Получены формулы для оценки ошибок, возникающих при модуляционном восстановлении функции отклика и ее первой и второй производных в безгистерезисном случае. При помощи примененного алгоритма можно получить формулы для оценки ошибок и в случае гистерезиса. Результаты работы можно использовать для восстановления намагниченности и I-V-характеристик высокотемпературных сверхпроводников из спектра амплитуд гармоник сигнала отклика, получаемого при воздействии на образец модулированными магнитным полем и током.
Кузьмичев Н.Д. Оценки ошибок модуляционного восстановления функции отклика и ее производных // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 8, Стр. 124

В диапазоне энергии первичных электронов 0.6-1.5 кэВ измерены ориентационные зависимости для ряда групп вторичных электронов: квазиупруго рассеянных, неупруго отраженных с возбуждением плазмона и ионизацией остовного уровня M4.5, а также оже-электронов M4.5VV. Данные получены для монокристалла Nb (100) при изменении азимутального угла падения первичного пучка и полном сборе вторичных электронов. Установлена взаимосвязь процессов фокусировки и дефокусировки электронов, проникающих в кристалл вдоль направлений < 110> и < 133>, существенно различающихся плотностью упаковки атомов. Обнаружена и объяснена специфика ориентационного оже-эффекта, обусловленная возникающей вследствие фокусировки вариацией интенсивности потока отраженных электронов. Оценены вклады в угловые зависимости оже-эмиссии и отражения с ионизационной потерей как анизотропии ионизации самого остовного уровня, так и изменения интенсивности обратного рассеяния. Проанализирована возможность использования рассмотренных ориентационных зависимостей для элементно-чувствительного анализа локальной атомной структуры поверхности.
Гомоюнова М.В., Пронин И.И. Влияние фокусировки первичных электронов на их отражение от кристалла и оже-эмиссию // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 8, Стр. 117

Описана эффективная и быстродействующая система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение. Программное обеспечение, разработанное для данной системы, включает в себя три пакета программ: для работы в однооконном, четырехоконном и линейном режимах. Приведены примеры использования системы для контроля и исследования процессов роста полупроводниковых соединений A3B5 в методе молекулярно-пучковой эпитаксии. С использованием описанной системы обнаружен эффект периодического расщепления профилей дифракционных рефлексов при росте GaAs (100).
Гурьянов Г.М., Демидов В.Н., Корнеева Н.П., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э. Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 8, Стр. 111

Теоретически проанализированы потенциальные возможности плазмы, нагреваемой лазерным излучением, как источника отрицательных ионов. Показано, что при оптимально подобранных параметрах лазерного излучения эффективность образования отрицательных ионов в лазерной плазме на стадии нагрева достигает 1015-1016 ионов/Дж.
Латышев С.В. Потенциальные возможности лазерной плазмы как источника отрицательных ионов // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 7, Стр. 117

Представлены результаты исследования отклика доменной структуры пленок Gd--Co на стационарные пространственно неоднородные плоские тепловые поля, создаваемые одним или двумя условно-точечными источниками тепла. Сформулированы некоторые простые принципы топографирования этих полей посредством наблюдения и измерения параметров доменной структуры аморфных пленок Gd--Co.
Иванов В.Е., Кандаурова Г.С., Свалов А.В. Аморфные пленки гадолиний--кобальт в качестве сенсорной среды для топографирования неоднородных температурных полей // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 7, Стр. 112

Исследуется влияние секционирования обмотки сверхпроводящего геликоида на электрические потери и динамическую устойчивость сверхпроводящего состояния. В расчетах использовалось модельное представление геликоида бесконечным полым изотропным цилиндром с азимутальным направлением транспортного тока. На примере деления геликоида на две секции показано, что появление экранирующего профиля тока во внутренней секции первоначально увеличивает потери и снижает динамическую устойчивость. Однако после соприкосновения экранирующего и основного профилей тока ситуация меняется на обратную. В конечном итоге при полном заполнении поперечного сечения геликоида током суммарные электрические потери в секционированном геликоиде примерно в 2 раза меньше, чем в несекционированном. Максимально допустимая скорость ввода тока, гарантирующая отсутствие скачков магнитного потока в обмотке (другими словами, граница динамической устойчивости сверхпроводящего состояния), в секционированном геликоиде в 3 раза выше, чем в несекционированном. Рассмотрены также случаи большего количества секций, чем две.
Балев А.Н., Круглов С.Л. О влиянии секционирования на динамическую устойчивость сверхпроводящего состояния и электрические потери в сверхпроводящих геликоидах // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 108

С помощью методов радиоуглеродного beta-спектрального анализа исследовано изменение концентрации C14 в графите, подвергнутом вибродиспергированию в присутствии тяжелой (легкой) воды. Обнаружено, что для системы C + D2O наблюдается статистически значимое увеличение скорости beta-счета по сравнению с системой C + H2O, диспергированной в аналогичных условиях. Предложена количественная модель трансмутации изотопа C13 в изотоп C14 при взаимодействии многофононных возбуждений с дейтеронами в кристаллической решетке графита в присутствии фоновых тепловых нейтронов.
Липсон А.Г., Кузнецов В.А., Иванова Т.С., Саунин Е.И., Ушаков С.И. О возможности механостимулированной трансмутации ядер углерода в ультрадисперсных дейтерийсодержащих средах // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 100

Исследовано влияние слабого лазерного воздействия при термической обработке на композицию ванадий--кремний. Определено, что изменение фазового состава контакта обусловливает изменение его электрофизических параметров. Применение комбинированной обработки позволяет формировать выпрямляющий контакт ванадий--кремний с определенными, заранее заданными электрофизическими параметрами.
Чапланов А.М., Шибко А.Н. Влияние термической обработки и лазерного воздействия на композицию ванадий--кремний // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 96

Получено уравнение, связывающее сигнал на выходе электростатического дисперсионного анализатора и функцию распределения по энергии попадающих в него заряженных частиц при учете флуктуаций потенциалов на отклоняющих электродах. Получены решенеия этого уравнения. Рассмотрено влияние шума на аппаратные функции анализаторов.
Курнаев В.А., Урусов В.А. Влияние флуктуаций потенциалов на аппаратные функции электростатических анализаторов // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 92

На основе анализа движения заряженных частиц в дисперсионных анализаторах получены и решены уравнения, связывающие сигнал на выходе анализатора и функцию распределения по энергии, попадающих в него заряженных частиц. Рассмотрено влияние поправок на восстановление энергетического распределения по сравнению со стандартной процедурой.
Курнаев В.А., Урусов В.А. Влияние аппаратных функций электростатических и магнитных анализаторов на обработку экспериментальных результатов // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 86