Найдено научных статей и публикаций: 44   
11.

О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi0.88Sb0.12     

Алиев С.А., Мовсум-заде А.А., Рагимов С.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведены экспериментальные исследования термомагнитных эффектов Маджи--Риги--Ледюка, Риги--Ледюка и Нернста--Эттингсгаузена для трех образцов твердого раствора Bi0.88Sb0.12, легированных теллуром от0.01 до0.2 ат% в температурном интервале20-230 K. Посредством экспериментальных значенийvarkappae и термомагнитных эффектов вычисленоL(T). Обнаружено, что в интервале40-220 K Lexp меньше его зоммерфельдовского значенияL0. Сопоставление L(T) с существующей теорией показало, что заниженное значениеL обусловлено неупругим межэлектронным взаимодействием.
12.

О процессах захвата неосновных носителей тока в CdxHg1-xTe n-типа при низких температурах     

Гасан-заде С.Г., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В кристаллах CdxHg1-xTe n-типа измерены фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект в условиях однооосной упругой деформации. Показано, что рост времени жизни носителей тока в низкотемпературном диапазоне (T
13.

Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта вCdxHg1-xTe p-типа проводимости     

Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
В кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.30) p-типа в температурном диапазоне вымораживания дырок на акцепторные состояния (T
14.

Активационная проводимость и переход металл--диэлектрик в примесной зоне легированных кристаллов узкощелевого p-Hg1-xCdxTe     

Богобоящий В.В., Гасан-заде С.Г., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Переход металл-диэлектрик и прыжковая проводимость исследованы в легированных медью кристаллах узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe в широком диапазоне температур, составов x и концентраций примеси. Показано, что в отличие от широкозонных полупроводников характерный размер волновой функции мелкого акцептора, ответственный за прыжковый механизм проводимости, определяется эффективной массой тяжелой, а не легкой дырки. Установлено наличие низкотемпературной varepsilon2-проводимости по делокализованным состояниям положительно заряженных акцепторов вблизи перехода металл--диэлектрик.
15.

Дальнее инфракрасное стимулированное и спонтанное излучение в одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe     

Венгер Е.Ф., Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Старый С.В., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
В одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe (x=0.10/ 0.14) в условиях ударной ионизации электрическим полем обнаружено вынужденное излучение в диапазоне 80-100 мкм. Скачок излучения происходит при пороговых значениях упругой деформации и электрического напряжения и сопровождается скачком тока в образце. Получены также полевые и деформационные зависимости интенсивности спонтанного излучения. Предложен механизм наблюдаемого эффекта с учетом трансформации энергетических зон и примесных акцепторных уровней направленной упругой деформацией.
16.

Низкотемпературные особенности фотоэлектрических свойств кристаллов CdxHg1-xTe с дырочнойпроводимостью: влияние вымораживания дырок и упругого напряжения     

Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Измерены температурные и деформационные зависимости фотопроводимости, фотоэлектромагнитного эффекта, а также темновой электрической проводимости и коэффициента Холла в p-CdxHg1-xTe c cоставом x~ 0.20-0.22 при низких температурах. Показано, что рекомбинационные переходы в температурном диапазоне T
17.

Повышение квантового выхода инфракрасного излучения вузкощелевых полупроводниках вупругонапряженном состоянии     

Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Старый С.В., Шепельский Г.А., Бойко В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной в упругонапряженном состоянии темп межзонной излучательной рекомбинации за счет трансформации валентной зоны увеличивается. Сдругой стороны, интенсивность межзонных безызлучательных переходов (оже-рекомбинация) при этом резко ослабляется. Врезультате квантовый выход инфракрасного излучения в области межзонных переходов может быть существенно повышен и, как показывает расчет, в пределе стремится к значениям, близким к единице. Экспериментальные результаты получены на кристаллах антимонида индия в условиях сильного возбуждения.
18.

Электрическая активность дислокаций иточечных дефектов деформационного происхождения вкристаллах CdxHg1-xTe     

Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). Вкристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. Вкристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента ХоллаRH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.
19.

Возникновение права и источники права древней японии (публикация автора на scipeople)   

Суровень Д.А. - Проблемы курса истории государства и права. Екатеринбург: Изд-во УрГЮА, 2004. С.198-226. , 2004
Возникновение права и развитие источников права древней Японии
20.

Эхо звезды полей (публикация автора на scipeople)     

Сигачёв А.А. - Стихи.ру , 2011
В последние периоды жизни Николая Рубцова его судьба пересеклась с «поэтессой» Людмилой Дербиной-Грановской, их духовно-поэтическое противостояние оказалось для него роковым, - он был зверски её убит. Весьма показательно, что после этого жестокого убийства взошедшей звезды русской поэзии Николая Рубцова, - в Германии была издана книга «Русская душа. Сборник поэзии и прозы современных писательниц русской провинции» (Frauen Literaturgeschichte. Texte und Materialien zur russischen Frauenliteratur, Band). Редактор-составитель Г.Г. Скворцова-Акбулатова. Издательство Verlag F.K. Goupfert – Wilhelmshorst, 1995).