При помощи H-теоремы Больцмана и вариационных методов найден асимптотический по времени вид радиального профиля плотности тока параксиального релятивистского электронного пучка, распространяющегося в рассеивающей газоплазменной среде вдоль постоянного внешнего магнитного поля и компенсирующего ионного фона. Показано, что в этом случае указанный радиальный профиль имеет гауссовский вид.

Проведен приближенный теоретический анализ бистабильного поведения простого резонатора на основе эффекта полного внутреннего отражения (ПВО). Предполагалось, что внутрирезонаторная среда является одновременно и поглощающей, и нелинейной. Найдено, что характеристики амплитудной бистабильности могут быть сравнимы с аналогичными характеристиками для более сложных ПВО структур, работающих в режиме туннельного возбуждения волноводной моды. Показана возможность сильной фазовой бистабильности в непоглощающих ПВО резонаторах и обсуждена возможность применения ПВО резонаторов для модуляции света.

В электростатическом пределе рассчитана сила взаимодействия между параксиальным релятивистским электронным пучком и предварительно созданным омическим плазменным каналом низкой проводимости. Для конкретных параметров релятивистского электронного пучка найдена зависимость указанной силы от значения проводимости канала и расстояния от фронта пучка при различных значениях скорости нарастания тока в пучке.

Рассматриваются экспериментальные зависимости динамической вязкости диэлектрических жидкостей от приложенного напряжения. Эксперимент примечателен отсутствием электрического тока через жидкость в ряде измерений, так как один из электродов изолирован от жидкости. Изменение вязкости жидких сред может быть следствием изменения структуры жидкости образования отличных от предшествующих молекулярно-ионных групп. Изменение механических свойств среды с изменением напряженности приложенного поля указывает на влияние на них зарядообразования. Рассматриваются зависимости для полярных и неполярных жидкостей.

Исследован эффект возбуждения ритмических токовых осцилляций в диодной ячейке с нематическим жидким кристаллом (НЖК). Внешнее электрическое поле в межэлектродном пространстве направлено параллельно поверхностям, ориентирующим молекулы НЖК. Токовые осцилляции сопровождаются образованием у катода автосолитона, его распространением и исчезновением у анода. Предложена гипотетическая модель, объясняющая токовую неустойчивость.

Исследован перенос водорода через напыленный слой бериллия методами водородопроницаемости и концентрационных импульсов. Слой бериллия наносился катодным распылением в плазме тлеющего разряда особочистого водрода на предварительно очищенную никелевую мембрану. Анализ экспериментальных данных показал, что основным лимитирующим процессом для переноса водорода является не диффузия в объеме слоя, а десорбция из него. Предлагается математическая модель переноса, по которой определяется константа скорости десорбции водорода из бериллия.

Исследованы характеристики ионного и электронного потоков на поверхность растущей пленки кремния в различных режимах высокочастотного разряда в силане при частотах 13.56 и 58 MHz в установке для плазмохимического осаждения пленок. Измерены энергетические спектры ионов и электронов, бомбардирующих растущую пленку. Исследованы электронные свойства пленок, выращенных при различной ионной бомбардировке. Обсуждается корреляция этих свойств с параметрами ионов в плазме высокочастотного разряда в процессе роста пленок.

Предлагается технология многократной записи голограмм на одном и том же участке тонких регистрирующих сред с использованием техники получения радужных голограмм. Показывается, что отдельные голограммы в этом случае могут быть восстановлены и считаны независимо друг от друга. Приводятся результаты экспериментов.

В прианодной области стратифицированного тлеющего разряда в неоне измерены пространственные профили потенциала и функции распределения электронов по энергиям. Обнаружено, что в некоторые моменты времени на пространственных профилях потенциала появляются потенциальные ямы небольшой глубины, примыкающие к аноду. Функции распределения, измеренные в потенциальных ямах, отличаются резко выраженным максимумом медленных электронов от функций распределения в тех фазах страт, где ямы отсутствуют. Проанализирован механизм формирования ФРЭ для запертых в потенциальной яме электронов. Экспериментально обнаружено и интерпретировано возмущающее действие анода на ФРЭ по мере приближения к аноду.

На основе использования кинетической теории переноса получены аналитические зависимости дозы поглощенного потока первичных частиц и дозы поглощенной энергии первичных частиц на различной глубине твердого тела конечной или полубесконечной толщины при облучении поверхности потоком ускоренных ионов (атомов) в направлении нормали к поверхности. Сравнение с опытом проводилось для твердотельных пленок кремния толщиной 50, 100 и 400 nm, облучаемых потоком ускоренных ионов бора с энергией 10 и 20 keV. Установленные закономерности были использованы для вычисления распределения вакансий по глубине, возникающих в твердом теле при облучении поверхности твердого тела потоком ускоренных ионов. Разработанная методика позволяет определить распределение вакансий по глубине, созданных потоком ускоренных электронов, нейтронов, квантов электромагнитного излучения.