Экспериментально исследованы режимы формирования электронного пучка при повышенном давлении в криптоне, неоне, гелии и азоте. Показано, что при изменении давления криптона от 70 до 760 Torr, неона от 150 до 760 Torr и гелия от 300 до 4560 Torr пучки формируются из уб...
Экспериментально исследованы режимы формирования электронного пучка при повышенном давлении в криптоне, неоне, гелии и азоте. Показано, что при изменении давления криптона от 70 до 760 Torr, неона от 150 до 760 Torr и гелия от 300 до 4560 Torr пучки формируются из убегающих электронов в тот момент, когда плазма в разрядном промежутке приближается к аноду и начинает выполняться нелокальный критерий убегания электронов. Проведены расчеты, моделирующие предыонизацию разрядного промежутка быстрыми электронами, демонстрирующие, что для обеспечения предыонизации разрядного промежутка длительность фронта импульса напряжения при атмосферном давлении должна быть субнаносекундной.
Алексеев С.Б., Орловский В.М., Тарасенко В.Ф., Ткачев А.Н., Яковленко С.И. О режиме формирования электронного пучка в газовом диоде при высоком давлении // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 12, Стр. 89