Проведено теоретическое описание ориентационных свойств сегнетоэлектрического смектика C*, образующего шевронную структуру в ограниченной ячейке, в слабом внешнем электрическом поле. Рассчитаны два пространственных распределения директора, между которыми происходит переход при изменении направления внешнего поля на противоположное. Показано, что в данном переходе должен наблюдаться гистерезис и оценена величина порогового поля, приводящего к переориентации директора, при изменении направления поля.

В рамках континуальной модели описания жидких кристаллов численными методами исследована система нелинейных уравнений, описывающая поверхностно-стабилизированный сегнетоэлектрический смектик C* в геометрии "шеврона". Исследованы устойчивые ориентационные и структурные конфигурации и проведено сравнение с результатами, полученными из упрощенных моделей. Найдена высота потенциального барьера, разделяющего две устойчивые конфигурации, исследован переход между ними под действием внешнего электрического поля. Показано, что эффект носит пороговый характер. Исследована зависимость порогового поля от толщины пленки.