Методом континуальной теории упругости проведено рассмотрение влияния анизотропии на взаимодействие частиц на поверхности Si(001). Рассмотрены два случая проявления эффекта анизотропии: анизотропия, вызванная анизотропными свойствами подложки и анизотропией самой поверхности Si(001), вызванной ее реконструкцией. Выявлены условия, при которых упругое взаимодействие частиц становится взаимодействием притяжения. Методом Монте-Карло проанализировано влияние анизотропного взаимодействия частиц на формирование их микроструктуры.

Кратко рассмотрено использование трохоидального и гипоциклоидального электронных спектрометров, применяющихся в современных экспериментальных методиках для исследования процесса рассеяния электронов атомами, ионами и поверхностью. Интервал углов сбора рассеянных электронов определяется режимом работы спектрометра и зависит от энергии столкновения. Для анализа структуры измеряемой энергетической зависимости S(E) использован аналитический формализм, отражающий как резонансные, так и нерезонансные особенности низкоэнергетического рассеяния. Выполненный теоретический анализ упругого рассеяния медленных (до 2 eV) электронов атомами Ca позволил интерпретировать наблюдаемую структуру S(E) как проявление 2D-резонанса формы. Проведено сравнение теоретических значений функции S(E), полного и дифференциального сечений рассеяния.

Приводятся полученные впервые результаты экспериментальных исследований дифференциального сечения упругого рассеяния электронов на угол 180o, а также полного сечения рассеяния электронов атомами кадмия в энергетической области 0-6 eV. В энергетической области вблизи порога и E~4 eV обнаружены четко выраженные резонансы формы с (5s25p)2P0- и 5s5p2-конфигурациями. Кроме того, в дифференциальном сечении в области 3-3.7 eV наблюдаются дополнительные особенности, которые, по-видимому, связаны с d-волновым резонансом формы. Найдено, что резонансный вклад в сечение обратного рассеяния в области ~4 eV составляет около 20%.

Описана методика измерений и получены относительные сечения прямой и диссоциативной ионизации молекул N2, O2, H2O и CO2 электронным ударом в припороговой области энергий. Эксперимент выполнен на установке с разделением и регистрацией ионов по массе при помощи монопольного масс-спектрометра. Показана возможность успешного применения этого прибора для такого рода экспериментов. Для области энергий налетающих электронов от 7 до 35 eV приведены энергетические зависимости сечений образования ионов основной молекулы и ионов-фрагментов, возникающих в результате ее диссоциации.

Предложено и проанализировано потенциально-резонансное описание характеристик упругого рассеяния электронов атомными системами в терминах энергетической зависимости сечения интегрального типа S(E), получаемой с использованием гипоциклоидального электронного спектрометра. На примере рассеяния медленных, до 2 eV, электронов атомами кальция, рассматривается проявление 2D-резонанса формы на поведение S(E). Особенности, минимум и максимум, экспериментальной функции S(E) использованы для определения энергии и ширины резонанса. Из экспериментальной энергетической зависимости S(E) также определены дифференциальные сечения рассеяния электронов. При этом использованы два типа углов рассеяния, несколько отличающиеся по величине. Восстановленные из экспериментальных данных дифференциальные сечения качественно совпадают с теоретическими и несколько меньше их по величине. PACS: 03.65.Nr, 61.14.-x

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик кремниевых p-i-n-структур впоперечном ктоку магнитном поле при температуре77 K. Особенности вольт-амперных характеристик имагниточувствительности при низких температурах объяснены суперпозицией анизотропных размерных эффектов, вызванных силой Лоренца имеждолинным перераспределением электронов. Это перераспределение всвою очередь может быть следствием либо полевого разогрева электронов (эффект Сасаки) вобъеме полупроводника, либо нарушением вблизи поверхности полупроводника взаимной компенсации поперечных потоков электронов, принадлежащих разным долинам.

Демидов В.М. Методы и средства цифровой коррекции изображения в оптико-электронных системах визуализации: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.07. - M, 2008.

Пнев А.Б. Оптико-электронные измерительные системы на основе квазираспределенных волоконно-оптических брэгговских датчиков: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.07. - M, 2008.

Сеник Б.Н. Асферические и градиентные элементы для оптического и оптико-электронного приборостроения. : автореф. дис. ... докт. техн. наук : 05.11.07. - M, 2007.

Фирсов Е.А. развитие и применение корреляционных методов обработки изображений в быстродействующих оптико-электронных следящих системах : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.07. - M, 2007.