Рассмотрены стадийность кривых пластического течения и формы локализации пластической деформации при растяжении образцов из сплава Zr--1%Nb. Установлена и обсуждена связь картин локализации с законом деформационного упрочнения при пластическом течении. Приведены данные о дислокационной структуре деформированного сплава в областях локализации деформации.
Полетика Т.М., Данилов В.И., Нариманова Г.Н., Гимранова О.В., Зуев Л.Б. Локализация пластического течения при растяжении сплава Zr--1%Nb // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 9, Стр. 57

Предлагается физический механизм образования кратеров на поверхности облучаемых интенсивными потоками заряженных частиц твердотельных мишеней. Согласно этому механизму, кратеры образуются в результате поверхностных гравитационных волн и неустойчивости Рихтмайера--Мешкова свободной поверхности плазменного факела [1--4]. Даваемые теорией размеры и форма кратеров хорошо согласуются с экспериментальными. Показано, что формирующиеся в мишени напряжения максимальны под кратером, что объясняет наблюдаемую в экспериментах локализацию структурных изменений.
Волков Н.Б., Майер А.Е., Яловец А.П. О механизме кратерообразования на поверхности твердых тел при воздействии интенсивных пучков заряженных частиц // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 34

Численными методами исследовано распределение потенциала и поляризации в плоском эмитирующем слое сегнетокерамики состава PLZT-9/65/35 с двумя проводящими электродами: в виде системы лент на его эмитирующей стороне и сплошного на противолежащей. Рассмотрено состояние, возникающее непосредственно после переполяризации на фронте приложенного импульса напряжения, когда еще не произошло экранирование поляризационных зарядов свободными. Установлено, что при напряженности импульсного поля, существенно превышающей удвоенную величину коэрцитивного поля, в приповерхностном слое между лентами образуются области с чередующейся по направлению поляризацией, ее нормальная составляющая в максимумах близка к насыщению. Электрическое поле по обе стороны поверхности меняется в соответствии с вектором поляризации и достигает 200 kV/cm. На микронеоднородностях поверхности поле значительно больше, т. е. именно автоэлектронная эмиссия ответственна за выход электронов из сегнетокерамики в процессе ее импульсной переполяризации.
Иванов В.Н., Рабкин Л.М. Распределение потенциала в сегнетокерамике при экзоэлектронной импульсной эмиссии электронов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 27

Обсуждаются вопросы определения энергии активации --- величины барьера в элементарных актах релаксационных (флуктуационных) переходов в полимерах по температурно-скоростным зависимостям теплоемкости, измеряемых методом дифференциальной сканирующей калориметрии. Подчеркивается необходимость учета возможного изменения барьера с темпратурой для корректного определения энергии активации. Указанием на температурное изменение барьера выcтупает отклонение предэкспоненты (в аррениуссовской форме температурно-скоростной зависимости) от теоретического значения. Приводятся экспериментальные данные и результаты их анализа, позволяющие получить реалистические значения энергии активации alpha-релаксации в полимерах.
Слуцкер А.И., Поликарпов Ю.И., Васильева К.В. К определению энергии активации релаксационных переходов в полимерах методом дифференциальной сканирующей калориметрии // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 7, Стр. 86

В рамках феноменологической теории исследовано влияние поляризованного по спину тока на доменную структуру в магнитном переходе, состоящем из двух ферромагнитных металлических слоев и разделяющего их ультратонкого немагнитного слоя. Намагниченность одного ферромагнитного слоя (слоя  1) предполагается фиксированной, в то время как намагниченность другого ферромагнитного слоя (слоя  2) свободна и может ориентироваться либо параллельно, либо антипараллельно намагниченности слоя  1. При этом слой  2 может быть разбит на домены. Перенос носителей тока из слоя  1 в слой  2 не сопровождается рассеянием спина на границе раздела, но приводит к эффекту инжекции спинов. За счет s-d-обменного взаимодействия инжектированные спины стремятся направить намагниченности в доменах параллельно слою  1. Вследствие этого происходит движение доменных границ и рост \glqq выгодных\grqq доменов. Путем решения уравнений непрерывности для носителей со спинами вверх и вниз вычислена средняя намагниченность, иинжектированная в слой  2 током, и ее вклад в энергию s-d-обмена. Из условия минимума полной магнитной энергии перехода найдены параметры периодической доменной структуры в слое  2 как функции тока через переход и магнитного поля. Показано, что даже в отсутствие поля поляризованный по спину ток может намагнитить слой 2 до насыщения. Необходимые для этого плотности тока составляют ~ 105 A/cm2. При наличии поля ток указанного порядка величины может компенсировать действие поля. Возможен также эффект перемагничивания слоя током.
Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Эллиотт Р.Дж., Эпштейн Э.М. Движение доменных границ под влиянием поляризованного по спину тока в магнитном переходе // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 7, Стр. 79

