Описан эффективный и быстродействующий комплекс, предназначенный для визуализации, ввода в ЭВМ и компьютерной обработки оптических картин дифракции быстрых электронов на отражение. Приведены структурные схемы и технические характеристики комплекса, его взаимосвязь с устройствами управления процес...
Описан эффективный и быстродействующий комплекс, предназначенный для визуализации, ввода в ЭВМ и компьютерной обработки оптических картин дифракции быстрых электронов на отражение. Приведены структурные схемы и технические характеристики комплекса, его взаимосвязь с устройствами управления процесами роста полупроводниковых структур методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Описано разработанное для данного комплекса программное обеспечение, необходимое для обработки картин дифракции быстрых электронов, в том числе в реальном масштабе времени. Приведены экспериментальные результаты применения комплекса для исследования процессов гетероэпитаксиального роста и формирования InAs нанообъектов на поверхностях GaAs и Si.
Петров В.Н., Демидов В.Н., Корнеева Н.П., Поляков Н.К., Цырлин Г.Э. Комплекс для регистрации и компьютерной обработки картин дифракции быстрых электронов на отражение // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 5, Стр. 97