Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследован элементный состав образцов тонких алмазоподобных пленок, плученных в сверхвысоком вакууме путем ионно-лучевого осаждения на поверхностях кремниевых подложек. Качественный анализ результатов и их сравнение с данными, полученными для образцов графита и пироуглерода, показал высокую химическую чистоту полученных алмазоподобных покрытий.
Пшеничнюк С.А., Юмагузин Ю.М. Химическая чистота алмазоподобных пленок, полученных методом ионно-лучевого осаждения // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 10, Стр. 99

Предложена новая концепция устройства защиты сети переменного тока на основе комбинации сверхпроводящего ограничителя тока короткого замыкания (КЗ) и размыкателя электрической сети. В качестве активного элемента сверхпроводящего ограничителя тока использован высокотемпературный сверхпроводник в виде стопки плоских колец. Приведены результаты испытания макета такого ограничителя в стационарном режиме короткого замыкания. Приведены характеристики композитных материалов, не содержащих серебра, используемых для конструирования размыкателя тока.
Овчинников С.Г., Кирко В.И., Mamalis A.G., Петров М.И., Иванов В.В., Балаев Д.А., Гохфельд Д.М., Харламова С.А., Милицын С.В., Шайхутдинов К.А. Новая концепция переключателя тока на основе высокотемпературного сверхпроводника // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 10, Стр. 95

С помощью предложенных электрических моделей и разработанного комплекса программ EC--RTS--NANODEV проведено теоретическое исследование нескольких простых приборных структур, включающих резонансно-туннельные диоды. Показано, что проанализированные структуры могут использоваться в качестве элементов многозначной логики, преобразователей частоты и генераторов самых различных сигналов, включая гармонические, релаксационные и хаотические.
Абрамов И.И., Королев А.В. Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 9, Стр. 128

Новая схема измерений позволяет исследовать высокую электропроводность продуктов детонации конденсированных взрывчатых веществ с временным разрешением около 10 ns. В опытах на литом тротиле зарегистрирована сложная структура детонационной проводимости, обусловленная зоной химической реакции и последующим расширением ее продуктов. Профиль электропроводности состоит из двух соответствующих участков: резкий пик (~ 250 Omega-1·cm-1), плато (~ 35 Omega-1· cm-1). Пиковое значение является наибольшей электропроводностью, зарегистрированной при детонации химических взрывчатых веществ. Полученные результаты подтверждают контактный метод детонационной проводимости тротила.
Гилев С.Д., Трубачев А.М. Высокая электропроводность продуктов детонации тротила // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 9, Стр. 123

Исследован импульсный нагрев микроволнами с интенсивностью около 10 kW·cm-2 тонких слоев (0.05 cm) механических смесей проводящих и диэлектрических порошков. Установлено, что характер длины поглощения в таких смесях микроволн mW мощности порядка 1 cm. При интенсивностях 10 kW· cm-2 и выше и длительностях импульса 5-8 ms в серии до 5 импульсов наблюдается расплавление порошкового слоя, а характерный масштаб поглощения падает до значения ~0.05 c. Зарегистрировано падение коэффициента поглощения образцов в течение микроволнового импульса. Рассматривается возможность эффективного поглощения излучения в результате поверхностных пробоев и образования плазмы в порах между крупинками порошка в его объеме.
Батанов Г.М., Бережецкая Н.К., Коссый И.А., Магунов А.Н., Силаков В.П. Импульсный нагрев тонких слоев из смеси порошков микроволнами высокой интенсивности // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 7, Стр. 119

Разработан новый принцип импульсного плазмотрона для нанесения покрытий из металлокерамики, керамики и металлов на твердую подложку. Представлены расчеты, по которым подбирались параметры плазмотрона. На примере твердого сплава (W-Co), нанесенного на подложку из Cu, показано использование данного плазмотрона. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния (RBS), рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии (TEM) с дифракцией, измерения твердости и адгезии исследовано покрытие из твердого сплава. Показано, что покрытие состоит из кристаллов WC с гексагональной и кубической решеткой, имеются кристаллиты alpha- и beta-кобальта размерами около 25 nm, а по границам кристаллитов обнаружены частицы W3Co3C.
Погребняк А.Д., Ильяшенко М.В., Кульментьева О.П., Тюрин Ю.Н., Кобзев А.П., Иванов Ю.Ф., Иваний В.С., Кшнякин В.С. Структура и свойства твердого сплава, нанесенного на медную подложку с помощью импульсно-плазменной технологии // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 7, Стр. 111

Проведена обработка результатов эксперимента по измерению массы фуллереносодержащей сажи, осаждающейся на зонд в различных областях фуллереновой дуги. Показано, что на основе весьма общей модели спектра кластеров, простой газодинамической модели и существующих представлений об этапах трансформации углеродных кластеров можно определить область возникновения фуллеренов и сажи в дуге.
Алексеев Н.И., Chibante F., Дюжев Г.А. О трансформации углеродного пара в газоплазменной струе дугового разряда // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 6, Стр. 122

Конденсация газовых смесей моносилан--аргон и моносилан--гелий исследовалась в свободных струях с помощью диагностики, основанной на рэлеевском рассеянии лазерного излучения. Процесс конденсации в смеси SiH4--Ar начинается при меньшем давлении торможения, на меньшем расстоянии от сопла и протекает более интенсивно, чем в смеси моносилан--гелий и в чистом аргоне. Результаты рэлеевских измерений в струе кондесирующейся смеси моносилан--аргон обобщаются по параметру P0d0.8. Анализ полученных результатов и литературных данных позволяет предположить, что в смеси моносилан--аргон идет процесс совместной конденсации моносилан--аргон с образованием смешанных кластеров.
Хмель С.Я., Федоров С.Ю., Шарафутдинов Р.Г. Конденсация смесей моносилан--аргон и моносилан--гелий в свободной струе // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 6, Стр. 116

Разработана модель образования фотодефлекционного сигнала в керамиках. Рассмотрена задача генерации температурных волн лазерным излучением в керамиках с учетом возможной анизотропии их теплофизических свойств. Фотодефлекционным методом выполнены измерения теплофизических параметров на керамике нитрида кремния. Показано, что фотодефлекционный метод может быть использован для обнаружения и определения параметров подповерхностных трещин в керамиках.
Муратиков К.Л., Глазов А.Л. Определение теплофизических характеристик и параметров трещин в керамиках лазерным фотодефлекционным методом // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 6, Стр. 110

Показано, что, выбирая оптимальное соотношение внешнего и внутреннего диаметров капилляра, можно в несколько раз увеличить чувствительность рефракционного способа регистрации границ растворов.
Горшков А.И., Ошуркова О.В., Константинов В.Б. Увеличение чувствительности рефракционного способа регистрации границ в капиллярных методах сепарации // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 5, Стр. 119