Найдено научных статей и публикаций: 312
41.
Время жизни и подвижность электронов д^- -зоны в кремнии
Ворожцова Л.А., Мельников А.П., Рыльков В.В.. Время жизни и подвижность электронов Д^- -зоны в кремнии // Письма в ЖЭТФ, том 46, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
42.
Разогрев излучением электронов и время неупругого электрон-фононного рассеяния в соединении YBaCuO
Гершензон Е.М., Гершензон М.Е., Гольцман Г.Н., Карасик Б.С., Семенов А.Д., Сергеев А.В.. Разогрев излучением электронов и время неупругого электрон-фононного рассеяния в соединении YBaCuO // Письма в ЖЭТФ, том 46, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
43.
Об энтропии выбора вакуума во время фазовых переходов
Саакян Д.Б.. Об энтропии выбора вакуума во время фазовых переходов // Письма в ЖЭТФ, том 52, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
44.
Время релаксации межзонного рассеяния дырок L_s, в сплаве p-Bi_{0.88}Sb_{0.12}
Редько Н.А.. Время релаксации межзонного рассеяния дырок L_s, в сплаве p-Bi_{0.88}Sb_{0.12} // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
45.
Время-задержанная самоинтерференция фотона
Кессель А.Р., Моисеев С.А.. Время-задержанная самоинтерференция фотона // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
46.
Наблюдение 2beta3nu-pacпада ^{150}Nd в эксперименте с время проекционной камерой
Артемьев В.А., Васильев С.И., Брахман Э.В., Зельдович О.Я., Карелин А.К., Кириченко В.В., Клименко А.А., Козодаева О.М., Любимов В.А., Митин А.И., Осетров С.Б., Парамохин В.Н., Поманский А.А., Смольников А.А., Цветкова Т.Н.. Наблюдение 2beta3nu-pacпада ^{150}Nd в эксперименте с время проекционной камерой // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
47.
Квантовая криптография на соотношении неопределенностей энергия-время
Молотков С.Н., Назин С.С.. Квантовая криптография на соотношении неопределенностей энергия-время // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
48.
Матричный элемент перехода аномально низкой энергии $3.5pm 0.5$ эВ в ядре $^{229}$Th и время жизни изомера
Дыхне А.М., Ткаля Е.В.. Матричный элемент перехода аномально низкой энергии $3.5pm 0.5$ эВ в ядре $^{229}$Th и время жизни изомера // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
49.
Влияние антикроссинга экситонных состояний на время их фазовой релаксации в GaAs/AlGaAs двойной симметричной квантовой яме
Литвиненко К.Л., Лысенко В.Г.. Влияние антикроссинга экситонных состояний на время их фазовой релаксации в GaAs/AlGaAs двойной симметричной квантовой яме // Письма в ЖЭТФ, том 69, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
50.
Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия
Сообщается о наблюдении рекордно долгих времен спиновой памяти электронов в GaAs. С помощью метода оптической ориентации установлено, что время спиновой релаксации электронов, локализованных на мелких донорах в арсениде галлия n-типа (Nd-NA1014 см-3), составляет 290pm30 нс при температуре 4.2 К. Обменное взаимодействие квазисвободных электронов с электронами на донорах подавляет основной канал потери спина локализованных на донорах электронов~-- спиновую релаксацию за счет их сверхтонкого взаимодействия с ядрами решетки.