На примере "модельного" материала --- селенида меди рассмотрены термодинамические аспекты диагностики, профилактики и подавления роста новообразований в смешанных электронно-ионных проводниках.
Коржуев М.А. О подавлении роста новообразований в смешанных электронно-ионных проводниках // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 11, Стр. 67

С помощью метода измерения внутреннего трения изучались структурно-энергетический спектр состояний висмутсодержащего оксидного стекла, чувствительность этих состояний к воздействию импульсного магнитного поля, термодинамическая и кинетическая устойчивость возбужденной импульсным магнитным полем структуры. Установлено влияние импульсного магнитного поля на структурные состояния, приводящее к необратимым изменениям структуры стекла и параметров его кристаллизации. Обнаружено, что эффективность воздействия импульсного магнитного поля на исследуемый материал определяется и параметрами поля, и структурно-энергетическим состоянием материала, а само воздействие носит термоактивируемый релаксационный характер. Определены оптимальные условия магнитоимпульсного воздействия на стекло.
Алексеенко В.И. Возможности влияния импульсного магнитного поля на структурные состояния в оксидном стекле // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 50

Используя интерферометрическую методику регистрации скорости свободной поверхности мишени при плоском ударном нагружении, в работе экспериментально показано, что уменьшение амплитуды импульса сжатия обусловлено нестационарностью процессов на мезоуровне --- уменьшение амплитуды тем больше, чем больше скорость изменения дисперсии скорости мезочастиц. Теоретически показано, что влияние скорости нагружения на величину откольной прочности материала при плоском соударении сказывается только при ненулевой дисперсии скорости частиц. Методами количественной фрактографии проведен фрактальный анализ откольных поверхностей стальных образцов. Получено выражение, связывающее фрактальную размерность поверхности откольного разрушения с величиной дисперсии скорости частиц на мезоуровне. Для типичных значений параметров импульса нагрузки, при которых реализуется тыльный откол, значение фрактальной размерности удовлетворительно согласуется со значениями фрактальной размерности для триадных островков Коха.
Барахтин Б.К., Мещеряков Ю.И., Савенков Г.Г. Динамические и фрактальные свойства стали СП-28 в условиях высокоскоростного нагружения // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 43

Рассмотрено напряженное состояние бесконечной матрицы и "впаянного" в нее длинного цилиндрического включения из скрученного многожильного композитного сверхпроводника с центральной областью из нормального металла, обусловленное взаимодействием продольной составляющей транспортного тока с внешним однородным магнитным полем. Показано, что для расчета макроскопических напряжений в NbTi--Cu проводе, помещенном в эпоксидную матрицу, может использоваться приближение однородного провода с усредненными упругими свойствами.
Девяткин Е.А. Напряженное состояние матрицы и включения из скрученного многожильного сверхпроводника с нормально проводящей центральной областью при взаимодействии продольного тока с поперечным магнитным полем // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 39

Рассмотрено влияние многократных потерь и захватов электронов на процесс формирования прерывистых треков от высокоэнергетических ионов в кристаллах. Предлагаемая модель флуктуации заряда позволяет количественно оценить продольные размеры дефектов в прерывистом треке, в то время как расширенная модель термического пика, учитывающая кулоновское расталкивание, дает разумные значения для поперечных размеров дефектов.
Белый В.А., Комаров Ф.Ф. Флуктуационный механизм формирования прерывистых треков быстрыми ионами в кристаллах // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 9, Стр. 42

Рассчитаны сечения излучения одиночных жестких фотонов, излучаемых электронами с энергиями 150--1000 GeV при прохождении через ориентированные кристаллы под малыми углами к кристаллографическим осям. В расчетах наряду с излучением в непрерывном потенциале учитывался также вклад в спектр некогерентного излучения на отдельных атомах кристалла. Расчеты сравниваются с обычным спектром Бете--Гайтлера для толстой аморфной мишени с учетом поглощения фотонов за счет образования электрон-позитронных пар. Показано, что в рассматриваемой области энергий ориентированный кристалл может быть более эффективен, чем толстая аморфная мишень, для получения большего числа жестких гамма-квантов с энергиями, соизмеримыми с энергией излучающих электронов.
Хоконов А.Х., Хоконов М.Х. Излучение одиночных гамма-квантов электронами с энергиями в сотни GeV в ориентированных кристаллах // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 9, Стр. 37

На основе разработанной теории прохождения тяжелых ионов низких энергий в веществе получены простые аналитические выражения для расчета средних значений проективных пробегов ионов и среднеквадратичных отклонений проективных пробегов. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пробегов тяжелых ионов с атомными номерами 29=<q Z1=<q 83 в мишенях из Be, B, C и Si. Наблюдается хорошее согласие теории с экспериментом.
Шейкин Е.Г. Пробеги тяжелых ионов низких энергий в бериллии, боре, углероде и кремнии // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 9, Стр. 33

Развит метод восстановления зависимости поверхностного импеданса высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) от амплитуды переменного магнитного поля Zs(H) из измерений нелинейных радиофизических характеристик СВЧ резонаторов на основе ВТСП. Показано, что неоднородность структуры электромагнитного поля в резонаторе приводит к интегральным уравнениям для Zs(H). Получены соответствующие интегральные уравнения для некоторых типов резонаторов. Проанализированы погрешности традиционных методов, использующих алгебраические соотношения для Zs(H). Для восстановления зависимостей Zs(H) из интегральных уравнений применен метод регуляризации Тихонова, развитый в теории некорректных обратных задач. Выполнены численные эксперименты по восстановлению Zs(H), из которых определены требования к точностям и другим характеристикам экспериментальных данных.
Гайкович К.П., Резник А.Н. Обратные задачи нелинейной электродинамики высокотемпературных сверхпроводников // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 8, Стр. 78

При радиационных воздействиях на твердые тела возникает состояние микроскопической неравновесности, связанное с отклонением функции распределения атомов по энергии колебаний от термодинамически равновесной. Получены выражения для неравновесной функции распределения и частот активационных переходов атомов из потенциальной ямы. Показано, что радиационное стимулирование диффузионных процессов связано с отклонением температурных зависимостей для частот переходов атомов из положений равновесия от аррениусовского закона. В условиях допороговых радиационных воздействий скорость диффузионных процессов больше для атомов, термализация колебаний которых происходит на больших временах, и линейно зависит от интенсивности облучения. В условиях запороговых радиационных воздействий сравнение расчетных и экспериментальных температурных зависимостей коэффициента диффузии позволяет определять характеристики каскадных областей в твердых телах --- размеры и энергию возбуждения колебаний атомов.
Степанов В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 8, Стр. 67

Решена задача о проводимости ударно сжатых пленочных металл--диэлектрик--металл (МДМ) структур на основе полиметилметакрилата численными и аналитическими методами. Получены аналитические выражения для проводимости МДМ структуры под воздействием твердых частиц со скоростями более 1 km/s, а также выходного напряжения конденсаторного датчика. Результаты численного и аналитического расчета проводимости (импульса тока) ударно сжатой структуры на качественном уровне совпадают.
Семкин Н.Д., Воронов К.Е. Проводимость ударно сжатых МДМ структур на основе полиметилметакрилата // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 8, Стр. 63