Исследованы характеристики Si : Er : O-светодиодных структур, изготовленных методом ионной имплантации на (111)-ориентированных монокристаллических подложках кремния и работающих в режимах как лавинного, так и туннельного пробоя p-n-перехода. Интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ немонотонно зависит от концентрации введенных ионов редкоземельного элемента. В некоторых туннельных диодах обнаружен эффект возгорания интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ при увеличении температуры.

Сообщаются результаты исследования светодиодов, работающих в средней инфракрасной области спектра (lambda=1.7-1.9 мкм). Подложечная часть светодиодных кристалликов на основе GaSb после химической огранки приобрела конусно-пирамидальную форму, и число граней кристаллика увеличилось с6 до10. Исследование спектров излучения и диаграмм направленности показало, что химическая огранка кристаллика увеличивает внешний квантовый выход излучения и делает диаграмму направленности почти полусферической.

Исследована статистика носителей в светодиодных структурах с многослойными сверхтонкими внедрениями InGaN в матрице GaN. Оптические данные свидетельствуют о формировании в исследованных структурах массива квантовых точек, имеющих разброс по размерам, что приводит к неоднородному уширению энергетического спектра носителей, локализованных в квантовых точках. Показано, что, несмотря на слабый транспорт носителей между квантовыми точками, при температурах порядка комнатной и выше носители распределяются на уровнях массива квантовых точек квазистатистически. Это позволяет описывать процессы инжекции и рекомбинации носителей в исследованных приборных структурах с позиции квазиуровней Ферми для электронов и дырок.

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd

Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. Врезультате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~ 1 А/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией. Падение же квантового выхода при плотностях тока J>10 А/см2 связано с уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область. Показано, что в этом эффекте важную роль играет заглубление энергетического уровня акцепторов в эмиттереAlGaN, а также малые значения подвижностей электронов и дырок в p-области. Предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb.

Сергеева Е.Н. Применение монохромного некогерентного светодиодного излучения в комплексном лечении ожогов кожи у детей: автореф. дис. ... канд. мед. наук : 14.00.51. - M, 2010.

Сапожников А.В. ЛЕЧЕНИЕ ИНФИЦИРОВАННЫХ КОЖНО–МЫШЕЧНЫХ РАН У СОБАК СВЕТОДИОДНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ КРАСНОГО ДИАПАЗОНА (экспериментально-клинические исследования) : автореф. дис. ... канд. вет. наук : 16.00.05. - M, 2007.

Ремизов Д.Ю. Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01. - M, 2008.

Гужов С.В. Разработка методики расчёта установившихся режимов ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЕЙ НАРУЖНОГО освещения с учётом нелинейных характеристик светодиодных светильников : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.03. - M, 2006.

Гигиенические аспекты светодиодных ламп/Прокофьева Е.С., Жуков В.В., Логашова Н.Б. /ГБОУ ВПО Саратовский ГМУ им. В.И. Разумовского Минздрава РоссииКафедра медико-профилактического факультетаВведениеСветодиодные лампы - это современная альтернатива традиционной лампе накаливания.Светодиодные энергосберегающие лампы предназначены для использования, как на улице, так и внутри помещения, сочетают в себе традиционное исполнение (цоколь Е-27, Е-14, MR-16, GU-10) и высокую надежность, отсутствие ультрафиолетового и инфракрасного излучения вредного для здоровья, высокую насыщенность и чистоту цвета.Такие лампы экономичны и имеют энергопотребление на 80% меньше чем у ламп накаливания, обладают высокой ударной и вибрационной устойчивостью. В светодиодных лампах отсутствует газонаполнение, они почти не нагреваются, срок их службы может доходить до 100 000 часов. Эти лампы не содержат ртути, что делает их безопасными в плане загрязнения окружающей среды.С целью определения возможности применения светодиодного освещения и светодиодных светильников НИИ гигиены и охраны здоровья детей и подростков Учреждения РАМН ФГБУ «Научный центр здоровья детей» РАМН при участии сотрудников ГП «Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН» и Научно-исследовательского института строительной физики Российской Академии Архитектуры и строительных наук были проведены исследования психофизиологического воздействия светодиодного освещения и светодиодных светильников на организм человека, которые показали возможность применения светодиодного освещения и светодиодных светильников в жилых и общественных зданиях, в учреждениях общего и начального профессионального образования, а также в детских оздоровительных организациях.Однако, при использовании в системах общего освещения в помещениях общественных зданий и в учебном процессе светильников со светодиодами должны соблюдаться гигиенические требования, направленные на обеспечение соответствия ряда качественных и количественных показателей освещения.ЗаключениеИнновационная светодиодная лампа - наиболее актуальный на сегодняшний день продукт новейших технологий, воплощенных в высококачественных, надежных электротехнических изделиях, которые прослужат долго. Использование светодиодных ламп позволит значительно сократить расходы на освещение, при этом не ухудшая его видимое качество и безопасность для здоровья человека и окружающей среды, а напротив – улучшая.Принцип размещения ламп в помещениях не меняется, технологии позволяют выпускать светодиодную лампу с обычным цоколем, то есть переоборудовать ничего не нужно.