Реализован метод исследования спектра поверхностных состояний на границе раздела полупроводник--диэлектрик по релаксации напряжения на затворе МДП транзистора, измеряемого в режиме постоянного подпорогового тока. Предлагаемый метод обеспечивает возможность исследования этих состояний в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника и удобен для тестового контроля интегральных схем. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения радиационно-стимулированных изменений спектра поверхностных состояний.

Исследовано влияние длительной работы и температуры на спектральное распределение квантового выхода карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя. Обнаружен закономерный характер изменения спектра светодиодов в процессе их длительной работы. Выявлено значительное влияние самопоглощения и температурного сдвига полос на спектральное распределение температурного коэффициента излучения. Определены условия получения максимально стабильных светодиодов, которые возможно использовать в качестве образцовых излучателей для видимой области спектра.

На основе волнового подхода впервые получено точное дисперсионное уравнение для волноводных мод 4-слойной планарной структуры с экспоненциальным профилем диэлектрической проницаемости волноводного слоя. Установлена периодичность модовых характеристик от толщины покровного слоя. Исследуется зависимость распределения энергетических потоков различных мод в волноводной структуре от толщины покровного и волноводного слоев.

Цифровым методом дифференциально-термического анализа идентифицированы условия возникновения и существования переходных процессов при плавлении германия. Кооперативные эффекты пред- и постплавления, возникающие в реальных условиях в динамических и квазистатических режимах, являются неравновесными фазовыми переходами и могут характеризоваться системой термодинамических параметров. В результате динамической нестабильности в квазистатических режимах наблюдается нестабильность термодинамических параметров переходных процессов. Введенная система параметров характеризует образование особого фазового состояния --- мезофазы пред- и постплавления.

Рассмотрены промежуточные (между трех- и двумерными) неоднородные двухфазные проводящие пленки, размер которых вдоль пленки больше корреляционной длины, а поперек --- меньше. В рамках перколяционного подхода получены зависимости сопротивления в слабонелинейном случае от концентрации хорошо проводящих частиц, их размеров и толщины пленки.

На основе численного моделирования исследуется нестационарный квазипериодический процесс, вызванный падением импульса внешнего источника в набегающем потоке на стационарную картину сверхзвукового обтекания затупленной головной части тела.

Проведен расчет силы взаимодействия отклоненного в результате развития резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка с вихревыми потоками, генерируемыми в кольцевом плазменном канале конечной проводимости. Исследована зависимость указанной силы от значения омической проводимости кольцевого канала, а также от времени нарастания тока в импульсе пучка. Исследована сила взаимодействия между смещенным в результате развития ионной шланговой неустойчивости пучка и изображением отклоненного от оси системы ионного канала на стенке идеальнопроводящего волновода. Для случая нелинейной стадии развития неустойчивости получена зависимость указанной силы от амплитуд смещения пучка и ионного канала. Показано, что при больших отклонениях пучка и канала рассматриваемая сила может стать соизмеримой по величине с силой пучково-канального взаимодействия.

Исследовано влияние собственного магнитного поля релятивистского электронного пучка, распространяющегося в режиме ионной фокусировки, на поперечную динамику плазменных электронов. Для гауссовских радиальных профилей концентрации частиц пучка и ионного канала найдена максимальная амплитуда отклонения плазменных электронов в зависимости от коэффициента зарядовой нейтрализации, отношения характерного радиуса пучка к радиусу ионного канала и полного тока пучка.

Исследованы спектральные и энергетические параметры генерации лазера на кристалле изумруда. Проведено сравнение параметров генерации исследованного лазера с параметрами генерации лазера на кристалле александрита. Показано, что свободная генерация ионов хрома в кристалле изумруда в обычных условиях происходит в режиме незатухающих пульсаций интенсивности излучения, как и на других средах с ионами хрома.

Проведено теоретическое исследование режима масс-селективного нестабильного вывода ионов из терхмерной квадрупольной ионной ловушки. Развит метод отображений координат ионов за один период питающего ВЧ напряжения с учетом нелинейных искажений квадрупольного потенциала. Получены уравнения для огибающей колебаний ионов в виде уравнения движения материальной точки в поле эффективных сил. Объяснен эффект "задержки вывода" ионов при наличии отрицательных четных гармоник поля. Доказано, что положительные четные искажения квадрупольного потенциала благоприятствуют реализации данного режима, и изучена динамика ионов в процессе вывода.