Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10лет окно памяти~3 В.

Бычков В.а., Карев С.а., Петрикин Ю.в. Управление сплавами с эффектом памяти формы при помощи микроволнового воздействия // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 196-197

Фесенко В.а., Рустамов Р.г., Перлович Ю.а. Эффект памяти формы в прокатанных монокристаллах TI- NI // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр.

Адонин А.с., Беспалов А.в., Петросянц К., Харитонов И. Оценка радиационной стойкости типовых ячеек БМК и схем памяти, изготовленных по КНС/КНИ технологиям // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 279-281

Антонов С.в. Моделирование блоков памяти СБИС в среде САПР CADENCE // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 104-106

Ремизова Е.а., Самхарадзе Т.г. Разработка устройства управления регенерацией в полупроводниковой динамической памяти // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 60-61

Корнеев В.в. Массово параллельные системы с распределенной общей памятью // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 192-193

Хайлов И.к. Вопросы использования прямоадресуемой памяти в системе с динамической токенной организацией вычислений // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 209-210

Кузьмина М.г., Маныкин Э.а., Сурина И.и. Результаты исследования ассоциативной памяти в осцилляторных сетях // Научная сессия МИФИ-2000. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 180-181

Кузьмина М.г., Маныкин Э.а., Сурина И.и. Оценка памяти в замкнутых однородных цепочках осцилляторов // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.1 Нейроинформатика-2000.2-я Всероссийская научно-техническая конференция. Теория и математические модели нейронных сетей. Нейробиология и модели природных нейронных систем. Нейронные сети в системах управления, стр. 94-99