В рамках континуальной модели описания жидких кристаллов численными методами исследована система нелинейных уравнений, описывающая поверхностно-стабилизированный сегнетоэлектрический смектик C* в геометрии "шеврона". Исследованы устойчивые ориентационные и структурные конфигурации и проведено сравнение с результатами, полученными из упрощенных моделей. Найдена высота потенциального барьера, разделяющего две устойчивые конфигурации, исследован переход между ними под действием внешнего электрического поля. Показано, что эффект носит пороговый характер. Исследована зависимость порогового поля от толщины пленки.