Зырянов В.Я., Сморгон С.Л., Жуйков В.А., Шабанов В.Ф.. Эффекты памяти в капсулированных полимером холестерических жидких кристаллах // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Сообщается о наблюдении рекордно долгих времен спиновой памяти электронов в GaAs. С помощью метода оптической ориентации установлено, что время спиновой релаксации электронов, локализованных на мелких донорах в арсениде галлия n-типа (Nd-NA1014 см-3), составляет 290pm30 нс при температуре 4.2 К. Обменное взаимодействие квазисвободных электронов с электронами на донорах подавляет основной канал потери спина локализованных на донорах электронов~-- спиновую релаксацию за счет их сверхтонкого взаимодействия с ядрами решетки.

Рассмотрены эффекты ``памяти'' в стохастическом переносе~-- зависимость вида описывающих его уравнений от макроскопического времени. Получены уравнения, явно учитывающие микроскопические особенности задачи, без которых невозможно адекватное описание процесса переноса, предложены способы их решения и проанализированы их асимптотические свойства.

Саралиева З. Х., Балабанов С. С., Отечественная война в памяти трех поколений // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2005, http://socis.isras.ru/

И. Е.кознова, Аграрные преобразования в памяти российского крестьянства // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2004, http://socis.isras.ru/

О.М. Медушевская, В.А. Муравьев, М.Ф. Румянцева, Р.Б. Казаков, Памяти Евгении Платоновны Маматовой // Журнал "Новый исторический вестник", № 10, 2004, http://www.nivestnik.ru/

Results of an experimental study of the transformation plasticity and shape memory effects in Ti-Ni specimens tested in torsion after preliminary plastic deformation by tension or torsion are presented. It is shown that a plastic deformation by torsion (i. e. of the same type as for the tests on shape memory effect) suppresses the ability of the alloy to accumulate strain in cooling and recover it in heating, while a plastic deformation by tension first (for its small values) enhances and then suppresses the shape memory effect. Numerical modelling of these phenomena based on a microstructural approuch has given similar results 

Обсуждаются возможности использования сегнетоэлектрических материалов для создания новых поколений интегральных схем динамической памяти с высокой плотностью записи (до 1 Gbit на одном кристалле). Рассмотрено соответствие удельной емкости и токов утечки тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов требованиям для интегральных схем с различной информационной емкостью. Показано сильное влияние вольт-фарадной зависимости сегнетоэлектрика на удельную емкость и скорость снижения напряжения на конденсаторах при их разряде в процессе хранения информации. Рассматриваются перспективы повышения удельной емкости конденсаторов памяти при использовании релаксорных сегнетоэлектриков.

Рассмотрены пути дальнейшего повышения плотности записи в устройствах магнитной памяти. Показано, что перспективным материалом для носителей могут стать наногранулированные магнитопленочные среды. Чтобы свойства этих пленок соответствовали требованиям, предъявленным к носителям для сверхплотной магнитной записи, в них необходимо сформировать определенный структурный порядок. Для реализации этого подхода предложено использовать высокую адсорбционную способность наночастиц 3d-металлов к высокомолекулярным соединениям. Для создания носителей с плотностью записи 1010 bit/cm2 на базе наногранулированных магнитопленочных материалов, в которых наночастицы размером =<5 nm микрокапсулированы в полимерной матрице, необходимо совмещение физического и химического методов получения нанокомпозитов.

С помощью теории размытых мартенситных переходов теоретически проанализированы мартенситное превращение и релаксация напряжений в нагруженной постоянным давлением плоской круглой мембране из материала с памятью формы. В результате расчета найден пластический прогиб мембраны в зависимости от температуры и величины приложенного к мембране давления.