Связанные научные тематики:
физика
Найдено научных статей и публикаций: 47, для научной тематики: краткие сообщения
11.
Федосюк В.М., Ривас Х.П., Касютич О.И.
- Журнал Технической Физики , 1997
Исследуются пленки CoCu, полученные методом импульсного электролитического осаждения из одного электролита. На основе исследования рентгенографическими методами, а также ядерного магнитного резонанса и магниторезистивных измерений прослеживается непрерывный переход от пленок многослойных CoCu к п...
Исследуются пленки CoCu, полученные методом импульсного электролитического осаждения из одного электролита. На основе исследования рентгенографическими методами, а также ядерного магнитного резонанса и магниторезистивных измерений прослеживается непрерывный переход от пленок многослойных CoCu к пленкам неоднородных сплавов CuCo. Предложено объяснение наблюдаемым явлениям.
Федосюк В.М., Ривас Х.П., Касютич О.И. Исследование перехода от мультислойных пленок к гранулированным в системе кобальт--медь // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 89
12.
Баранова Л.А., Явор С.Я.
- Журнал Технической Физики , 1997
Проведен численный расчет отклоняющей системы, образованной двумя плоскими конденсаторами, между которыми расположен электронно-оптический элемент, изменяющий энергию пучка заряженных частиц. Найдены условия коррекции хроматического размытия пучка в плоскости мишени. Показано хорошее согласие с р...
Проведен численный расчет отклоняющей системы, образованной двумя плоскими конденсаторами, между которыми расположен электронно-оптический элемент, изменяющий энергию пучка заряженных частиц. Найдены условия коррекции хроматического размытия пучка в плоскости мишени. Показано хорошее согласие с результатами приближенного аналитического расчета.
Баранова Л.А., Явор С.Я. Численное моделирование ахроматических отклоняющих систем // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 86
13.
Рухадзе А.А., Шокри Б.
- Журнал Технической Физики , 1997
Получено и проанализировано дисперсионное уравнение тонкого слоя проводящей среды в областях частот выраженного скин-эффекта. Рассмотрены случаи инерционного, нормального и аномального скин-эффектов. В условиях, когда толщина слоя намного превосходит глубину скин-слоя дисперсионное уравнение и ег...
Получено и проанализировано дисперсионное уравнение тонкого слоя проводящей среды в областях частот выраженного скин-эффекта. Рассмотрены случаи инерционного, нормального и аномального скин-эффектов. В условиях, когда толщина слоя намного превосходит глубину скин-слоя дисперсионное уравнение и его решения соответствуют поверхностным волнам полуограниченной среды. В обратном пределе получаются новые спектры колебаний, существенно зависящие от толщины слоя.
Рухадзе А.А., Шокри Б. О поверхностных волнах в тонких слоях проводящих сред в области частот скин-эффекта // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 83
14.
Овсянникова Л.П., Фишкова Т.Я.
- Журнал Технической Физики , 1997
Коаксиальные электростатические линзы в комбинации с магнитным полем используются в плазмооптических и манометрических приборах [1,2]. Известно также их применение в системах для транспортировки пучков заряженных частиц высоких энергий [3], так как наряду с квадрупольными линзами они об...
Коаксиальные электростатические линзы в комбинации с магнитным полем используются в плазмооптических и манометрических приборах [1,2]. Известно также их применение в системах для транспортировки пучков заряженных частиц высоких энергий [3], так как наряду с квадрупольными линзами они обладают большой оптической силой. В работе [4] получены выражения для траекторий заряженных частиц невысоких энергий в приближении прямоугольной модели поля при учете изменения энергии на входе в поле и выходе из него. Показана принципиальная возможность получения фокусировки параллельного пучка в кольцо.
Овсянникова Л.П., Фишкова Т.Я. Кардинальные элементы коаксиальной электростатической линзы // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 81
15.
Колесников Е.К., Мануйлов А.С.
- Журнал Технической Физики , 1997
В электростатическом пределе рассчитана сила взаимодействия между параксиальным релятивистским электронным пучком и предварительно созданным омическим плазменным каналом низкой проводимости. Для конкретных параметров релятивистского электронного пучка найдена зависимость указанной силы от значени...
В электростатическом пределе рассчитана сила взаимодействия между параксиальным релятивистским электронным пучком и предварительно созданным омическим плазменным каналом низкой проводимости. Для конкретных параметров релятивистского электронного пучка найдена зависимость указанной силы от значения проводимости канала и расстояния от фронта пучка при различных значениях скорости нарастания тока в пучке.
