Принципы инвариантного погружения применены к описанию явления самораспыления твердых тел. Получены интегральные уравнения, описывающие поток распыленных атомов с учетом граничных условий. Получены приближенные решения интегрального уравнения для функции, описывающей энергетические и угловые спектры атомов, вылетающих с поверхности материала, в случае самораспыления.

Определена энтропия стационарного состояния открытой электронной системы и установлена ее связь с энтропией, поступающей во внешнюю среду. Определено понятие упорядоченности системы и введены параметры, характеризующие ее количественно. Определены информация и условная сложность системы, отсчитываемые от состояния термодинамического хаоса. Получены численные значения указанных величин для вакуумного диода, магнетронного диода и диода Ганна.

Полнопотенциальным методом LMTO вычислены полная энергия, равновесная постоянная решетки и объемный модуль наблюдаемых фаз циркония. Получено количественное согласие с экспериментом для объема и давления структурного перехода omega->beta. Обсуждаются поведение и особенности электронной структуры для существующих при высоком давлении фаз Zr, а также роль основных 4p-состояний при переходе omega->beta.

Представление решетки системой взаимодействующих ионов широко используется в физике твердого тела. При этом предполагается, что волновые функции отдельных ионов являются достаточно хорошим нулевым приближением для расчета из первых принципов матричных элементов гамильтониана взаимодействия электронов и ядер решетки. Для проведения подобных расчетов в базисе таких функций предлагается использовать метод вторичного квантования. В качестве примера оценивается амплитуда перехода электрона с лиганда на центральный ион. Полученные значения хорошо согласуются с экспериментом. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16648).

Степень тетрагональности в TiAl и влияние на нее легирования ванадием исследованы с применением методов расчета, основанных на приближении когерентного потенциала и ab initio псевдопотенциалов. Показано, что замещение атомов подрешетки Ti ванадием приводит к росту степени тетрагональности, но при замещении атомов в алюминиевой подрешетке тетрагональность сплава TiAl : V уменьшается и при содержании ванадия около 8 at.% решетка становится практически кубической. Это в свою очередь может привести к повышению пластичности TiAl, хрупкого при низких температурах. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16970) и Королевской Шведской академии наук.

Представлены результаты исследования электронной структуры и пластических свойств ряда щелочно-галоидных кристаллов (CsCl, CsBr и CsI). Расчеты из первых принципов проводились с использованием приближений Хартри--Фока и теории функционала плотности. Использовались различные схемы обменно-корреляционного функционала, включая технику гибридного обмена. Результаты, полученные пятью методами, сравниваются с имеющимися экспериментальными данными. Проанализированы тенденции изменения зонных параметров и пластических свойств в рассматриваемом ряду объектов. Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16463a.

-1 Устанавливается для биполяронных состояний взаимосвязь между вариационным принципом и теоремой вириала, оптимизирующей электронные волновые функции. Показано, что ни при каких условиях, не нарушающих основные физические принципы, одноцентровое состояние биполярона не является устойчивым образованием. Установлено, что поэтапное увеличение гибкости электронной волновой функии за счет учета межэлектронных корреляций не приводит к стабилизации одноцентрового биполярона. Приводятся аргументы, указывающие на ошибочность результатов расчетов, основанных на одноцентровой модели биполярона. PACS: 71.38.Mx, 71.15.-m, 73.20.-r

Исследован процесс отжига слитка CdTe : Cl при охлаждении его после выращивания. Отжиг производился в 2этапа: высокотемпературный этап, когда при термодинамическом равновесии кристалла с паром летучих компонентов устанавливается примерное равенство концентраций хлора и вакансий кадмия, и низкотемпературный этап, когда заряженные дефекты взаимодействуют с образованием нейтральных ассоциатов. Определены необходимые для получения полуизолирующего кристалла концентрации легирования хлором для различных скоростей охлаждения слитка на высокотемпературном этапе. Определена зависимость концентрации примеси[Cl+Te] в слитке от температуры его отжига на высокотемпературном этапе. Получены значения времен жизни и дрейфовых подвижностей носителей заряда в кристалле в зависимости от температуры и от давления паров кадмия при послеростовом отжиге слитка.

Теоретические и методологические принципы совершенствования нормативной базы в области водоотведения: Автореф.дис. ...д-ра техн.наук:05.23.04 / Н. А. Черников; Петерб.гос.ун-т путей сообщения. - СПб., 2003. - 50с.

Анализ, техническая диагностика и реновация систем подачи и распределения воды на основе принципов энергетического эквивалентирования: Автореф. ...дис. канд.техн.наук:05.23.04 / В. И. Щербаков; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2002. - 43с.