Проведено теоретическое описание ориентационных свойств сегнетоэлектрического смектика C*, образующего шевронную структуру в ограниченной ячейке, в слабом внешнем электрическом поле. Рассчитаны два пространственных распределения директора, между которыми происходит переход при изменении направления внешнего поля на противоположное. Показано, что в данном переходе должен наблюдаться гистерезис и оценена величина порогового поля, приводящего к переориентации директора, при изменении направления поля.

В рамках континуальной модели описания жидких кристаллов численными методами исследована система нелинейных уравнений, описывающая поверхностно-стабилизированный сегнетоэлектрический смектик C* в геометрии "шеврона". Исследованы устойчивые ориентационные и структурные конфигурации и проведено сравнение с результатами, полученными из упрощенных моделей. Найдена высота потенциального барьера, разделяющего две устойчивые конфигурации, исследован переход между ними под действием внешнего электрического поля. Показано, что эффект носит пороговый характер. Исследована зависимость порогового поля от толщины пленки.

В рамках вариационного подхода получены уравнения, описывающие ориентацию молекул в тонкой свободно подвешенной пленке сегнетоэлектрического смектика C*, помещенной в постоянное электрическое поле, направленное вдоль поверхности пленки. В результате решения уравнения Эйлера-Лагранжа найдена равновесная конфигурация ориентаций директора. Показано, что внешнее поле переориентирует молекулы жидкокристаллической пленки, причем этот эффект носит беспороговый характер.

В тонких пленках полиариленфталидов наблюдаются переходы из диэлектрического в высокопроводящее состояние. Настоящая работа посвящена исследованию температурной зависимости проводимости тонких пленок широкозонных полимерных диэлектриков, определению характера релаксации избыточного заряда и выявлению механизмов его переноса в области, предшествующей переходу в высокопроводящее состояние. Показано, что в пленочных образцах полиариленфталидов основным механизмом переноса заряда является прыжковый транспорт по ловушечным состояниям в запрещенной зоне. PACS: 73.61.-r
Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Бунаков А.А. Перенос заряда втонких полимерных пленках полиариленфталидов // ФТТ, 2007, том 49, выпуск 1, Стр. 179

Впервые исследована структура пленок органического вещества биологической природы --- прополиса --- на неорганических подложках. Обнаружено, что несмотря на сложный химический состав (в состав входит более 300 различных компонентов), пленкам прополиса, полученным из спиртового раствора на аморфных стеклянных подложках и на полупроводниковых подложках с низким числом оборванных связей, свойственна кристаллическая структура. PACS: 61.10.Nz, 61.66.Hq
Драпак С.И., Бахтинов А.П., Гаврилюк С.В., Прилуцкий Ю.И., Ковалюк З.Д. Рентгеновские исследования структуры пленок прополиса // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 8, Стр. 1515

На примере нематических жидких кристаллов 7СВ и 7ОСВ демонстрируется методика восстановления функции распределения времен релаксации (ФРВР) по измеренным в широкой области частот спектрам диэлектрической проницаемости. Минимизация целевой функции, представляющей собой сумму квадратов отклонений рассчитанных и измеренных значений диэлектрической проницаемости, проведена с помощью пакета программ Mathcad. Показано, что при параллельной ориентации директора молекул относительно направления поляризации переменного электрического поля вид ФРВР отвечает дебаевской модели процесса релаксации, однако в области малых времен, описывающих высокочастотную часть диэлектрического спектра, наблюдаются небольшие отклонения. При перпендикулярной ориентации директора на распределениях времен релаксации обнаружены особенности, наиболее сильно проявляющиеся в жидком кристалле 7ОСВ, которые, по-видимому, отражают внутримолекулярные движения жесткого остова и фрагментов алкильного \glqq хвоста\grqq. Авторы выражают признательность Российскому фонду фундаментальных исследований за поддержку работы (грант N 03-03-32470). PACS: 77.84.Nh, 61.30.Gd
Беляев Б.А., Дрокин Н.А., Шабанов В.Ф. Восстановление функций распределения времен релаксации жидких кристаллов7СВ и7ОСВ подиэлектрическим спектрам // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 916