Колесников Е.К., Мануйлов А.С. К вопросу о расчете электростатической трекинг-силы при транспортировке релятивистских электронных пучков по омическим плазменным каналам низкой проводимости // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 78
16.
Покропивный А.В., Покропивный В.В., Скороход В.В.
- Журнал Технической Физики , 1997
Методом компьютерного моделирования впервые получено изображение изосиловой поверхности с дефектом в атомно-силовом микроскопе. Детально исследована зависимость компьютерного изображения поверхностной пентавакансии от радиуса острия. Показано, что разрешающая способность повышается с уменьшением ...
Методом компьютерного моделирования впервые получено изображение изосиловой поверхности с дефектом в атомно-силовом микроскопе. Детально исследована зависимость компьютерного изображения поверхностной пентавакансии от радиуса острия. Показано, что разрешающая способность повышается с уменьшением радиуса острия.
Покропивный А.В., Покропивный В.В., Скороход В.В. Моделирование влияния радиуса иглы на чувствительность атомно-силового микроскопа // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 70
17.
Иванников В.И., Черноусов Ю.Д., Шеболаев И.В.
- Журнал Технической Физики , 1997
Рассмотрена схема формирования ВЧ импульсов, содержащая накопительный резонатор и переключаемое с антирезонансного на резонансный режим работы устройство вывода. Приведены соотношения для формы импульса, коэффициента усиления, КПД.
...
Рассмотрена схема формирования ВЧ импульсов, содержащая накопительный резонатор и переключаемое с антирезонансного на резонансный режим работы устройство вывода. Приведены соотношения для формы импульса, коэффициента усиления, КПД.
Иванников В.И., Черноусов Ю.Д., Шеболаев И.В. Схема формирования высокочастотных импульсов переключаемым резонатором // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 139
18.
Вартанян Э.С., Овсепян Р.К., Санамян Т.В.
- Журнал Технической Физики , 1997
Зарегистрированы вихревые фотовольтаические токи в легированных кристаллах ниобата лития при воздействии импульсного лазерного излучения с длиной волны 532 nm.
...
Зарегистрированы вихревые фотовольтаические токи в легированных кристаллах ниобата лития при воздействии импульсного лазерного излучения с длиной волны 532 nm.
Вартанян Э.С., Овсепян Р.К., Санамян Т.В. Импульсные вихревые фотовольтаические токи в кристаллах ниобата лития // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 133
19.
Малинецкий Г.Г., Потапов А.Б., Фельдштейн И.В.
- Журнал Технической Физики , 1997
Рассмотрен возможный подход к оценке коэффициента диффузии в среде по временным рядам наблюдений в нескольких точках. Подход основан на анализе зависимости наибольшего собственного значения матрицы ковариации от коэффициента диффузии. Показано, что такая зависимость для широкого круга систем имее...
Рассмотрен возможный подход к оценке коэффициента диффузии в среде по временным рядам наблюдений в нескольких точках. Подход основан на анализе зависимости наибольшего собственного значения матрицы ковариации от коэффициента диффузии. Показано, что такая зависимость для широкого круга систем имеет монотонный характер и может рассматриваться как характеристика среды. Рассмотрен вопрос о том, при каких условиях на границе монотонность имеет место.
Малинецкий Г.Г., Потапов А.Б., Фельдштейн И.В. О возможности оценки коэффициента диффузии среды по рядам наблюдений в нескольких точках // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 127
20.
Коротаев Ю.В., Мешков И.Н., Поляков В.Н., Смирнов А.В., Сыресин Е.М., Лей Р., Транквилль Ж.
- Журнал Технической Физики , 1997
Анализируются причины возникновения разряда Пеннинга в электронно-оптических устройствах, работающих в условиях среднего и высокого вакуума, при наличии сопровождающего магнитного поля. Рекомендованы способы его подавления. Приведены основные результаты испытаний по устранению разряда Пеннинга на...
Анализируются причины возникновения разряда Пеннинга в электронно-оптических устройствах, работающих в условиях среднего и высокого вакуума, при наличии сопровождающего магнитного поля. Рекомендованы способы его подавления. Приведены основные результаты испытаний по устранению разряда Пеннинга на экспериментальном стенде ОИЯИ (г. Дубна) и накопителе антипротонов LEAR CERN (г. Женева).
Коротаев Ю.В., Мешков И.Н., Поляков В.Н., Смирнов А.В., Сыресин Е.М., Лей Р., Транквилль Ж. Разряд Пеннинга в электронно-оптических приборах с магнитным сопровождением // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 124