, 71.35.Gg

Микулич Л.и. Разработка пользовательских интеллектуальных интерфейсов для экспериментальных и производственных систем // Научная сессия МИФИ-1999. Т.7 Информатика и компьютерные системы. Информационные технологии. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программного обеспечения. Банки данных и анализ данных, стр. 139-140

Квасников А.в. Интерфейс соединения анализатора с компьютером // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 103-104

Бочаров Ю.и. Особенности построения БИС аналого-цифровых интерфейсов устройств мобильной связи // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.6 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 99-100

Никитаев В.г., Проничев А.н. Принципы человеко-машинного интерфейса в автоматизированных системах промышленного металлографического контроля // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 201-202

Кушнир Т.с., Эйсымонт Л.к. Функциональные возможности и эффективность интерфейсов программирования нижнего уровня SCI кластеров // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 184-185