Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомовIn. Сдругой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1--- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2--- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3--- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4--- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c

Рассмотрена тепловая модель светодиода с InGaN/GaN-квантовой ямой в активной области. Исследовано влияние температуры и рабочих токов светодиода, а также размера и материала радиатора на выход света и эффективность голубого светодиода. Показано, что при оптимальном теплоотводе уменьшение эффективности светодиода с ростом тока накачки до100 мА связано с влиянием электрического поля на эффективность инжекции носителей заряда в квантовую яму. При дальнейшем росте тока до400 мА причиной снижения эффективности является джоулев нагрев. Показано, что рабочие токи светодиодов можно увеличить в 5--7раз при оптимальном отводе тепла. Даны рекомендации по охлаждению светодиодов в зависимости от их мощности. PACS: 85.60.Jb, 85.35.Be, 78.67.De

Математическая модель гидравлического режима реки с каскадом гидроузлов: Автореф.дис. ...канд.техн.наук:05.23.07 / Н. Д. Бурланков; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2001. - 20с.

Обоснование комплексных мероприятий по обеспечению теплового режима зданий массовой застройки : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.23.03 / А. А. Шевченко ; Нижегор. гос. архитектур.-строит. ун-т. - Н. Новгород, 2004. - 16с.

Степанов А.а., Васильев И.н., Головков И.н., Михеев Е.н., Озеркин Д.в., Гаус П.о. Проект: "Автоматизированная система контроля и управления режимами технологических линий на предприятиях пищевой промышленности" // Научная сессия МИФИ-1998. Т.7 Студенческие идеи, проекты, предложения, стр. 23-31

Костин Д.в. Призматическая бипериодическая ускоряющая структура для линейного электронного ускорителя непрерывного режима // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 39-42

Канцырев А., Кравцов Д., Галиев Р., Мануйлов А. Контроль за параметрами режимов установки при использовании высокочастотного факельного разряда // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 97

Жучкова М.а. Анализ режимов работы систем сублимационного обезвоживания // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 61-64

Бондаренко Г.б., Долгошеин Б.а., Ильин А.л., Попова Е.в., Бужан П.ж., Головин В.м., Кланнер Р. Новый тип кремниевого фотодетектора с гейгеровским режимом усиления // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 23-25

Пинегин А.а., Хромов В.в., Шишков Д.л., Шумский Б.е. Сравнение реактивностных аварий в маневренном и стационарном режимах работы реакторной установки // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 23-24