Предложен метод определения параметров модельного потенциала межатомного взаимодействия из сравнения экспериментальных и теоретических значений проективных пробегов ионов. Определены параметры потенциала взаимодействия ионов Bi, Pb, Au, Yb, Er, Eu, Cs, Xe, Sn, Rb, Kr, Ga и Cu с атомами углерода и бора.
Шейкин Е.Г. Определение параметров модельного потенциала взаимодействия из сравнения экспериментальных и теоретических значений пробегов ионов в аморфном веществе // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 63

Проведено численное моделирование процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии на его поверхность наносекундного излучения рубинового лазера с учетом кинетики фазовых превращений на основе уравнения Колмогорова. Для описания фазовых переходов привлекался двухмерный механизм зародышеобразования и роста новой фазы. Показано, что временные зависимости степени перегрева монокристалла и переохлаждения жидкой фазы соответственно на стадиях плавления и кристаллизации кремния носят немонотонный характер и определяются кинетикой фазовых превращений. Максимальные значения степени перегрева и переохлаждения составляют ~100 K.
Жвавый С.П. Моделирование процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии наносекундного лазерного излучения // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 58

Найдена зависимость среднего размера частиц дисперсной фазы от физических параметров системы (температуры, плотности и скорости звука в веществе). С помощью обобщенного уравнения Фоккера--Планка вычислена функция распределения этих частиц по размерам. Доказано, что в реальных физических случаях полученная бинарная функция распределения может описать большое количество экспериментальных результатов. Строго аналитически показано, что в условиях сдвигового воздействия на вязкокристаллическую структуру образуется мелкодисперсная фаза (порошок). Показано, что вид функции распределения не зависит от внешнего воздействия и является инвариантным как в условиях седиментации, так и в условиях действия перепада давлений.
Гладков С.О. К вопросу турбулизации вязкокристаллической фазы // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 40

Показано, что при некоторых условиях процесс роста новой фазы приобретает характер кооперативного оптического явления, причем теплота фазового перехода выделяется в виде последовательности импульсов сверхизлучения (фазовопереходное излучение). Рассмотрены вопросы оптического управления ростом новой фазы и влияния оптических характеристик веществ на кинетику фазовых переходов.
Салль С.А., Смирнов А.П. Фазовопереходное излучение и рост новой фазы // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 35

Рассмотрено изменение ориентации директора нематического жидкого кристалла в поле световой волны при равномерной освещенности. Для нормального падения получена система уравнений, описывающая распределение угла наклона директора с учетом конечной энергии взаимодействия нематика с подложкой. Исследована зависимость профиля распределения директора при полях значительно выше пороговых от интенсивности падающего света и энергии сцепления.
Гольдбурт М.В., Романов В.П., Федоров Д.О. Поперечная структура жидкого кристалла в поле световой волны // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 6, Стр. 70

Выполнено расчетное исследование влияния перераспределения тока в стабилизирующей матрице комбинированного сверхпроводника с неравномерным распределением сверхпроводящей компоненты по сечению на скорость распространения нормальной зоны. Анализ задачи в безразмерных переменных позволил выделить параметры, определяющие значимость рассматриваемого эффекта. Получены параметрические зависимости скорости распространения нормальной зоны при условиях охлаждения, не обеспечивающих стационарную стабилизацию.
Лысенко В.В. Влияние перераспределения тока в матрице комбинированного сверхпроводника на распространение нормальной зоны // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 6, Стр. 67

В монокристалле антимонида индия экспериментально изучено динамическое поведение системы: винтовая дислокация-примесная атмосфера в результате электромагнитного воздействия на материал. Обнаружено локальное поглощение электромагнитной энергии в рассматриваемой системе, приводящее к развитию релаксационных процессов, в результате которых изменяется энергия системы и, как следствие, ее динамические свойства. Замечательным является то, что активность системы к электромагнитному воздействию обусловлена наличием примесных атмосфер на неактивных к взаимодействию винтовых дислокациях.
Алексеенко В.И. Реакция системы дислокация--примесь на электромагнитное воздействие // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 6, Стр. 63

Недавними экспериментальными и теоретическими исследованиями было показано, что сила трения покоя в "атомно-плотном" контакте двух кристаллических тел отсутствует при условии, что периоды их кристаллических решеток несоизмеримы, а взаимодействие на поверхности раздела не превышает определенного критического значения. В этом случае единственными механизмами трения являются излучение фононов и возбуждение электронов проводимости. Проведены теоретические оценки как фононного, так и электронного вкладов в силу трения (последнего как в нормальном, так и в сверхпроводящем состоянии металла).
Попов В.Л. Электронный и фононный механизмы трения в атомно-плотном контакте кристаллических твердых тел при низких температурах // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 5, Стр. 51

Исследуется дифференциальная проводимость в условиях поперечного убегания горячих электронов. Рассмотрены приближения квазиупругого рассеяния и электронной температуры в условиях равновесия и разогрева фононной подсистемы. Показано, что в обоих приближениях дифференциальная проводимость при поперечном убегании становится равной бесконечности, не меняя при этом знак. Разогрев фононов задерживает поперечное убегание.
Качлишвили З.С., Метревели Н.К., Чумбуридзе Ф.Г. Дифференциальная проводимость при поперечном убегании горячих электронов // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 5, Стр. 48

Изучено движение квантов магнитного потока (флаксонов) в длинных джозефсоновских переходах под действием постоянного и случайного токов. Вычислена функция распределения скоростей флаксонов, которая является негауссовой даже в отсутствие постоянной компоненты тока. Как следствие, вольт-амперная характеристика шумового перехода отличается от данной зависимости для регулярного перехода. Показано, что зависимость разности напряжений для переходов с шумовой компонентой тока и без нее имеет немонотонный характер. Данные расчетов находятся в хорошем согласии с результатами численного моделирования.
Абдуллаев Ф.Х., Джумаев М.Р., Цой Э.Н. Динамика флаксонов в джозефсоновских переходах под действием шумового тока // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 5, Стр. 43