Найдено научных статей и публикаций: 525   
191.

Магнетронное напыление при повышенных давлениях: процессы в газовой среде     

Знаменский А.Г., Марченко В.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Термализация эмиттированных мишенью энергичных атомов при давлениях до 100 Pa приводит к нагреву и движению газовой среды. В зависимости от параметров магнетронного разряда измерены температура и скорость движения газа. Представлены зависимости скорости осаждения, профиля толщины и структуры пленок от давления и мощности разряда. Показано, что они хорошо описываются простой диффузионной моделью транспорта термализованных атомов мишени, учитывающей движение и нагрев газовой среды.
192.

Механизмы и кинетика начальных стадий роста пленок, выращиваемых методом химического газофазного осаждения     

Григорьев Д.А., Кукушкин С.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Исследуются начальные стадии роста пленок и покрытий методом химического газофазного осаждения. Получена система уравнений, описывающая процесс эволюции островковой пленки на стадии оствальдовского созревания в условиях, характерных для процесса газофазного осаждения. Решение данной системы позволило получить зависимости всех основных характеристик островковой пленки (функцию распределения островков по размерам, зависимости среднего радиуса и плотности островков) как функции времени и пространственной координаты. Даны рекомендации по получению пленок с заранее заданными свойствами.
193.

Анализ условий сверхглубокого проникания порошковых частиц в металлическую матрицу     

Алексенцева С.Е., Кривченко А.Л. - Журнал Технической Физики , 1998
Рассматриваются критические условия существования процесса сверхглубокого проникания частиц при взаимодействии потока высокоскоростных частиц с материалом матрицы с позиции неравновесной термодинамики. На примере алюминиевых и медных образцов качественно решена задача об изменении энтропии в соответствии с величиной их деформации в процессе нагружения. Показано, что сверхглубокое проникание частиц является системным процессом массоэнергообмена за счет развитой неустойчивости в материале, вызванной ударно-волновым воздействием потока частиц. Степень неравновесности процесса описывается зависимостью изменения энтропии от деформации материала матрицы. Выявлено, что процесс сверхглубокого проникания частиц осуществляется только в области, лежащей за точкой бифуркации.
194.

Напряженное состояние матрицы и включения из скрученного многожильного сверхпроводника с нормально проводящей центральной областью при взаимодействии продольного тока с поперечным магнитным полем     

Девяткин Е.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Рассмотрено напряженное состояние бесконечной матрицы и "впаянного" в нее длинного цилиндрического включения из скрученного многожильного композитного сверхпроводника с центральной областью из нормального металла, обусловленное взаимодействием продольной составляющей транспортного тока с внешним однородным магнитным полем. Показано, что для расчета макроскопических напряжений в NbTi--Cu проводе, помещенном в эпоксидную матрицу, может использоваться приближение однородного провода с усредненными упругими свойствами.
195.

Динамические и фрактальные свойства стали СП-28 в условиях высокоскоростного нагружения     

Барахтин Б.К., Мещеряков Ю.И., Савенков Г.Г. - Журнал Технической Физики , 1998
Используя интерферометрическую методику регистрации скорости свободной поверхности мишени при плоском ударном нагружении, в работе экспериментально показано, что уменьшение амплитуды импульса сжатия обусловлено нестационарностью процессов на мезоуровне --- уменьшение амплитуды тем больше, чем больше скорость изменения дисперсии скорости мезочастиц. Теоретически показано, что влияние скорости нагружения на величину откольной прочности материала при плоском соударении сказывается только при ненулевой дисперсии скорости частиц. Методами количественной фрактографии проведен фрактальный анализ откольных поверхностей стальных образцов. Получено выражение, связывающее фрактальную размерность поверхности откольного разрушения с величиной дисперсии скорости частиц на мезоуровне. Для типичных значений параметров импульса нагрузки, при которых реализуется тыльный откол, значение фрактальной размерности удовлетворительно согласуется со значениями фрактальной размерности для триадных островков Коха.
196.

