Обсуждается природа поверхностных фрактальных образований, обнаруженных при изучении малоуглового рассеяния света у сегнетоэлектрических перовскитов типа магнониобата свинца. Предполагается, что такие образования могут быть связаны со спиральными ступеньками роста на гранях кристаллов.

Представлена общая теория колебательных возбуждений в металлических стеклах, основанная на дисклинационной модели структуры твердых тел с локальной икосаэдрической симметрией. Использовано представление неортогональных плоских волн, что позволяет выделить в гамильтониане диагональные члены, а также члены, описывающие рассеяние этих волн на флуктуациях плотности и силовых констант, а также на топологических флуктуациях структуры. Для функции Грина получено и решено уравнение Дайсона. Получено аналитическое выражение для плотности колебательных состояний стекла. Обсуждается природа мягких колебательных мод. Показано, что эти моды являются резонансными модами, наличие которых обусловлено флуктуациями плотности и силовых постоянных. Особо обсуждается роль рассеяния вперед и характер пространственного изменения амплитуды данных мод.

Изучено поведение спектров комбинационного рассеяния света (КРС) в конгруэнтном кристалле ниобата лития. Показано, что полоса КРС около ~ 100 cm-1 представляет собой спектр первого порядка, индуцированный нестехиометричностью состава. Обсуждаются возможности различных моделей для описания этой полосы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16112) и Фонда междисциплинарных исследований Сибирского отделения Российской академии наук.

Обсуждается состояние представлений о природе физических явлений в сегнеторелаксорах --- в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом. Эти явления тесно связаны с поведением полярных областей (ПО), в которых под действием тепловых флуктуаций разыгрываются релаксационные процессы, определяющие свойства кристалла. ПО взаимодействуют между собой не только электрически, но и механически, а деформированные параэлектрические прослойки между ПО играют важную роль при переходе в макродоменное состояние.

На основе анализа экспериментальных данных о величинах коэффициента селективности взаимодействия различных ионов с TiSe2, предварительно интеркалированным переходными металлами и серебром, предложена модель, связывающая указанную селективность с величиной потенциала ионизации ионов, участвующих в реакции. Показано, что для более точного количественного описания необходимо учитывать смягчение решетки, наблюдающееся при поляронном типе локализации носителей заряда. PACS: 61.72.Ww, 82.20.Pm

Теоретически и экспериментально исследованы процессы упругого туннелирования в МДП структурах с барьером Шоттки на основе p+-InAs. При гелиевых температурах получены вольт-амперные характеристики с участком отрицательного дифференциального сопротивления. На основе квазиклассического приближения получены аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения с конверсией носителей. Показано, что падающий участок ВАХ связан с участием в процессе туннелирования вышележащего уровня размерного квантования в n-канале. Полученные расчетные вольт-амперные характеристики хорошо согласуются с результатами эксперимента.

Исследованы коэффициенты Холла R, термоэдс S и электропроводности в PbSe, легированном Na, при введении изовалентных свинцу примесей Cd и Mn в концентрациях до 5 ат %. Экспериментальные данные вместе с ранее полученными результатами указывают, что в халькогенидах свинца в присутствии изовалентных примесей акцепторное действие Na ослаблено вследствие локализации дырок на дефектах. Согласно предложенной модели акцепторного легирования, такими дефектами в халькогенидах свинца могут быть атомы халькогена в металлической подрешетке. Повышение температуры, а также введение изовалентных примесей с относительно малыми ионными радиусами способствуют их образованию. Антиструктурные дефекты создают резонансные уровни в валентной зоне, положение которых зависит от концентрации Na.

Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V--O--C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния(I) и углерода(Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1)I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2)I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучено влияние природы имплантированных ионов на формирование электрически активных дефектов в кремнии. Имплантация ионов кислорода O+ и азота N+ дозами 2· 1011 см-2 с энергией 75 кэВ и ионов аргона Ar+ дозой 7· 1010 см-2 с энергией 150 кэВ при температуре мишени 300 K обеспечивала во всех образцах n- и p-Si приблизительно одинаковое количество и пространственное распределение первичных радиационных дефектов. Обнаружено, что спектр устойчивых радиационных дефектов зависит от природы бомбардирующего иона. Так, DLTS-спектр n-Si, облученного ионами O+, имеет три пика, в то время как в спектре n-Si, имплантированного ионами N+, присутствует только один из них. В спектрах DLTS образцов n- и p-Si, имплантированных ионами O+ и N+, обнаружены пики обратной полярности (аномальные), энергетическое положение которых соответствует наиболее выраженным пикам в спектрах образцов кремния противоположного типа проводимости.

Исследовано влияние способа возбуждения люминесценции на спектральный состав излучения в монокристаллах ZnS : Mn. Показана связь ближайшего окружения ионов Mn2+ и элементарных полос излучения света с максимумами на длинах волн lambdam=557, 578, 600, 616 и 638± 2 нм в кристаллах сульфида цинка с различной концентрацией марганца.