С помощью оже-электронной спектроскопии высокого разрешения изучено образование и разрушение поверхностного силицида на (100) W при различных режимах очистки поверхности и объема образца. Показано, что степень очистки объема практически не влияет на закономерности формирования ПС при адсорбции ат...
С помощью оже-электронной спектроскопии высокого разрешения изучено образование и разрушение поверхностного силицида на (100) W при различных режимах очистки поверхности и объема образца. Показано, что степень очистки объема практически не влияет на закономерности формирования ПС при адсорбции атомов Si на нагретой поверхности W, причем почти вплоть до завершения этого формирования все поступающие на поверхность атомы кремния, начиная с самых первых, остаются на ней, встраиваясь в ПС. Разрушение ПС определяющим образом зависит от состояния объема и при T=1400 K на ранних стадиях, видимо, лимитируется переходом атомов Si с поверхности в подповерхностный слой, а на последующих стадиях диффузией кремния внутрь подложки. Сделаны оценки объемной концентрации кремния, лимитирующей разрушение ПС.
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. Влияние состояния объема образца на образование и термостабильность поверхностного силицида на (100) W // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 7, Стр. 137