Найдено научных статей и публикаций: 525   
181.

Моделирование влияния радиуса иглы на чувствительность атомно-силового микроскопа     

Покропивный А.В., Покропивный В.В., Скороход В.В. - Журнал Технической Физики , 1997
Методом компьютерного моделирования впервые получено изображение изосиловой поверхности с дефектом в атомно-силовом микроскопе. Детально исследована зависимость компьютерного изображения поверхностной пентавакансии от радиуса острия. Показано, что разрешающая способность повышается с уменьшением радиуса острия.
182.

Особенности развития тепловой неустойчивости в тонкой высокотемпературной сверхпроводящей пленке с транспортным током     

Бузников Н.А., Пухов А.А., Скоков В.Н. - Журнал Технической Физики , 1997
Экспериментально и теоретически исследовано распространение нормальной фазы по высокотемпературной сверхпроводящей пленке с транспортным током. Показано, что учет влияния подложки на развитие тепловой неустойчивости в пленке позволяет удовлетворительно описать экспериментальные данные.
183.

Влияние электронного облучения вакуумного резиста NOVER-1 на его стойкость к ионно-лучевому травлению     

Коваль Ю.И., Петрашов В.Т. - Журнал Технической Физики , 1998
Было изучено влияние облучения электронами на стойкость резиста NOVER-1 к ионно-лучевому травлению. Для травления использовались ионы Ar с энергиями от 300 до 2500 eV. Было обнаружено, что в зависимости от энергии ионов и угла их падения на поверхность резиста электронное облучение может приводить как к ускорению, так и к замедлению травления NOVER-1. Наблюдается четкая корреляция между глубиной проникновения ионов в резист и характером влияния облучения электронами на стойкость резиста к травлению. При энергии ионов больше 500 eV (глубина проникновения ионов >~=3.5 nm) стойкость уменьшается, при небольших дозах электронного облучения проходит через минимум и возвращается к скорости травления исходного резиста при больших дозах электронного облучения. При скользящих углах травления (~70o к нормали поверхности) и малой энергии ионов (300 eV), т. е. при малой глубине проникновения ионов (=<sssim2.5 nm), облученный электронами резист травится медленнее исходного во всем диапазоне исследованных доз электронного облучения. Этот эффект может быть использован для структур в резисте с высотой больше ширины с целью увеличения их стойкости, которая в данном случае определяется преимущественно скоростью травления наклонных фасеток.
184.

Совместные колебания двухслойной жидкости и массивного штампа в бесконечном волноводе     

Абрамян А.К., Алексеев В.В., Индейцев Д.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Показано, что в волноводе, представляющим собой канал бесконечной протяженности, заполненный двухслойной тяжелой жидкостью со свободной поверхностью, наряду с бегущими волнами могут существовать нераспространяющиеся волны (ловушечные моды колебаний). Эти волны локализуются в области динамического включения --- массивного штампа на дне канала. Возникновение таких волн обусловлено наличием вещественного дискретного спектра собственных частот колебаний, который располагается на оси непрерывного спектра, соответствующего расходящимся волнам в жидкости. Для случаев близких плотностей жидкостей в волноводе найдена связь между геометрическими параметрами канала, характеристиками жидкости и массой штампа, при которых такой спектр существует.
185.

О характеристиках минимального изнашивания при граничном трении твердых тел     

Козырев Ю.П., Гинзбург Б.М. - Журнал Технической Физики , 1998
Для характеристики граничного трения твердых тел предложен новый параметр Q --- вероятность того, что любое данное пятно касания превратится в частицы износа при сдвиге фактической площади контакта на средний диаметр пятна касания. Предложена методика феноменелогической регистрации оптимальных режимов граничного трения, характеризуемых минимальной интенсивностью изнашивания материала образца и соответствующей величиной Q=Qopt. Определена величина Qopt (~ 2· 10-10) для одного из наиболее антифрикционных материалов --- баббита. При наличии данных о линейной интенсивности изнашивания Ih, контактном давлении pn и твердости H можно вычислить Q для данных условий испытаний. Отклонения Q от значений Qopt (для данного материала) могут служить критерием приближенности достигнутой структуры поверхности к оптимальной.
186.

Об образовании релятивистских позитронных систем путем осевого каналирования позитронов в ионных кристаллах     

Геворкян А.С., Григорян А.Г., Мкртчян А.Р., Тонеян А.Г. - Журнал Технической Физики , 1998
Построено аналитическое выражение для эффективного потенциала взаимодействия быстрой заряженной частицы с ионным кристаллом типа CsCl в зависимости от температуры среды с учетом дальнего порядка. С помощью численного анализа показано, что в кристаллах этой структуры вдоль оси <100> отрицательно заряженных ионов существует реальная возможность осевого сверхканалирования позитронов. Подробно исследованы волновая функция и энергетический спектр локализованного состояния, проанализирована возможность образования метастабильных двумерных релятивистских позитронных систем.
187.

Формирование пучков рентгеновского излучения с помощью конусообразного микрокапилляра     

Дудчик Ю.И., Комаров Ф.Ф., Константинов Я.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Исследована возможность получения микропучков рентгеновского излучения заданной интенсивности с помощью системы, содержащей рентгеновскую трубку с прострельным анодом и конусообразный стеклянный микрокапилляр.
188.

Параметрическое взаимодействие объемных магнитостатических волн в пленке феррита с пространственно-временной модуляцией магнитного поля     

Попков А.Ф., Фетисов Ю.К., Островский Н.В. - Журнал Технической Физики , 1998
Теоретически анализируются и сравниваются с экспериментом эффекты резонансного брэгговского рассеяния обратных объемных магнитостатических волн на преиодической меандровой проводящей структуре с переменным током. Показано, что в отличие от статической динамическая решетка вызывает частотное смещение рассеянной волны. Предлагается использовать исследованное явление для эффективного управляемого межмодового преобразования магнитостатических волн.
189.

К решению плоских задач теории упругости о действии сил лоренца на проводники с однородным током     

Девяткин Е.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Показано, что при решении первой основной задачи линейной теории упругости о действии сил Лоренца на длинный проводник с однородным продольным током при неизвестном априори распределении магнитного поля задача может быть сведена к решению однородных уравнений.
190.

Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах     

Ильичев Э.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Обсуждается оригинальный неразрушающий метод локальной диагностики глубоких уровней (РОСГУ) в полуизолирующих материалах, основанный на бесконтактной регистрации процессов релаксации электронно-дырочной и ловушечной систем. Он позволяет определять тип, энергию и сечение захвата глубоких энергетических центров, а также устанавливать их распределение по пластине. Метод РОСГУ эффективен для входного, межоперационного и выходного контроля подложек и арсенидгаллиевых структур и в отличие от DLTS не нуждается в изготовлении на образцах измерительных электродов.