Исследуются электронный транспорт и отклик в терагерцевом диапазоне в полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью. Особый интерес к таким транзисторам связан с возможностью создания на основе этих приборов приемников и генераторов, работающих в THz-диапазоне. Измерения величины и зависимости сопротивления сток-исток от магнитного поля используются для оценки электронной плотности и подвижности в канале транзистора. Результаты магнитотранспортных измерений используются для интерпретации наблюдаемого нерезонансного детектирования в транзисторах с шириной затвора от 0.8 до 2.5 mum.

Показано, что вследствие непараболичности зон в полупроводниковом материале с квантовыми ямами возможно внутризонное поглощение длинноволнового излучения за счет кулоновского взаимодействия электронов. Для предельных случаев невырожденного и сильно вырожденного двумерного электронного газа найдены аналитические выражения для коэффициентов поглощения. При больших концентрациях носителей рассматриваемое поглощение может оказаться более существенным, чем поглощение, обусловленное электрон-фононным взаимодействием.

Исследовано туннелирование электронов в гетероструктуре с одиночным легированным барьером. Анализ экспериментальных данных показал, что все особенности в туннельной проводимости связаны с туннелированием электронов между двумерными электронными слоями, которые возникают по разные стороны барьера вследствие ионизации примесей в барьере. При этом транспорт электронов между двумерными электронными слоями и трехмерными контактными областями не вносит существенных искажений в измеряемые туннельные характеристики. В таких структурах отсутствует ток вдоль двумерного электронного газа, который обычно затрудняет исследования туннелирования между двумерными электронными системами в магнитных полях.

Для низкоразмерных структур--- многократных квантовых ям PbTe / PbS, которые относятся к структурам IIтипа, рассчитаны подвижности электронов в слоях PbTe с учетом рассеяния электронов на продольных полярных оптических колебаниях решетки. Сравнение со значениями подвижностей электронов, полученными из исследований зависимостей коэффициента Холла и магнетосопротивления в нелегированных многократных квантовых ямах PbTe / PbS от величины напряженности магнитного поля, показало хорошее соответствие расчетных и экспериментальных результатов для этих структур.

Рассмотрен дрейф вырожденных 2D электронов по каналу потенциальной ямы гетероперехода. Вквантующем магнитном поле B электроны сканируют дефекты гетерограницы, что возмущает их импульсно-энергетическое равновесное состояние (T, T0D). Стационарное неравновесное состояние (T, T*D) достигается электрон-фононной релаксацией по энергии и импульсу. Экспериментальная нелинейная зависимостьTD(T) объяснена примешиванием деформационных акустических фононов к взаимодействию2D электронов с пьезоэлектрическими фононами.

Предложен метод расчета вероятности межподзонного электрон-электронного рассеяния в квантовых ямах сложной формы. Численные значения получены для ступенчатых квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Установлены основные механизмы электрон-электронного рассеяния, наиболее сильно влияющие на межподзонную инверсию населенности в лазерной структуре.

Обнаружены резонансные включения магнитным полем межподзонной электронной релаксации при сканировании уровня Ферми уровнями Ландау подзон размерного квантования одиночного гетероперехода. Монотонное уменьшение времени межподзонной релаксации с магнитным полем объяснено примешиванием электрон-фононного взаимодействия к электрон-электронному.

Кельнер С.р. Образование электрон-позитронных пар мюонами на атомных электронах // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 76-77

Скородумов О.б., Варфоломеев А.а. Построение и анализ протокола формирования электронно-цифровой подписи вслепую на основе алгоритма формирования электронно-цифровой подписи ГОСТ Р 34.10-94 // Научная сессия МИФИ-2001. 8 Всероссийская научно-практическая конференция. Проблемы информационной безопасности в системе высшей школы, стр. 85-87

Елесин В.ф. Нелинейный отклик и нелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом электрон-электронного взаимодействия // Научная сессия МИФИ-2002. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Фотоника, стр. 129-130