Рассматриваются вопросы создания ионизатора для газоаналитических приборов с использованием электрического газового разряда вместо радиоактивного источника. Высокочастотный разряд на изолированных электродах используется в качестве ионизатора в газохроматографическом аргоновом ионизационном детекторе. Показано, что замена радиоактивного источника газоразрядным ионизатором приводит к улучшению аналитических характеристик детектора. Предложена расчетная модель аргонового ионизационного детектора, показавшая хорошее согласие с экспериментом.
Крылов Е.В. Газоразрядный ионизатор в аргоновом ионизационном детекторе // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 11, Стр. 126

Предложен метод двухапертурного синтеза на координаточувствительном фотоприемнике Мультискан, который позволяет снизить ошибку координатоуказания, возникающую при воздействии мощных фоновых засветок, повысить чувствительность и точность координатных измерений. Проанализированы различные способы построения синтезированной апертуры, осуществляющей преобразование светового сигнала вблизи зоны насыщения вольт-амперной характеристики мультискана.
Подласкин Б.Г., Васильев А.В., Гук Е.Г., Токранова Н.А. Построение синтезированной апертуры на фотоприемниках Мультискан // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 110

Предложена математическая модель диффузного истечения сорбируемого газа в вакуум через мелкопористую мембрану, у которой расстояние между порами сравнимо с их диаметром. Предложенная модель проанализирована в стационарном случае. Теоретический анализ сравнивается с экспериментом.
Клименко В.А., Муленко С.А., Овечко В.С. Теоретическое и экспериментальное исследование диффузии сорбируемого газа через мелкопористый фильтр // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 106

Рассмотрен разброс электрофизических параметров в широком интервале концентраций компонентов твердых растворов систем на основе цирконата-титаната свинца и ниобиевых оксидов. Показано, что существенный вклад в отклонение параметров от среднего значения вносят флуктуации состава, особенно заметные в областях с нестабильной кристаллической структурой (морфотропные переходы, границы растворимости компонентов), и связанная с ними дефектность твердых растворов. Оптимизация методов получения твердых растворов значительно снижает влияние технологических факторов на воспроизводимость их свойств.
Резниченко Л.А., Данцигер А.Я., Дудкина С.И., Шилкина Л.А., Разумовская О.Н., Сервули В.А., Позднякова И.В. Разброс электрофизических параметров сегнетопьезоэлектрических твердых растворов и возможность его минимизации // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 9, Стр. 112

Проводится сравнительный анализ возмжностей висмутсодержащих пленок феррит-гранатов с одноосной магнитной анизотропией и с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость" при их использовании для визуализации пространственно неоднородных магнитных полей в магнитооптической неразрушающей дефектоскопии.
Рандошкин В.В., Гусев М.Ю., Козлов Ю.Ф., Неустроев Н.С. О преимуществах безгистерезисных магнитооптических пленок при использовании в неразрушающей дефектоскопии // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 118

Представлены результаты экспериментов по плавлению нитрида алюминия при нагреве электрической дугой, горящей в азоте, при давлении 0.2-0.3 MPa. Предложено качественное объяснение механизма подавления диссоциации при электродуговом нагреве. Показано, что оно возможно при атмосферном давлении за счет фотоактивации алюминия на поверхности образца резонансным излучением паров алюминия, присутствующих в электрической дуге.
Дьячков Л.Г., Жиляков Л.А., Костановский А.В. Плавление нитрида алюминия при атмосферном давлении азота // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 115

На основе экспериментальных работ по признакам самоорганизации динамических диссипативных систем установлено, что в процессе развития структуры лидерного разряда по поверхности воды имеет место самоорганизация.
Белошеев В.П. Самоорганизация структуры лидерного разряда по поверхности воды // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 109

Экспериментально исследовано излучение молекул фуллерена, возбужденных электронным ударом в пересекающихся пучках в условиях однократного столкновения молекулы C60 с электроном в диапазоне кинетической энергии Ee от 25 до 100 eV. Измерены спектры излучения в диапазоне длин волн от 300 до 800 nm с разрешением 1.6--3.2 nm, функции возбуждения излучения и температура излучающих молекул в зависимости от Ee. Определен вклад ионизованных молекул C+*60 в излучение. Получены данные об излучательной способности иона C+*60. Показано, что спектры излучения хорошо аппроксимируются спектральным распределением теплового излучения нагретого черного тела (формулой Планка) с учетом уменьшения излучательной способности для малой частицы. Излучение регистрируется, начиная с энергии электрона около 27 eV, функция возбуждения излучения имеет нерезонансный характер и достигает максимума при энергии Ee~70 eV. Температура излучающих частиц в зависимости от Ee достигает предельной величины 3100--3200 K при Ee~47 eV.
Востриков А.А., Агарков А.А., Дубов Д.Ю. Кинетика радиационного охлаждения фуллерена // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 102

Представлены результаты измерений комплексной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической керамики системы ЦТС двух составов в процессе импульсной поляризации в быстронарастающем электрическом поле. Обнаружено, что зависимость действительной составляющей от времени имеет три максимума, разделенных минимумами, соответствующими максимумам мнимой составляющей. Анализированы возможные механизмы доменного вклада в диэлектрическую поляризацию сегнетоэлектрика, определяющие найденные временные зависимости.
Садыков С.А., Бородин В.З., Агаларов А.Ш. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 6, Стр. 108

С целью изучения распада молекул гидридов на поверхости растущего слоя и их влияния на скорость эпитаксиального процесса рассматривается модель кинетики роста слоев твердого раствора Si1-xGex из силана и германа в методе молекулярно-пучковой эпитаксии с газовыми источниками SiH4 и GeH4. Путем сопоставления данных численного моделирования с экспериментально установленными зависимостями изучена стационарная кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности вхождения атомов Ge(Si) в растущий слой как при наличии атомарных потоков Si и Ge в реакторе (метод "горячей проволоки"), так и при их отсутствии. Проведено сопоставление скоростей роста в данном методе эпитаксии и в одном из его вариантов с сублимирующим бруском кремния в качестве дополнительного нагретого элемента. Выявлены и объяснены особенности в поведении зависимости скорости роста слоя от его состава.
Орлов Л.К., Потапов А.В., Ивин С.В. Особенности кинетики роста слоев твердого раствора кремний--германий из силана и германа при наличии в вакуумной камере дополнительного нагретого элемента // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 6, Стр. 102