Показано, что потенциал в поверхностном слое кристалла несколько отличается от потенциала в глубине кристалла. Это отличие крайне мало, порядка 3%. Показано также, что толщина слоя, в котором имеет место это изменение, пренебрежимо мала по сравнению с длиной деканалирования.
...
Показано, что потенциал в поверхностном слое кристалла несколько отличается от потенциала в глубине кристалла. Это отличие крайне мало, порядка 3%. Показано также, что толщина слоя, в котором имеет место это изменение, пренебрежимо мала по сравнению с длиной деканалирования.
Корхмазян Н.А., Корхмазян Н.Н., Бабаджанян Н.Э. Потенциал плоскостного каналирования в поверхностном слое кристалла LiH // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 12, Стр. 98