Линейное межмодовое преобразование энергии электромагнитных волн в гиротропном магнитомягком материале     

Антонов А.С., Лагарьков А.Н., Якубов И.Т. - Журнал Технической Физики , 1999
Возбуждение высокочастотной аксиальной магнитной индукции аксиальным высокочастотным током наблюдалось в проводнике с циркулярной магнитной анизотропией при наложении слабого подмагничивающего поля. Проводником являлась аморфная проволока на основе кобальта, обладающая азимутальной магнитной анизотропией. Она служила центральным проводником коаксиальной линии. Высокочастотная аксиальная магнитная индукция вызывала эдс в катушке индуктивности, соосной с проводником. Катушка индуктивности включалась в согласованный приемный тракт. Коэффициент преобразования по мощности достигал десятков процентов. Измерения показали высокую чувствительность коэффициента преобразования к внешнему полю. Теория ферромагнитного резонанса хорошо описывает результаты наблюдений.
197.

Полное внутреннее отражение гауссова светового пучка     

Кухарчик П.Д., Сердюк В.М., Титовицкий И.А. - Журнал Технической Физики , 1999
На основе применения интеграла Фурье построена приближенная теоретическая модель расчета полей отражения и преломления гауссова светового пучка на плоской границе раздела двух изотропных сред. Вблизи критического угла падения данная модель предсказывает наличие двух преломленных пучков, один из которых смещен вдоль границы на величину сдвига Гооса--Хенхен, причем для каждого из них имеют место кривизна фазовых фронтов и несовпадение эффективных направлений распространения энергии и фазы, как в анизотропной среде.
198.

Микроволновой пробой высокотемпературной сверхпроводящей пленки, инициированный тепловыми возмущениями и дефектами     

Бузников Н.А., Пухов А.А. - Журнал Технической Физики , 1999
Теоретически исследовано влияние тепловых возмущений и несверхпроводящих дефектов на микроволновой пробой высокотемпературной сверхпроводящей пленки. Получена зависимость критической энергии тепловых возмущений от поверхностного микроволнового поля. Показано, что в широком интервале значений поверхностного микроволнового поля критическая энергия локальных возмущений меньше критической энергии пространственно протяженных возмущений. Установлено, что микроволновому пробою на дефектах может предшествовать стадия образования области нормальной фазы конечного размера, локализованной на дефекте. Исследовано влияние формы дефекта и его коэффициента поглощения на сценарий разрушения сверхпроводимости и поле микроволнового пробоя пленки на дефекте.
199.

Учет ненулевой объемной доли новой фазы в кинетике кристаллизации расплавов     

Коропов А.В., Кукушкин С.А., Григорьев Д.А. - Журнал Технической Физики , 1999
Исходя из приближения самосогласованного среднего поля получены выражения как для скорости роста зародышей с учетом экранировки тепловых потоков от выделенного зародыша, так и для длины экранировки тепловых потоков. Показано, что скорость роста зародыша зависит от степени кристаллизации расплава. Изучено влияние столкновения частиц, происходящего при их слиянии в поликристаллическое твердое тело на процесс кристаллизации расплава. Получена уточненная функция распределения по размерам на стадии теплового оствальдовского созревания.
200.

Резонансные колебания упругой мембраны на дне бассейна с тяжелой жидкостью     

Алексеев В.В., Индейцев Д.А., Мочалова Ю.А. - Журнал Технической Физики , 1999
Исследуются резонансные моды колебаний в трехмерном канале со свободной поверхностью, заполненном тяжелой несжимаемой жидкостью, содержащем на дне упругую мембрану. Показано, что при определенных соотношениях параметров канала и включения существует кроме непрерывного спектра частот колебаний дискретный спектр, который располагается только до граничной частоты волновода. При этом формы колебаний жидкости носят локализованный характер в области включения.