Исследованы инжекционные гетеролазеры на квантовых точках, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что пороговая плотность тока при комнатной температуре может быть снижена до 15 А/см2 при уменьшении безызлучательной рекомбинации и при повышении степени локализации носителей. С помощью метода электропоглощения исследована плотность состояний в структурах с вертикально-связанными квантовыми точками.

В интервале температур T=80/500 K исследованы спектрально-кинетические характеристики рентгенолюминесценции кристаллов ZnSe, легированных Zn, Se и Te в процессе роста и отожженных (или неотожженных) в парах Zn. Для кристаллов ZnSe, выращенных из шихты стехиометрического состава или с примесью халькогенов, свойственны минимальный уровень послесвечения, а также резкое возрастание интенсивности РЛ и смещение ее максимума из инфракрасной области в красную после их отжига в цинке. Кристаллы ZnSe, выращенные из шихты, содержащей избыток Zn, имеют относительно низкий выход РЛ при значительном уровне послесвечения. Предполагается, что при выращивании кристаллов, активированных Te, в них генерируются термодинамически устойчивые комплексы VZnTeSe, являющиеся центрами излучательной рекомбинации. Введение избытка Zn в исходную шихту приводит к уменьшению концентрации VZn и, следовательно, центров излучательной рекомбинации. Показано, что при концентрациях свободных электронов n1018 см-3 наблюдается уменьшение tau с ростом n, которое не может быть объяснено в рамках этой простой модели. Предполагается, что в кристаллах с n>1018 см-3, полученных в результате длительного отжига в парах Zn, формируются центры излучательной рекомбинации нового типа.

Теоретически и экспериментально исследован эффект экстракции неосновных носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентной фотопроводимости при различных температурах на примере CdxHg1-xTe(x~ 0.2).

Представлен новый сублимационный метод очистки веществ в вакууме, основанный на фазовом превращении кристалл--пар--кристалл. Приведена принципиальная конструкция ростового реактора и основные параметры глубокой очистки соединения CdTe. С помощью низкотемпературной фотолюминесценции показана динамика очистки, характеризующаяся полным распадом различных комплексов и резким уменьшением концентрации как мелких, так и глубоких остаточных примесей. На финишном этапе очистки получен поликристаллический CdTe состава, близкого к стехиометрическому, в спектре фотолюминесценции которого полностью отсутствует примесное излучение и остается только экситонная часть. Экспериментально подтверждена необходимость глубокой очистки исходных компонент. Аналогичные результаты получены для ZnTe и ZnSe.

Исходя из эффекта Франца--Келдыша как механизма, ответственного за возникновение межзонной электромодуляционной компоненты E0, для ее моделирования предлагается обобщенная многослоевая модель. Вмодели учитываются такие физические параметры, как напряженность поверхностного электрического поля и профиль его спада в области пространственного заряда, энергетическое уширение и частичная модуляция поверхностного электрического поля. Показывается, что в моделируемых спектрах могут быть выделены три области--- низкоэнергетическая область, область главного пика и область высокоэнергетических осцилляций Франца--Келдыша. Исследуется воздействие модельных параметров на форму линии в этих областях. Путем количественного анализа экспериментальных спектров фотоотражения подложек CaAs и InP (n=1015 см-3-1018 cм-3) определяются области значений реальных параметров.

Исследуется влияние плотности лазерного возбуждения L на величину и характеристическую временную постоянную среднеполевой электромодуляционной компоненты спектров фотоотражения, измеряемых в области фундаментального переходаE0 прямозонного полупроводника. Серии измерений спектров проводились в области значенийL=100 мкВт/см2-1 Вт/см2 на образцах GaAs с концентрацией носителей заряда n~1016 см-3. Для всех исследованных образцов обнаружена логарифмическая зависимость величины электромодуляционного сигнала от плотности лазерного возбуждения. Установлено, что наблюдаемое изменение характеристической временной постоянной компоненты не оказывает какого-либо заметного влияния на величину измеряемого сигнала.

Исследованы особенности роста, дефектная структура и фотолюминесценция кристаллитов ZnTe, полученных на стенках кристаллизатора при температуре 650oC в режиме быстрого роста из пересыщенных паров исходных компонентов. Каждый отдельный кристаллит размером до10 мм имеет общую ось[011], вокруг которой сдвойниковано несколько индивидов. Совершенные фрагменты отдельных индивидов сложены одной системой плоских макрослоев (110) толщиной в несколько десятков микрометров каждый. Монокристаллическая пластина толщиной0.8 мм, содержащая на одной стороне слои роста (110), пересекается системой перпендикулярных к ростовой поверхности двойниковых границ (111) с понижением числа границ на внешней ростовой поверхности. Спектры фотолюминесценции подтверждают структурное совершенство полученных кристаллов. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 78.55.Et

Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до0.5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. PACS71.55.Gs, 78.55.Et, 81.05.Dz

В статье рассмотрен феномен профессионального опыта педагога. Излагаются результаты опытно-поискового исследования, направленного на раскрытие психологических аспектов профессионального опыта в контексте значимых ситуаций и событий, сохраняющихся в опыте как определенный способ поведения, анализируется специфика прогнозирования субъектом последствий тех или иных действий в аналогичных ситуациях. Обсуждаются эмпирические данные о различиях восприятия ситуаций педагогической деятельности «новичками» и «опытными» педагогами. Ключевые слова: профессиональный опыт, события и ситуации педагогической деятельности.

Баранов В.г., Годин Ю.г., Соловьев Г.и. Физико-химическое взаимодействие компонентов активной зоны при имитации развития тяжелой аварии // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 179-180