Проведено исследование дипольного момента и релаксации диэлектрической поляризации низкомолекулярного жидкого кристалла (ЖК) мономера 4-[omega/2-пропеноилокси/-пентилокси]-4'-цианобифенила (ЦБО-5А) в мезоморфном состоянии, в изотропном расплаве и растворе в хлороформе в отсутствие внешних ориентирующих полей. Изучение дипольной поляризации в ЦБО-5А в растворе в хлороформе (x2~0.0566 mol/mol) показало, что температурный ход диэлектрической проницаемости и дипольного момента с понижением температуры фиксирует ассоциирование молекул с фактором Кирквуда g=0.77. Обнаружено, что в изотропном расплаве величина g=0.55. Значение g
Степанова Т.П., Губанова Г.Н., Погребная А.Н., Капралова В.М. Дипольный момент имеханизм молекулярного движения вцианобифенилсодержащем жидкокристаллическом мономере вблоке ирастворе вотсутствие внешних ориентирующих полей // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 355

Представлены результаты исследования магнитной структуры плоского наномостика, состоящего из двух пленочных ферромагнитных электродов, соединенных наноразмерной перемычкой из того же материала. Благодаря своим магниторезистивным свойствам такие структуры представляют значительный интерес для микроэлектроники. С помощью методов численного микромагнетизма промоделировано явление выхода доменной стенки из центра перемычки наномостика при изменении константы анизотропии системы. Получена фазовая диаграмма, позволяющая определять возможные магнитные состояния реальных наномостиков. Построена аналитическая модель, в рамках которой описан механизм фазовых превращений. С ее помощью объяснен вид фазовой диаграммы наномостика. В некоторой области параметров фазовые превращения магнитной структуры наноконтакта могут формально описываться с помощью теории фазовых переходов Ландау. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты NN 04-02-17600, 05-02-16997), INTAS (грант 03-51-4943).
Звездин К.А., Хвальковский А.В. Фазовые превращения магнитной структуры впленочных наномостиках // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 6, Стр. 1137

В широком диапазоне частот 30-5000 MHz измерены температурные зависимости действительной компоненты диэлектрической проницаемости жидкого кристалла 4-н-пентил-4-цианобифенил в окрестности фазового перехода нематик--изотропная жидкость в температурном интервале 20-60oC. Установлено, что дисперсия продольной компоненты диэлектрической проницаемости хорошо описывается суммой двух дебаевских процессов, сильно различающихся по временам релаксации. Определен характер температурных и частотных изменений меньшего времени релаксации, обеспечивающий наилучшее согласие расчета и эксперимента. Авторы выражают признательность Российскому фонду фундаментальных исследований за поддержку работы (грант N 03-03-32470).
Беляев Б.А., Дрокин Н.А., Шабанов В.Ф. Температурные исследования диэлектрических характеристик жидкого кристалла5СВ вобласти релаксации // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 4, Стр. 738

Изучается влияние неоднородных граничных условий --- ориентации директора --- на особенности образования и существования структурных дефектов в закрученных на 90o (твист-структуры) нематических жидких кристаллах (НЖК) в режиме электрогидродинамической неустойчивости (ЭГДН). Обнаружено, что в отличие от планарно ориентированных нематиков, в которых при ЭГДН в доменной структуре образуются дефекты с топологическим индексом ± 1, в закрученных НЖК наряду с последними присутствуют дефекты с топологическим индексом 0. Показано, что структурные дефекты с индексом 0 устойчивы и существуют благодаря наличию аксиальной компоненты скорости  ua течения НЖК в доменах. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант 02-02-17435) и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (грант N Б0065).
Скалдин О.А., Якупова Г.Р., Делев В.А., Лебедев Ю.А., Назаров А.А. Особенности структурных дефектов взакрученных нематиках врежиме электрогидродинамической неустойчивости // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 361