Найдено научных статей и публикаций: 24   
1.

Выбор уровня детальности при непрерывном упрощении поверхностей полигональных объектов        

Садыков C.С., Захаров А.А. - Вычислительные методы и программирование , 2003
В статье рассматривается способ выбора уровня детальности, связывающий геометрическую сложность и расстояние от объекта до наблюдателя. Приводится краткий обзор методов уменьшения геометрической сложности. Предложен способ упрощения полигональной модели, использующий последовательное удаление вершин объекта. Выведено соотношение между количеством удаляемых вершин и расстоянием между объектом и наблюдателем, позволяющее однозначно определить уровень детальности.
2.

Упрощенный способ измерения концентрации фтора на поверхности поливинилиденфторида и продуктов его частной карбонизации     

Л.А.Песин, И.В.Воинкова, С.Е.Евсюков, И.В.Грибов, В.Л.Кузнецов, Н.А.Москвина - Известия Челябинского научного центра , 2004
Л.А.Песин, И.В.Воинкова, С.Е.Евсюков, И.В.Грибов, В.Л.Кузнецов, Н.А.Москвина. Упрощенный способ измерения концентрации фтора на поверхности поливинилиденфторида и продуктов его частной карбонизации. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 4(26), 2004
3.

Метод излучательности с упрощенным расчетом форм-факторов. аспекты параллельной реализации.     

Саттаров М.А. - Graphicon conference , 2002
Саттаров М.А. Метод излучательности с упрощенным расчетом форм-факторов. Аспекты параллельной реализации. // Graphicon 2002 proceedings, http://www.graphicon.ru/2002/
4.

Исследование электромагнитной квадрупольно-октупольной линзы упрощенной конструкции     

Овсянникова Л.П., Фишкова Т.Я. - Журнал Технической Физики , 2001
На основе аналитических выражений для распределения потенциала численно рассчитаны траектории пучков заряженных частиц в электромагнитной квадрупольно-октупольной линзе упрощенной конструкции. Получены положения фокусов в пространстве изображения этой линзы в широком диапазоне изменения начальных условий. Найдены соотношения между электростатической и магнитной составляющими линзы, обеспечивающие коррекцию хроматической аберрации для удаленных от оси пучков, иные, чем в классическом случае. Рассчитаны фазовые эллипсы на выходе из линзы в случае пучков, занимающих на входе большую часть апертуры и найдены условия их преобразования с наименьшими искажениями.
5.

Упрощенное описание мелкомасштабной турбулентности     

Балонишников А.М. - Журнал Технической Физики , 2003
Дано упрощенное описание мелкомасштабной неизотропной турбулентности в виде системы трех интегродифференциальных уравнений в одномерном импульсном пространстве или системы трех дифференциальных уравнений в частных производных в модифицированном одномерном физическом пространстве. В первом случае неизвестными функциями являются три коэффициента разложения неустойчивой поляризационной фурье-компоненты пульсационной составляющей скорости в ряд Тейлора около наиболее неустойчивого направления; независимыми переменными являются модуль волнового вектора и временная координаты.
6.

Упрощенный метод описания эволюции температуры плазмы токамака с нарастающим магнитным островом     

Сперанский Н.Н. - Журнал Технической Физики , 2006
Описан новый простой метод решения уравнения теплопроводности с учетом теплопереноса вдоль силовых линий в плазме токамака с нестационарным магнитным островом. Метод, проиллюстрированный на простейшем численном примере, позволяет свести трехмерную задачу эволюции температуры плазмы токамака в присутствии нескольких магнитных островков к системе одномерных уравнений. PACS: 52.55.Fa
7.

Применимость упрощенной модели шокли--рида--холла для полупроводников сразличными типами дефектов     

Яшин А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.
8.

Построение упрощенных критических областей для проверки сложных гипотез     

Власов В.а., Станкевская Р.с. - Научная сессия МИФИ-2000. Ч.5 Биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Медицинская физика. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики , 2000
Власов В.а., Станкевская Р.с. Построение упрощенных критических областей для проверки сложных гипотез // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.5 Биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Медицинская физика. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 73-74
9.

К вопросу о сущности упрощенной системы налогообложения     

Васнев С.а. - Научная сессия МИФИ-2003. Т.6 Актуальные проблемы гуманитарных наук. Проблемы университетского образования. Экономика и управление , 2003
Васнев С.а. К вопросу о сущности упрощенной системы налогообложения // Научная сессия МИФИ-2003. Т.6 Актуальные проблемы гуманитарных наук. Проблемы университетского образования. Экономика и управление, стр. 112-113
10.

Динамическое упрощение трехмерных объектов     

Мырза И.в., Гаращенко М.с. - Научная сессия МИФИ-2004. Т.2 Технологии разработки программных систем. Информационные технологии , 2004
Мырза И.в., Гаращенко М.с. Динамическое упрощение трехмерных объектов // Научная сессия МИФИ-2004. Т.2 Технологии разработки программных систем. Информационные технологии, стр. 32-33