Экспериментально показано существование при микроиндентировании упругой деформации поверхности нагружаемого участка кристалла, содержащей формирующийся отпечаток. Предложена методика, позволяющая определять величину этой упругой деформации в щелочно-галоидных кристаллах.
Федоров В.А., Карыев Л.Г., Глушков А.Н. Об упругом деформировании индентируемой поверхности щелочно-галоидных кристаллов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 7, Стр. 72

Теоретически исследуется влияние диссипативных процессов на характер распространения магнитозвуковых волн в кубическом ферромагнетике при действии внешних напряжений с \sigma|| [111]. Показано, что, когда магнетик находится в одной из симметричных фаз ( M0|| [111], M0|| [110]), магнитоупругие волны являются слабозатухающими и могут менять характер по мере приближения к точке спин-переориентационного фазового перехода. Установлено также, что скорости распространения и затухания квазифононов обладают анизотропией, которой можно регулировать с помощью внешних напряжений.
Вахитов Р.М., Гриневич В.В., Ряхова О.Г. Анизотропия затухания магнитоупругих волн в кристаллах-пластинах (111) с комбинированной анизотропией // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 7, Стр. 68

Проведено экспериментальное исследование размера, формы и структуры зоны оплавления при лазерной перекристаллизации поверхностных слоев многокомпонентного сплава на основе Fe--C в диапазоне скорости сканирования лазера от 0.01 до 0.167 m/s. На основе модели локально неравновесного затвердевания сформулирована система уравнений для расчета температурного и концентрационного полей. Применение гипотезы маргинальной устойчивости роста кристаллов позволило определить характерный размер кристаллической структуры. Полученные результаты математического моделирования процесса перекристаллизации при лазерном воздействии показали хорошее соответствие экспериментальным данным и могут быть использованы для прогонозирования механических свойств в зоне оплавления в зависимости от энергетических режимов лазерного излучения и теплофизических свойств сплава.
Галенко П.К., Харанжевский Е.В., Данилов Д.А. Высокоскоростная кристаллизация конструкционной стали при лазерной обработке поверхности // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 48

Теоретически изучается влияние внешнего магнитного поля на однородные магнитные состояния кристалла-пластины (011) с комбинированной анизотропией. Показано, что \glqq включение\grqq магнитного поля приводит к понижению магнитной симметрии кристалла и изменению картины спин-переориентационных фазовых переходов в них, которая существенно зависит от величины и ориентации магнитного поля. Найдены кривые критических полей и определены общие закономерности перемагничивания пластины (011), обусловленные вращательным механизмом.
Вахитов Р.М., Гриневич В.В., Вахитова М.М. Влияние внешнего магнитного поля на ориентационные фазовые диаграммы кристалла-пластины (011) с комбинированной анизотропией // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 42

Изучены диффузионные процессы, происходящие при контакте высшего силицида марганца (ВСМ --- MnSi1.71-1.75) с хромом при повышенных температурах. Изучение микроструктуры литых и отожженных образцов показало, что на границе между ВСМ и Cr образуется диффузионная зона еще в процессе кристаллизации расплава ВСМ на чешуйках Cr. При термообработке с увеличением температуры и времени отжига образцов ВСМ--Cr толщина диффузионной зоны увеличивалась и появлялись слои новых фаз. Показано, что диффузия имеет реакционный характер. Рассчитаны коэффициенты диффузии марганца, хрома и кремния в твердом растворе на основе моносилицидов марганца и хрома и в твердом растворе на основе соединения Cr3Si. Показано, что при оптимальной рабочей температуре ВСМ в качестве положительной ветви термоэлемента время истощения слоя хрома толщиной 10 mum превышает 15000 h. Интерметаллические фазы, формирующиеся в диффузионной зоне между ВСМ и Cr, обладают металлическим типом проводимости и высокими значениями теплопроводности, что позволяет избежать больших потерь энергии в контактных слоях термоэлементов.
Петрова Л.И., Дудкин Л.Д., Федоров М.И., Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Еремин И.С. Исследование физико-химического взаимодействия в контакте высшего силицида марганца с хромом // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 38