Магнитооптическим методом исследовано поведение доменной структуры тонких пластинок гематита во внешнем магнитном поле. Обнаружено, что в кристаллах, имеющих внутренние напряжения, в некотором интервале магнитного поля, приложенного в базисной плоскости в направлении трудной оси намагничивания, возникает магнитная сверхструктура с осциллирующим вдоль направления магнитного поля азимутом вектора ферромагнетизма. Полученные экспериментальные результаты обсуждаются в рамках теории магнитной ряби.
Караев А.Т., Соколов Б.Ю. Влияние внутренних ростовых напряжений на процесс намагничивания кристаллов гематита в базисной плоскости // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 130

Исследованы поверхностно-барьерные фотодиоды, полученные вакуумным напылением полупрозрачного слоя золота на монокристаллы Hg3In2Te6. Приведены вольт-амперные характеристики при температурах 5-50oC и спектры фоточувствительности в актуальном для волоконно-оптической связи диапазоне 0.6-1.8 mum. Механизмы переноса заряда интерпретируются в рамках генерации--рекомбинации в области пространственного заряда диодной структуры.
Косяченко Л.А., Паранчич Ю.С., Макогоненко В.Н., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Герман И.И. Электрические свойства поверхностно-барьерной фотодиодной структуры на основе HgInTe // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 126

Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) при протекании через него тока. Найдена аналитическая связь выходных напряжений фотоприемника, имеющего пять линейных омических контактов, расположенных определенным образом по краям диска, с величиной тока и координатами локальной засветки. Экспериментальные данные свидетельствуют о возможности использования таких фотоприемников в качестве двукоординатных датчиков световых сигналов.
Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Сорочан В.В., Цирулик Л.Д. Двукоординатные фотодатчики на основе однородных проводящих полупроводниковых пленок // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 123

Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe : V) с концентрацией примеси 5·1018 cm-3, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr--CdTe : V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства.
Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Танасюк Ю.В., Юрценюк Р.Н. Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 120

В рамках резистивной модели исследуется динамика туннелирования куперовской пары в режиме кулоновской блокады в малых джозефсоновских переходах. Получена зависимость времени задержки и термических флуктуаций края кулоновской блокады от скорости нарастания напряжения на переходе.
Аскерзаде И.Н. Влияние кулоновской блокады куперовских пар на динамические свойства малых джозефсоновских переходов // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 140

В первом приближении найдена следующая формула, выражающая зависимость вязкости воды от температуры и давления: eta=eta0exp[ ap+ (E-bp)/(R(T-theta-cp)) ], где p --- давление; E, eta0, theta, a, b, c --- постоянные величины. Во втором приближении получена формула, в которой появляется квадратичный член по давлению и коэффициенты при давлениях зависят от температуры.
Лихачев Е.Р. Зависимость вязкости воды от температуры и давления // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 135

В рамках допущения о квазистационарности процесса рассчитаны давление и радиус канала искрового разряда в воде. Показано, что определяющим параметром является \glqq интеграл действия\grqq S=\intlimits0ti2dt, где i --- ток в канале. Результаты расчета слабо зависят от проводимости, что позволяет принять допущения о ее постоянстве. Полученные формулы применимы для оценок в случае разряда вдоль оси цилиндрической камеры, заполненной водой, если деформация стенки за время разряда пренебрежимо мала, а длительность импульса в несколько раз больше времени распространения звука в воде от оси до стенки камеры. В области относительно малых давлений (P=<108 Pa) имеет место зависимость P~ R-4/3, где R --- радиус камеры.
Шнеерсон Г.А. Оценка давления при медленных режимах искрового разряда в цилиндрической камере, заполненной водой // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 3, Стр. 100

Показано, что главной причиной значительного разброса экспериментальных значений поверхностного натяжения (sigma) алюминия является адсорбция молекул остаточной газовой фазы вакуумных камер. С помощью предлагаемой методики обработки кинетических кривых sigma(theta) для алюминия получено значение sigma=1070 mJ/m2.
Калажоков Х.Х., Калажоков З.Х., Хоконов Х.Б. Поверхностное натяжение расплава чистого алюминия // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 141

Предложены новые выражения для закона сопротивления и безразмерного момента сил для турбулентного течения Тэйлора--Куэтта, исходя из обобщенной модели локального баланса турбулентной энергии. Эти формулы содержат единственную постоянную --- постоянную Кармана в случае предельно больших чисел Рейнольдса.
Балонишников А.М. Закон сопротивления для турбулентного течения Тэйлора--Куэтта при очень больших числах Рейнольдса // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 139

Представлены результаты исследования электролюминесцентных источников света на основе пластически деформированных монокристаллов ZnSe : Mn. Показано, что эффективность излучения электролюминесцентного источника света зависит от концентрации примеси марганца и места в монокристаллической буле ZnSe : Mn, из которого вырезают плоскопараллельную пластину.
Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А. Электролюминесцентные источники света на основе монокристаллов ZnSe : Mn с оптимальными яркостными характеристиками // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 133